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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
英特爾公司在美國(guó)亞利桑那州的擴(kuò)張計(jì)劃遇到挑戰(zhàn)：臺(tái)灣模式不完全適用
- 2024年8月8日，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC），全球最大的先進(jìn)計(jì)算機(jī)芯片制造商之一，于2020年5月宣布計(jì)劃在美國(guó)鳳凰城郊區(qū)建設(shè)一座工廠。四年過(guò)去了，該公司在亞利桑那州的芯片生產(chǎn)仍未開(kāi)始銷(xiāo)售。當(dāng)時(shí)，TSMC在亞利桑那州的存在被視為一場(chǎng)雙贏局面：它將促進(jìn)美國(guó)先進(jìn)芯片制造的發(fā)展，并幫助TSMC將其制造業(yè)務(wù)從臺(tái)灣（一個(gè)受到中國(guó)日益增強(qiáng)的地緣政治威脅的民主國(guó)家）多元化。TSMC已承諾向該項(xiàng)目投資650億美元，而拜登政府在今年4月宣布，該公司將獲得66億美元的《芯片與科學(xué)法案》資助。美國(guó)官員一直對(duì)該國(guó)對(duì)TSMC
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英飛凌在馬來(lái)西亞開(kāi)設(shè)全球最大功率半導(dǎo)體工廠，助力東南亞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)
- 2024年8月8日，歐洲頂級(jí)芯片制造商英飛凌宣布其位于馬來(lái)西亞古來(lái)的全球最大功率芯片工廠正式投產(chǎn)。這座工廠不僅是英飛凌歷史上規(guī)模最大的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，也標(biāo)志著馬來(lái)西亞在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的地位進(jìn)一步提升。根據(jù)英飛凌的規(guī)劃，這座新工廠將在未來(lái)五年內(nèi)逐步提升產(chǎn)能，最終成為全球最大的碳化硅（SiC）生產(chǎn)基地。碳化硅材料具有高效率、高耐壓的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于可再生能源、電動(dòng)汽車(chē)和人工智能數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求前景廣闊。此次投產(chǎn)不僅是英飛凌在東南亞的重要布局，也為馬來(lái)西亞吸引了創(chuàng)紀(jì)錄的芯片和數(shù)據(jù)中心投資。隨著全
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半導(dǎo)體IP市場(chǎng)規(guī)模分析與未來(lái)展望
- 2023年，全球半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）市場(chǎng)的規(guī)模估值為70.4億美元，預(yù)計(jì)到2032年，這一數(shù)字將增長(zhǎng)至156.8億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為9.77%。該市場(chǎng)的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括汽車(chē)、消費(fèi)電子（如手機(jī)和平板電腦）以及企業(yè)存儲(chǔ)設(shè)備。市場(chǎng)的增長(zhǎng)主要受全球消費(fèi)電子產(chǎn)品采用的增加、系統(tǒng)級(jí)芯片（SOC）設(shè)計(jì)復(fù)雜性提升以及對(duì)連接設(shè)備需求增加的推動(dòng)。根據(jù)SEMI的最新季度《世界晶圓廠預(yù)測(cè)》報(bào)告，預(yù)計(jì)到2023年底，將有超過(guò)40家晶圓廠開(kāi)始安裝，總支出將超過(guò)半萬(wàn)億美元。此外，2022年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)帶來(lái)了72
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德國(guó)芯片制造商英飛凌將裁員1400人
- 英飛凌表示，其目標(biāo)市場(chǎng)的復(fù)蘇進(jìn)展緩慢。由于市場(chǎng)環(huán)境艱難，德國(guó)芯片制造商英飛凌周一宣布將裁員1400人，并重新安置另外1400人，同時(shí)宣布利潤(rùn)下降并下調(diào)了前景預(yù)期。這次裁員是從全球約58,600名員工中進(jìn)行的，是該公司于5月啟動(dòng)的公司重組的一部分。首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck在發(fā)布集團(tuán)第三季度財(cái)報(bào)的同時(shí)在一份聲明中表示，這一計(jì)劃旨在“增強(qiáng)我們的競(jìng)爭(zhēng)力”。一位發(fā)言人向法新社證實(shí)，將裁員并將職位轉(zhuǎn)移到成本較低的地點(diǎn)，但未提供進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。這一消息是在美國(guó)芯片巨頭英特爾上周宣布將裁員超過(guò)15%并尋求今
