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導(dǎo)通電阻
導(dǎo)通電阻 文章 進(jìn)入導(dǎo)通電阻技術(shù)社區(qū)
EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET
- 全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET,與EPC的上一代產(chǎn)品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐熱QFN封裝,頂部裸露,封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
- 關(guān)鍵字: EPC 1mΩ 導(dǎo)通電阻 GaN FET
適用于熱插拔應(yīng)用的具有導(dǎo)通電阻的高效 MOSFET
- 熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流,從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外,電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰,從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流,從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外,電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰,從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。簡(jiǎn)介熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的
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英飛凌推出面向汽車(chē)的OptiMOS? 7 40V MOSFET
- 【2023 年 5 月 12 日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車(chē)應(yīng)用的功率 MOSFET,OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無(wú)引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝,相比于其它采用微型封裝的器件,具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。這使得全新 MOSFET 成為所有的標(biāo)準(zhǔn)和未來(lái)車(chē)用 40V MOSFET 應(yīng)用的理想選擇,如電動(dòng)助力
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ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析,從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌
- 全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌,行業(yè)整合步伐加速。作為電力控制/節(jié)能減排核心半導(dǎo)體器件,功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于從家電、消費(fèi)電子到新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域。順全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)洗牌大勢(shì),近年來(lái)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整合步伐急速提升
- 關(guān)鍵字: ITECH程控電源及電子負(fù)載 IGBT模塊 (600-2400V/4A-1800A) 電能轉(zhuǎn)換器件 光伏/智能電網(wǎng)/充電樁 什么是IGBT 導(dǎo)通電阻
負(fù)載開(kāi)關(guān)技術(shù)的發(fā)展在現(xiàn)代應(yīng)用的電源管理中發(fā)揮重要作用
- 作者/Bryson Barney 安森美半導(dǎo)體 應(yīng)用工程師 摘要:負(fù)載開(kāi)關(guān)在電源管理和負(fù)載保護(hù)中發(fā)揮重要作用。在為特定應(yīng)用選擇負(fù)載開(kāi)關(guān)時(shí)有一些因素要考慮,此外,現(xiàn)在還可以使用一些性能和功能得以改進(jìn)的新器件?! £P(guān)鍵詞:負(fù)載開(kāi)光;電源管理;導(dǎo)通電阻 0 引言 電源是推動(dòng)我們現(xiàn)代世界技術(shù)的命脈,我們?cè)絹?lái)越依賴高科技產(chǎn)品在忙碌的工作中和工作外的生活中幫助我們。管理和控制電源是高科技、低功耗應(yīng)用的一個(gè)重要主題。無(wú)論是為更大的設(shè)備開(kāi)發(fā)復(fù)雜的多軌電源系統(tǒng),還是利用電池供電設(shè)備的最后一小部分電量,電源管理都是
- 關(guān)鍵字: 201906 負(fù)載開(kāi)光 電源管理 導(dǎo)通電阻
利用保證的 SOA 在高電流熱插拔應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻
- 引言
在高電流背板應(yīng)用中要求實(shí)現(xiàn)電路板的帶電插拔,這就需要兼具低導(dǎo)通電阻 (在穩(wěn)態(tài)操作期間) 和針對(duì)瞬態(tài)情況之高安全工作區(qū) (SOA) 的 MOSFET。通常,專為擁有低導(dǎo)通電阻而優(yōu)化的新式 MOSFET 并不適合高 SOA 熱插拔應(yīng)用。
LTC4234 是一款針對(duì)熱插拔 (Hot SwapTM) 應(yīng)用的集成型解決方案,其允許電路板在帶電背板上安全地插入和拔出。該器件把一個(gè)熱插拔控制器、功率 MOSFET 和電流檢測(cè)電阻器集成在單個(gè)封裝中,以滿足小型化應(yīng)用的要求 - 關(guān)鍵字: 熱拔插 導(dǎo)通電阻
導(dǎo)通電阻介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條導(dǎo)通電阻!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)導(dǎo)通電阻的理解,并與今后在此搜索導(dǎo)通電阻的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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