富士通-西門子 文章 進(jìn)入富士通-西門子技術(shù)社區(qū)
富士通半導(dǎo)體獲海思半導(dǎo)體策略ASIC合作
- 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司于日前宣布其獲得海思半導(dǎo)體策略ASIC合作伙伴榮譽(yù)。富士通的高速IP解決方案和ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)，是海思授予其這一榮譽(yù)的關(guān)鍵所在。 由于不斷升級(jí)的處理速度和越來越復(fù)雜的調(diào)制解調(diào)算法，現(xiàn)代通信芯片往往會(huì)集成數(shù)億個(gè)同時(shí)工作的晶體管和超高速的模擬互聯(lián)IP。而在這樣的芯片上，領(lǐng)先工藝所帶來的物理設(shè)計(jì)收斂會(huì)變得越來越困難，片上巨大規(guī)模的數(shù)字電路對(duì)超高速模擬IP的串?dāng)_也變得越來越明顯，如何在很短的設(shè)計(jì)周期內(nèi)去盡可能的定義和優(yōu)化全芯片的低功耗策略，如何協(xié)同考慮封裝設(shè)計(jì)來包容超高的功耗
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日本3月底或出現(xiàn)系統(tǒng)LSI行業(yè)重組
- 日本三大系統(tǒng)LSI制造商的業(yè)務(wù)合并談判已接近尾聲，將在3月底之前確定框架，2013年度內(nèi)實(shí)施重組。不過，由于技術(shù)革新，重組后的戰(zhàn)略卻很難制定。 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)很可能在不久進(jìn)行重組。2012年是日本半導(dǎo)體行業(yè)大動(dòng)蕩的一年，大型DRAM企業(yè)爾必達(dá)存儲(chǔ)器破產(chǎn)、大型MCU企業(yè)瑞薩電子接受救助，2013年的焦點(diǎn)則是系統(tǒng)LSI行業(yè)的重組。 參與重組的是富士通、松下和瑞薩三家企業(yè)。這三家企業(yè)從2012年初開始進(jìn)行業(yè)務(wù)合并談判。作為主角之一的富士通社長(zhǎng)山本正在接受《日經(jīng)商務(wù)周刊》等采訪時(shí)表明了要盡快結(jié)束談
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富士通老式手機(jī)因隱私功能受日本男士歡迎
- 北京時(shí)間1月12日凌晨消息，在過去幾年時(shí)間里，有很多人都爭(zhēng)相把自己的舊手機(jī)換成智能手機(jī)，而與此同時(shí)，日本的風(fēng)流男子卻仍舊忠于一個(gè)特定的品牌：富士通老式的“F系列”手機(jī)，擁有一些頗具吸引力的秘密隱私權(quán)功能。 這種老化的錢夾式翻蓋手機(jī)——它的外號(hào)用日語來說是“uwaki keitai”，也就是“私通手機(jī)”——在顧客中很有人氣，他們不相信更新的智能手機(jī)也能同樣小心地掩蓋他們不正當(dāng)?shù)牧_
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傳富士通正調(diào)整戰(zhàn)略：擬向臺(tái)積電出售晶圓廠
- 北京時(shí)間12月29日晚間消息，路透社援引消息人士的觀點(diǎn)稱，日本富士通正與臺(tái)灣芯片代工廠商臺(tái)積電接洽，打算將旗下12寸晶圓廠出售給后者。 報(bào)道稱，日本的芯片廠商正面臨架構(gòu)升級(jí)成本高昂、日元持續(xù)走強(qiáng)以及來自三星等韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的強(qiáng)勢(shì)沖擊等不利因素，不得不考慮將生產(chǎn)外包到日本之外的地方。 富士通此次打算出售的是其位于日本西部三重縣的半導(dǎo)體工廠，該工廠主要生產(chǎn)用于照相機(jī)的圖像處理芯片，以及用戶超級(jí)計(jì)算機(jī)的數(shù)字運(yùn)算芯片。 據(jù)稱，此次出售制造工廠是富士通戰(zhàn)略調(diào)整計(jì)劃的一部分，該公司打算將生產(chǎn)制造業(yè)
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芯片制作工藝需追趕世界潮流 加倍努力
- 隨著科技的發(fā)展，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造方面，各相關(guān)廠商相繼突破制造工藝，提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。 2012年初，富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計(jì)公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工藝)，一度引發(fā)中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)的震動(dòng)。而在日前于重慶舉辦的“中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2012年會(huì)暨重慶集成電路跨越發(fā)展高峰論壇”上，富士通半導(dǎo)體又一次帶來驚喜，率先將已經(jīng)量產(chǎn)的成熟28nm先進(jìn)工藝和設(shè)計(jì)服務(wù)帶給中國(guó)高端SoC設(shè)計(jì)業(yè)者。 “55nm創(chuàng)新工藝制
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富士通率先在中國(guó)引入28nm SoC設(shè)計(jì)服務(wù)和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)
- 2012年初，富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計(jì)公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nm IP、性能堪比40nm工藝)，一度引發(fā)中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)的震動(dòng)。
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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)GaN功率器件
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
- 關(guān)鍵字： 富士通 功率器件 GaN
富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
- 富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過硅晶圓直徑的增加，來實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo)，富
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