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半導(dǎo)體晶圓代工“神仙打架”！
- 近期，半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)可謂是“喜事連連”。一方面，英特爾、三星、聯(lián)電等廠商紛紛公布財(cái)報(bào)顯示，晶圓代工業(yè)務(wù)迎來(lái)利好；另一方面，臺(tái)積電、世界先進(jìn)的對(duì)外增資案也獲得批準(zhǔn)。多家廠商代工業(yè)績(jī)表現(xiàn)亮眼當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月1日，英特爾公布2024年第二季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)季英特爾實(shí)現(xiàn)營(yíng)收128億美元，同比下降1%，低于市場(chǎng)分析師普遍預(yù)期的129.4億美元。盡管總體營(yíng)收不盡如人意，但在晶圓代工業(yè)務(wù)方面的表現(xiàn)卻較好，數(shù)據(jù)顯示，2024年第二季度，英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收43億美元，較2023年同期增長(zhǎng)4%。圖片來(lái)源：英特
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香港在全球半導(dǎo)體行業(yè)取得突破，設(shè)立下一代氮化鎵晶圓生產(chǎn)線
- 香港正在設(shè)立其首條氮化鎵（GaN）晶圓生產(chǎn)線，這是一種新一代半導(dǎo)體材料，旨在在美中技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)加劇的背景下，幫助香港在全球芯片行業(yè)占據(jù)一席之地。今年1月在香港成立的MassPhoton正在與政府資助的香港科學(xué)園（HKSTP）合作，建立一條8英寸GaN外延晶圓試驗(yàn)生產(chǎn)線，目標(biāo)是到2027年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)1萬(wàn)片的生產(chǎn)能力，MassPhoton創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官廖義森在周二的媒體簡(jiǎn)報(bào)會(huì)上表示。該公司專注于制造紫外線-C消毒產(chǎn)品，將在香港新晶圓生產(chǎn)線投資2億港元（2560萬(wàn)美元），并在科學(xué)園內(nèi)建立GaN技術(shù)的研發(fā)中心，HK
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新加坡淡馬錫將在美國(guó)AI、半導(dǎo)體和數(shù)據(jù)中心投資300億美元
- 新加坡國(guó)有投資公司淡馬錫控股將大幅增加其在美國(guó)的投資，承諾在未來(lái)五年內(nèi)投資300億美元。該公司的戰(zhàn)略將優(yōu)先考慮與AI相關(guān)的公司、半導(dǎo)體制造商和基礎(chǔ)設(shè)施企業(yè)，包括數(shù)據(jù)中心及其支持技術(shù)。隨著地緣政治緊張局勢(shì)升級(jí)，淡馬錫對(duì)在中國(guó)投資越來(lái)越謹(jǐn)慎，這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變正在發(fā)生。今年，美國(guó)已超過(guò)中國(guó)成為淡馬錫資本的最大接受者，占其投資組合的22%。淡馬錫北美負(fù)責(zé)人簡(jiǎn)·阿瑟頓（Jane Atherton）強(qiáng)調(diào)了公司對(duì)推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的領(lǐng)域的關(guān)注。她表示，美國(guó)在AI發(fā)展方面處于領(lǐng)先地位，他們?cè)谶@一領(lǐng)域看到了巨大的潛力。此外
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莫迪150億美元的芯片賭注能否將印度變成半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)？
