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寄生電容
寄生電容 文章 進(jìn)入寄生電容技術(shù)社區(qū)
理解D類(lèi)放大器的非理想性：無(wú)功負(fù)載和寄生電容
- 在本文中，我們將了解D類(lèi)功率放大器的兩個(gè)重要非理想性以及它們?nèi)绾斡绊懶阅?。正如我們從之前的文章中所知，?shí)際D類(lèi)放大器的開(kāi)關(guān)頻率并不總是與其諧振頻率相匹配。這種失配可能是由于組件非理想性或放大器在略微不同的頻率下有意操作造成的。在這兩種情況下，失諧LC電路都會(huì)產(chǎn)生無(wú)功負(fù)載。在本文中，我們將研究當(dāng)D類(lèi)放大器的負(fù)載網(wǎng)絡(luò)具有電抗性組件時(shí)，其性能是如何受到影響的。我們還將探討調(diào)諧電路輸入端寄生電容的影響。對(duì)每個(gè)非理想性的討論將以一個(gè)示例問(wèn)題結(jié)束。無(wú)功負(fù)載引起的功率損失圖1顯示了我們?cè)谶^(guò)去幾篇文章中一直在探索的互補(bǔ)電
- 關(guān)鍵字： D類(lèi)放大器，無(wú)功負(fù)載，寄生電容
引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容
- 減少柵極金屬和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容可以減少器件的開(kāi)關(guān)延遲。減少寄生電容的方法之一是設(shè)法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數(shù)，這可以通過(guò)在該位置的介電材料中引入空氣間隙來(lái)實(shí)現(xiàn)。這種類(lèi)型的方式過(guò)去已經(jīng)用于后道工序 (BEOL) 中，以減少金屬互連之間的電容[1-4]。本文中，我們將專(zhuān)注于前道工序 (FEOL)，并演示在柵極和源極/漏極之間引入空氣間隙的SEMulator3D?模型[5]。SEMulator3D?是一個(gè)虛擬的制造軟件平臺(tái)，可以在設(shè)定的半導(dǎo)體工藝流程內(nèi)模擬工藝變量。利用SE
- 關(guān)鍵字： 空氣間隙 前道工序 寄生電容
保護(hù)環(huán)對(duì)雙向可控硅靜電防護(hù)器件電容特性 的影響*
- 摘? 要：本文研究了P型保護(hù)環(huán)對(duì)雙向可控硅（DDSCR）靜電防護(hù)器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備 了不帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR）和帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在 高壓工藝下制備了不帶保護(hù)環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR）和帶保護(hù)環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR_ GR）器件。利用B1505A功率器件分析儀測(cè)試并討論了器件的電容特性，同時(shí)利用傳輸線(xiàn)脈沖（TLP）測(cè)試儀 分析了它們的靜電性能。結(jié)果表明，保護(hù)環(huán)的增加對(duì)器件靜電防護(hù)能力無(wú)較大影響，但在1?
- 關(guān)鍵字： 202206 雙向可控硅 保護(hù)環(huán) 寄生電容 傳輸線(xiàn)脈沖測(cè)試系統(tǒng)
PCB Layout中直角走線(xiàn)會(huì)產(chǎn)生什么影響?
- 直角走線(xiàn)一般是PCB布線(xiàn)中要求盡量避免的情況，也幾乎成為衡量布線(xiàn)好壞的標(biāo)準(zhǔn)之一，那么直角走線(xiàn)究竟會(huì)對(duì)信號(hào)傳輸產(chǎn)生多大的影響呢？從原理上說(shuō)，直角走線(xiàn)會(huì)使傳輸線(xiàn)的線(xiàn)寬發(fā)生變化，造成阻抗的不連續(xù)。其實(shí)不光是直角走線(xiàn)，頓角，銳角走線(xiàn)都可能會(huì)造成阻抗變化的情況。
- 關(guān)鍵字： PCBLayout PCB 直角走線(xiàn) EMI 寄生電容
高速PCB過(guò)孔的研究
- 在數(shù)字通信系統(tǒng)中，隨著PCB布線(xiàn)密 度，布線(xiàn)層數(shù)和傳輸信號(hào)速率的不斷增加，信號(hào)完整性的問(wèn)題變得越來(lái)越突出，已經(jīng)成為高速PCB設(shè)計(jì)者巨大的挑戰(zhàn)。而在高速PCB設(shè)計(jì)中，過(guò)孔已經(jīng)越來(lái)越普 遍使用，其本身的寄生參數(shù)極易造成信號(hào)完整性問(wèn)題，如何減少過(guò)孔本身所產(chǎn)生的信號(hào)完整性問(wèn)題，已經(jīng)成為高速PCB設(shè)計(jì)者研究的重點(diǎn)和難點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 高速PCB 過(guò)孔 寄生電容 反焊盤(pán) 信號(hào)完整性
如何妙用二極管減少寄生電容
- 二極管以其單向?qū)щ娞匦?，在整流開(kāi)關(guān)方面發(fā)揮著重要的作用;其在反向擊穿狀態(tài)下，在一定電流范圍下起到穩(wěn)壓效果。令人意外的是，利用二極管的反偏壓結(jié)電容，能夠有效地減少信號(hào)線(xiàn)上的接入寄生電容，這里將近一步討論這個(gè)運(yùn)用?！ ∩洗挝覀兎窒砹岁P(guān)于“如何妙用二極管的導(dǎo)通壓降”的知識(shí)，之后有用戶(hù)要求了解更多有關(guān)電子類(lèi)器件的知識(shí)，這里就來(lái)講講“如何妙用二極管減少寄生電容”。 二極管參數(shù)—單向?qū)щ娦浴 √岬蕉O管，大家最熟悉的就是二極管的單向?qū)щ娦裕从撤睬€(xiàn)上如圖1所示。當(dāng)正向偏壓U=0.5V(硅管)時(shí)，二極管開(kāi)始導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： 二極管 寄生電容
一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
- 分析影響VDMOS開(kāi)關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù)，為了減少寄生電容，提高開(kāi)關(guān)速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū)，改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結(jié)果表明：這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開(kāi)關(guān)時(shí)間，提高器件的動(dòng)態(tài)性能。
- 關(guān)鍵字： VDMOS 寄生電容
寄生電容介紹
寄生的含義就是本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線(xiàn)構(gòu)之間總是有互容，互感就好像是寄生在布線(xiàn)之間的一樣，所以叫寄生電容。
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串連，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。在計(jì)算中我們要考慮進(jìn)去。ESL就是等效電感，ESR就是等效電阻。不管是電阻， [ 查看詳細(xì) ]
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