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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 開關(guān)損耗

          了解E類放大器中的開關(guān)損耗

          • 在本文中,我們研究了非零開關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)間如何影響E類功率放大器的效率。通常假設(shè)具有理想組件的E級(jí)效率為100%。在實(shí)踐中,有幾個(gè)非理想因素會(huì)降低E類放大器的效率。在本文中,我們將只討論一個(gè):實(shí)際開關(guān)的非零轉(zhuǎn)換時(shí)間。了解這種損耗機(jī)制可以幫助我們更真實(shí)地估計(jì)放大器的性能,并實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)。如果您從“E類功率放大器簡(jiǎn)介”開始閱讀本系列文章,您可能還記得這些放大器的負(fù)載網(wǎng)絡(luò)旨在最大限度地減少開關(guān)損耗。即使使用非理想晶體管,設(shè)計(jì)良好的E級(jí)的導(dǎo)通開關(guān)損耗也可能接近于零。然而,關(guān)斷開關(guān)損耗可能相當(dāng)大,我們很快就會(huì)看
          • 關(guān)鍵字: E類放大器,開關(guān)損耗  

          雙極性結(jié)型晶體管的開關(guān)損耗

          • 在SPICE仿真的幫助下,我們研究了當(dāng)BJT用作開關(guān)時(shí)發(fā)生的兩種類型的功耗。雙極性結(jié)型晶體管(BJT)既可以用作小信號(hào)放大器,也可以用作開關(guān)。盡管現(xiàn)在你在電路板上看不到很多分立的BJT放大器——使用運(yùn)算放大器要方便有效得多——但作為開關(guān)連接的BJT仍然很常見。BJT開關(guān)通常用于阻斷或向有刷直流電機(jī)、燈或螺線管等負(fù)載輸送電流。它們有時(shí)也出現(xiàn)在更高頻率的開關(guān)應(yīng)用中,如開關(guān)模式調(diào)節(jié)器或D類放大器。圖1顯示了BJT開關(guān)的兩種常見應(yīng)用:高強(qiáng)度LED照明(左)和繼電器控制(右)。兩個(gè)開關(guān)都由微控制器上的通用輸入/輸出
          • 關(guān)鍵字: LTspice  雙極性結(jié)型晶體管  開關(guān)損耗  

          MOSFET開關(guān)損耗簡(jiǎn)介

          • 本文將通過(guò)解釋MOSFET功耗的重要來(lái)源來(lái)幫助您優(yōu)化開關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動(dòng)器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式:線性和開關(guān)。在線性模式中,晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過(guò)溝道,但溝道電阻相對(duì)較高??鐪系赖碾妷汉土鬟^(guò)溝道的電流都是顯著的,導(dǎo)致晶體管中的高功耗。在開關(guān)模式中,柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動(dòng),或者足夠高以使FET處于“完全增強(qiáng)”狀態(tài),在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下,晶體管就像一個(gè)閉合的開關(guān):即使大電流流過(guò)通道,功耗也會(huì)很低或中等。隨著開關(guān)模式操作接近理想情況,功耗變得可
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  開關(guān)損耗  

          簡(jiǎn)單的速率控制技術(shù)可降低開通能耗

          •   Wolfgang?Frank?(英飛凌)  摘?要:電力電子系統(tǒng)(如馬達(dá))中的開關(guān)損耗降低受到電磁干擾(EMI)或開關(guān)電壓斜率等參數(shù)的限制。通常是通過(guò)選擇有效的功率晶體管柵極電阻來(lái)解決這一問(wèn)題。但這在運(yùn)行中是無(wú)法自主進(jìn)行調(diào)整的?! ”疚膶⒔榻B一種通過(guò)并聯(lián)常規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)芯片來(lái)攻克這一難題的簡(jiǎn)單方法。文中還介紹了與開通能耗改進(jìn)有關(guān)的表征數(shù)據(jù)的評(píng)估?! £P(guān)鍵詞:馬達(dá);開關(guān)損耗;EMI;開關(guān)電壓斜率;柵極驅(qū)動(dòng)  0 引言  連接MOS柵極功率晶體管的柵極電阻選型,一般有2個(gè)優(yōu)化目標(biāo)。首先,應(yīng)通過(guò)選擇電阻值較小的
          • 關(guān)鍵字: 202006  馬達(dá)  開關(guān)損耗  EMI  開關(guān)電壓斜率  柵極驅(qū)動(dòng)  

          理解MOSFET時(shí)間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)

          • Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)劉松(萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體元件(深圳)有限公司,上海 靜安 200070)??????摘要:本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中靜態(tài)輸出電容Coss、時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測(cè)量的方法,特別說(shuō)明了在實(shí)際的不同應(yīng)用中,采用不同的輸出電
          • 關(guān)鍵字: 輸出電容  死區(qū)時(shí)間  開關(guān)損耗  超結(jié)  201904  

          MOSFET開關(guān)損耗分析

          • 摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問(wèn)題,通過(guò)對(duì)MOSFET柵極電荷、極間
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  帶電插拔  緩啟動(dòng)  開關(guān)損耗  

          技術(shù)解析:有效地降低開關(guān)電源開關(guān)損耗的原理

          • 基于電感的開關(guān)電源(SM-PS)包含一個(gè)功率開關(guān),用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開關(guān)電源設(shè)計(jì)選擇MOSFE...
          • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  開關(guān)損耗  

          淺析讓IGBT更快的技巧

          • IGBT關(guān)斷損耗大;拖尾是嚴(yán)重制約高頻運(yùn)用的攔路虎。這問(wèn)題由兩方面構(gòu)成:1)IGBT的主導(dǎo)器件—GTR的基區(qū)儲(chǔ)...
          • 關(guān)鍵字: IGBT  開關(guān)損耗  

          論述如何控制IGBT逆變器設(shè)計(jì)中的雜散電感

          • IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此,英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)...
          • 關(guān)鍵字: 反向恢復(fù)  過(guò)壓  開關(guān)損耗  

          零電壓開關(guān)技術(shù)在降壓穩(wěn)壓器上的應(yīng)用

          • 對(duì)降壓穩(wěn)壓器的關(guān)鍵要求通常是尺寸和效率。由于印制電路板面積彌足珍貴,哪個(gè)設(shè)計(jì)人員也不愿意分配額外的空...
          • 關(guān)鍵字: 零電壓  開關(guān)損耗  功率密度  

          開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率(忽略交疊開關(guān)損耗)

          開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率(考慮交疊開關(guān)損耗)

          • 交疊開關(guān)損耗(或稱為電壓電流重疊損耗),可以根據(jù)某時(shí)段內(nèi)電壓電流的動(dòng)態(tài)曲線按照上升電流和下降電壓的斜率...
          • 關(guān)鍵字: 開關(guān)調(diào)節(jié)器  開關(guān)損耗  

          理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

          • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程,從而使電子工程師知...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  開關(guān)損耗  主導(dǎo)參數(shù)  

          功率MOSFET的開關(guān)損耗的研究

          • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程,從而使電子工程師知...
          • 關(guān)鍵字: 功率MOSFET  開關(guān)損耗  

          國(guó)內(nèi)高頻變換中小功率逆變電源存在問(wèn)題分析

          • 20世紀(jì)70年代初期,20kHzPWM型開關(guān)電源的應(yīng)用在世界上引起了所謂“20kHz電源技術(shù)革命”。逆變電源按變換方式...
          • 關(guān)鍵字: 磁性材料  開關(guān)損耗  諧振  
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          開關(guān)損耗介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條開關(guān)損耗!
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