- 印度總理納倫德拉·莫迪正在“全力以赴”，努力將印度轉(zhuǎn)變?yōu)槿蛐酒?jìng)賽中的競(jìng)爭(zhēng)者，但專家警告說(shuō)，印度在建立自給自足的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)之前還有很長(zhǎng)的路要走。莫迪政府在2月份批準(zhǔn)了價(jià)值150億美元的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造廠投資，包括印度本地財(cái)團(tuán)塔塔集團(tuán)（Tata Group）提出的建設(shè)該國(guó)首個(gè)主要芯片制造廠的提案。該工廠將設(shè)在莫迪的家鄉(xiāng)古吉拉特邦，預(yù)計(jì)到2026年底每月生產(chǎn)5萬(wàn)片晶圓。這項(xiàng)投資還包括與日本、臺(tái)灣和泰國(guó)公司合作開(kāi)發(fā)的組裝單元和包裝廠。塔塔集團(tuán)表示，其目標(biāo)是到2030年推動(dòng)印度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)達(dá)到1100億美元，占
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創(chuàng)新的極紫外光刻技術(shù)極大地造福了半導(dǎo)體制造
- 沖繩科學(xué)技術(shù)研究所（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一種超越半導(dǎo)體制造標(biāo)準(zhǔn)的極紫外（EUV）光刻技術(shù)?；诖嗽O(shè)計(jì)的EUV光刻可以使用更小的EUV光源，降低成本并顯著提高機(jī)器的可靠性和壽命。它的功耗也不到傳統(tǒng)EUV光刻機(jī)的十分之一，有助于半導(dǎo)體行業(yè)變得更加環(huán)?？沙掷m(xù)。通過(guò)解決兩個(gè)以前被認(rèn)為在該領(lǐng)域不可克服的問(wèn)題，這項(xiàng)技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)。第一個(gè)問(wèn)題涉及一種僅包含兩個(gè)鏡子的全新光學(xué)投影系統(tǒng)。第二個(gè)問(wèn)題涉及一種新的方法，可以有效地將EUV光引導(dǎo)到平面鏡（光掩模）上的邏輯圖案，而不會(huì)阻擋光學(xué)路徑。E
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美國(guó)的半導(dǎo)體賭博：對(duì)逐漸消逝的主導(dǎo)地位的絕望抓取
- 美國(guó)在技術(shù)領(lǐng)域的影響力逐漸減弱，為了維持對(duì)中國(guó)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，不得不采取越來(lái)越絕望的措施。拜登政府最近推動(dòng)的嚴(yán)格的半導(dǎo)體出口管制不僅揭示了以往政策的失敗，也有可能疏遠(yuǎn)重要盟友，進(jìn)而瓦解西方技術(shù)霸權(quán)的結(jié)構(gòu)。華盛頓最近試圖通過(guò)更嚴(yán)格的出口管制來(lái)加強(qiáng)對(duì)全球半導(dǎo)體貿(mào)易的控制，這表明其過(guò)去的戰(zhàn)略已告失敗。政府現(xiàn)在正在利用外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則（FDPR）作為嚴(yán)厲威脅，試圖通過(guò)脅迫讓不情愿的盟友屈服。這一極端措施允許美國(guó)對(duì)使用了哪怕是最少量美國(guó)技術(shù)的外國(guó)制造產(chǎn)品實(shí)施管制，旨在迫使像日本的東京電子有限公司和荷蘭的ASML控股公司
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YMTC芯片制造商的首席執(zhí)行官表示，中國(guó)將在3到5年內(nèi)迎來(lái)“爆炸性”半導(dǎo)體增長(zhǎng)
- 一位中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)高管預(yù)測(cè)，在封裝應(yīng)用和技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)支持下，中國(guó)將在未來(lái)三到五年內(nèi)迎來(lái)“爆炸性增長(zhǎng)”，為國(guó)家克服美國(guó)技術(shù)限制開(kāi)辟道路。據(jù)中國(guó)國(guó)家電視臺(tái)報(bào)道，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（CSIA）會(huì)長(zhǎng)、中國(guó)最大的存儲(chǔ)芯片制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（YMTC）負(fù)責(zé)人陳南翔表示，國(guó)家正在探索一種新的市場(chǎng)導(dǎo)向型行業(yè)模式，放棄依賴大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)的舊模式。陳南翔在接受中國(guó)中央電視臺(tái)英語(yǔ)頻道CGTN采訪時(shí)表示：“[今天的重點(diǎn)]是產(chǎn)業(yè)、產(chǎn)品、服務(wù)和商業(yè)模式的創(chuàng)新，這些最終必須帶來(lái)價(jià)值?！?他在接受CGTN采訪時(shí)說(shuō)，“中國(guó)的芯片
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Onsemi推出新一代碳化硅半導(dǎo)體
