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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 導(dǎo)通電阻

          EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

          • 全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET,與EPC的上一代產(chǎn)品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐熱QFN封裝,頂部裸露,封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
          • 關(guān)鍵字: EPC  1mΩ  導(dǎo)通電阻  GaN FET  

          適用于熱插拔應(yīng)用的具有導(dǎo)通電阻的高效 MOSFET

          • 熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流,從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外,電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰,從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流,從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外,電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰,從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。簡(jiǎn)介熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  導(dǎo)通電阻  

          英飛凌推出面向汽車(chē)的OptiMOS? 7 40V MOSFET

          • 【2023 年 5 月 12 日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車(chē)應(yīng)用的功率 MOSFET,OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無(wú)引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝,相比于其它采用微型封裝的器件,具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。這使得全新 MOSFET 成為所有的標(biāo)準(zhǔn)和未來(lái)車(chē)用 40V MOSFET 應(yīng)用的理想選擇,如電動(dòng)助力
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  OptiMOS  導(dǎo)通電阻  

          ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析,從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌

          負(fù)載開(kāi)關(guān)技術(shù)的發(fā)展在現(xiàn)代應(yīng)用的電源管理中發(fā)揮重要作用

          •   作者/Bryson Barney 安森美半導(dǎo)體 應(yīng)用工程師  摘要:負(fù)載開(kāi)關(guān)在電源管理和負(fù)載保護(hù)中發(fā)揮重要作用。在為特定應(yīng)用選擇負(fù)載開(kāi)關(guān)時(shí)有一些因素要考慮,此外,現(xiàn)在還可以使用一些性能和功能得以改進(jìn)的新器件?! £P(guān)鍵詞:負(fù)載開(kāi)光;電源管理;導(dǎo)通電阻  0 引言  電源是推動(dòng)我們現(xiàn)代世界技術(shù)的命脈,我們?cè)絹?lái)越依賴高科技產(chǎn)品在忙碌的工作中和工作外的生活中幫助我們。管理和控制電源是高科技、低功耗應(yīng)用的一個(gè)重要主題。無(wú)論是為更大的設(shè)備開(kāi)發(fā)復(fù)雜的多軌電源系統(tǒng),還是利用電池供電設(shè)備的最后一小部分電量,電源管理都是
          • 關(guān)鍵字: 201906  負(fù)載開(kāi)光  電源管理  導(dǎo)通電阻  

          利用保證的 SOA 在高電流熱插拔應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻

          • 引言

            在高電流背板應(yīng)用中要求實(shí)現(xiàn)電路板的帶電插拔,這就需要兼具低導(dǎo)通電阻 (在穩(wěn)態(tài)操作期間) 和針對(duì)瞬態(tài)情況之高安全工作區(qū) (SOA) 的 MOSFET。通常,專為擁有低導(dǎo)通電阻而優(yōu)化的新式 MOSFET 并不適合高 SOA 熱插拔應(yīng)用。

            LTC4234 是一款針對(duì)熱插拔 (Hot SwapTM) 應(yīng)用的集成型解決方案,其允許電路板在帶電背板上安全地插入和拔出。該器件把一個(gè)熱插拔控制器、功率 MOSFET 和電流檢測(cè)電阻器集成在單個(gè)封裝中,以滿足小型化應(yīng)用的要求
          • 關(guān)鍵字: 熱拔插  導(dǎo)通電阻  

          Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

          • 2013 年 12 月5 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出業(yè)界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB,擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  Si8851EDB  導(dǎo)通電阻  

          Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件,擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  導(dǎo)通電阻  

          Silego推出業(yè)界首顆p通道MOSFE替代產(chǎn)品集成負(fù)載開(kāi)關(guān)

          • 2013年10月15日,Silego公司的電源族又推出了納安級(jí)功耗負(fù)載開(kāi)關(guān)系列。此系列推出了兩款產(chǎn)品:支持6A負(fù)載電流的SLG59M1470V和支持2A負(fù)載電流的SLG59M1460V。
          • 關(guān)鍵字: Silego  MOSFE  導(dǎo)通電阻  

          德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

          • 日前,德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝,支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻。
          • 關(guān)鍵字: TI  MOSFET  導(dǎo)通電阻  

          Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開(kāi)關(guān)

          • 2013 年 11 月5 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開(kāi)關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝,導(dǎo)通電阻只有1.5?
          • 關(guān)鍵字: Vishay  CMOS  導(dǎo)通電阻  

          東芝推出帶反向電流阻隔電路的業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻負(fù)荷開(kāi)關(guān)集成電路

          • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出內(nèi)嵌反向電流阻隔電路[1]的負(fù)荷開(kāi)關(guān)集成電路,該集成電路提供業(yè)內(nèi)最低的[3]導(dǎo)通電阻,即18.4mΩ[2]。這些集成電路可作為智能手機(jī)、平板電腦、超極本(Ultrabooks?)和其他移動(dòng)設(shè)備內(nèi)使用的電源管理開(kāi)關(guān)。樣品出貨今日啟動(dòng),并計(jì)劃于2014年投入量產(chǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  導(dǎo)通電阻  集成電路  

          Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻

          • 2013 年 9 月5 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,擴(kuò)充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  導(dǎo)通電阻  

          精確測(cè)量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻

          • 電阻值的測(cè)量通常比較簡(jiǎn)單。但是,對(duì)于非常小阻值的測(cè)量,我們必須謹(jǐn)慎對(duì)待我們所做的假定。對(duì)于特定的幾何形狀,如電線,Kelvin方法是非常精確的。可以使用類似的方法來(lái)測(cè)量均勻樣本的體電阻率和面電阻率,但是所使
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  精確測(cè)量  導(dǎo)通電阻    

          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件(一)

          • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻  
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          導(dǎo)通電阻介紹

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