寄生電容 文章 進入寄生電容技術(shù)社區(qū)
理解D類放大器的非理想性:無功負載和寄生電容
- 在本文中,我們將了解D類功率放大器的兩個重要非理想性以及它們?nèi)绾斡绊懶阅?。正如我們從之前的文章中所知,實際D類放大器的開關(guān)頻率并不總是與其諧振頻率相匹配。這種失配可能是由于組件非理想性或放大器在略微不同的頻率下有意操作造成的。在這兩種情況下,失諧LC電路都會產(chǎn)生無功負載。在本文中,我們將研究當D類放大器的負載網(wǎng)絡(luò)具有電抗性組件時,其性能是如何受到影響的。我們還將探討調(diào)諧電路輸入端寄生電容的影響。對每個非理想性的討論將以一個示例問題結(jié)束。無功負載引起的功率損失圖1顯示了我們在過去幾篇文章中一直在探索的互補電
- 關(guān)鍵字: D類放大器,無功負載,寄生電容
引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容
- 減少柵極金屬和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容可以減少器件的開關(guān)延遲。減少寄生電容的方法之一是設(shè)法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數(shù),這可以通過在該位置的介電材料中引入空氣間隙來實現(xiàn)。這種類型的方式過去已經(jīng)用于后道工序 (BEOL) 中,以減少金屬互連之間的電容[1-4]。本文中,我們將專注于前道工序 (FEOL),并演示在柵極和源極/漏極之間引入空氣間隙的SEMulator3D?模型[5]。SEMulator3D?是一個虛擬的制造軟件平臺,可以在設(shè)定的半導(dǎo)體工藝流程內(nèi)模擬工藝變量。利用SE
- 關(guān)鍵字: 空氣間隙 前道工序 寄生電容
保護環(huán)對雙向可控硅靜電防護器件電容特性 的影響*
- 摘? 要:本文研究了P型保護環(huán)對雙向可控硅(DDSCR)靜電防護器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備 了不帶保護環(huán)的低壓雙向可控硅(LVDDSCR)和帶保護環(huán)的低壓雙向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在 高壓工藝下制備了不帶保護環(huán)的高壓雙向可控硅(HVDDSCR)和帶保護環(huán)的高壓雙向可控硅(HVDDSCR_ GR)器件。利用B1505A功率器件分析儀測試并討論了器件的電容特性,同時利用傳輸線脈沖(TLP)測試儀 分析了它們的靜電性能。結(jié)果表明,保護環(huán)的增加對器件靜電防護能力無較大影響,但在1?
- 關(guān)鍵字: 202206 雙向可控硅 保護環(huán) 寄生電容 傳輸線脈沖測試系統(tǒng)
如何妙用二極管減少寄生電容
- 二極管以其單向?qū)щ娞匦?,在整流開關(guān)方面發(fā)揮著重要的作用;其在反向擊穿狀態(tài)下,在一定電流范圍下起到穩(wěn)壓效果。令人意外的是,利用二極管的反偏壓結(jié)電容,能夠有效地減少信號線上的接入寄生電容,這里將近一步討論這個運用?! ∩洗挝覀兎窒砹岁P(guān)于“如何妙用二極管的導(dǎo)通壓降”的知識,之后有用戶要求了解更多有關(guān)電子類器件的知識,這里就來講講“如何妙用二極管減少寄生電容”。 二極管參數(shù)—單向?qū)щ娦浴 √岬蕉O管,大家最熟悉的就是二極管的單向?qū)щ娦?,反映伏安曲線上如圖1所示。當正向偏壓U=0.5V(硅管)時,二極管開始導(dǎo)
- 關(guān)鍵字: 二極管 寄生電容
一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
- 分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù),為了減少寄生電容,提高開關(guān)速度,在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條,并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū),改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀,減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬,結(jié)果表明:這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比,能有效減小器件的寄生電容,減少柵電荷量,提高開關(guān)時間,提高器件的動態(tài)性能。
- 關(guān)鍵字: VDMOS 寄生電容
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