- 美國(guó)半導(dǎo)體制造商O(píng)nsemi推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)，用于電動(dòng)汽車(chē)和其他應(yīng)用。與前幾代相比，該平臺(tái)可減少30%的導(dǎo)通損耗和高達(dá)50%的關(guān)斷損耗。據(jù)Onsemi稱，所謂的EliteSiC M3e MOSFETs還提供了業(yè)界最低的特定導(dǎo)通電阻，并具有短路能力，這對(duì)牽引逆變器市場(chǎng)至關(guān)重要。在電動(dòng)汽車(chē)中，逆變器將電池的直流電轉(zhuǎn)換為電動(dòng)機(jī)所需的交流電。轉(zhuǎn)換損耗和冷卻需求越低，車(chē)輛在相同電池容量下的續(xù)航里程就越大。具體示例：封裝在Onsemi的功率模塊中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技術(shù)提供了
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歐盟和韓國(guó)合作推進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)
- 歐盟與韓國(guó)簽署協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)。這一合作將作為歐盟和韓國(guó)數(shù)字伙伴關(guān)系的成果，共同資助四個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目。根據(jù)歐盟和韓國(guó)數(shù)字伙伴關(guān)系的安排，這些項(xiàng)目將共同籌集1200萬(wàn)歐元資金。其中一半來(lái)自歐盟的“Horizon Europe”計(jì)劃下的芯片聯(lián)合企業(yè)，另一半來(lái)自韓國(guó)國(guó)家研究基金會(huì)（NRF）。所選項(xiàng)目包括：ENERGIZENEHILHAETAEViTFOX這些項(xiàng)目將持續(xù)三年，旨在推進(jìn)異構(gòu)集成技術(shù)（將多個(gè)組件集成到一個(gè)半導(dǎo)體中）以及優(yōu)化仿生神經(jīng)技術(shù)（模仿人腦功能）。加強(qiáng)歐盟與韓國(guó)的合作將結(jié)合歐洲和韓國(guó)研究與創(chuàng)
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中國(guó)團(tuán)隊(duì)研究解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙
- 中國(guó)科學(xué)家們研發(fā)出一種超薄半導(dǎo)體材料，這一進(jìn)展可能會(huì)帶來(lái)更快、更節(jié)能的微芯片。由北京大學(xué)的劉開(kāi)輝、人民大學(xué)的劉燦和中國(guó)科學(xué)院物理研究所的張光宇領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)，開(kāi)發(fā)了一種制造方法，可以生產(chǎn)厚度僅為0.7納米的半導(dǎo)體材料。研究人員的發(fā)現(xiàn)于7月5日發(fā)表在同行評(píng)議期刊《科學(xué)》上，解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙——隨著設(shè)備的縮小，硅芯片遇到了影響其性能的物理極限。這些科學(xué)家探討了二維（2D）過(guò)渡金屬二硫化物（TMDs）作為硅的替代品，其厚度僅為0.7納米，而傳統(tǒng)硅芯片的厚度通常為5-10納米。TMDs還消耗更少的
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美國(guó)計(jì)劃對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)施“嚴(yán)厲”制裁：報(bào)告
- 美國(guó)政府正在考慮對(duì)中國(guó)獲取先進(jìn)芯片制造工具的限制措施，這些措施甚至被一些美國(guó)盟友稱為“嚴(yán)厲”。主要提案包括應(yīng)用外國(guó)直接產(chǎn)品（FDP）規(guī)則，施壓盟友限制在中國(guó)的設(shè)備服務(wù)和維修，以及擴(kuò)大需要許可證的未核實(shí)清單的范圍。這些措施旨在阻礙中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。一個(gè)關(guān)鍵提案是應(yīng)用FDP規(guī)則，這將允許美國(guó)對(duì)包含任何美國(guó)技術(shù)的外國(guó)生產(chǎn)的物品施加控制。根據(jù)彭博社的報(bào)道，這將特別影響像東京電子和阿斯麥（ASML）這樣的公司，限制它們向中國(guó)提供先進(jìn)的晶圓制造設(shè)備（WFE）。這一措施被美國(guó)盟友視為“嚴(yán)厲”，但反映了美國(guó)政府限制中
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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