- Abstract— 一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū),InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/micro;msup2;時fT 和 fmax分別達到了 185 GHz and 220 GHz,JC =
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DHBT 技術 集成電路 晶體管 異質 雙極 GaAsSb
- 電路的功能在光接收電路中,如果外來光引起誤動作,可靠性就會下降。用脈沖式發(fā)光,可作成能識別平均外來光和脈沖波的電路。輸出不僅有導通、截止狀態(tài),還有與驅動頻率相同的脈沖串輸出。電路工作原理流過光電晶體管
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原理 介紹 及其 電路 晶體管 光電
- 各種類型低頻放大器,主要特點是,工作頻率范圍寬,放大信號的中心頻率從幾十赫至幾百千赫;這類放大器通常處于低頻多級放大器的前幾級,故稱前置放大器,它的輸入信號幅度很小,約幾到幾十毫伏或甚至更小,所以屬于
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晶體管 低頻 放大器
- 單結晶體管具有負租特性,其工作原理和伏安特性見圖1-31。圖1-31中電源電壓UBB的正級接第二基極B2,負級接第一 ...
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單結 晶體管 伏安特性 電路圖
- 通過外形標志和標準封裝代號判別常用晶體管的引腳排列在晶體管的產品治療說明或工具書中,常常只給晶體管的封 ...
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晶體管
- 近年來,手機等便攜設備市場持續(xù)快速發(fā)展。據(jù)預計,手機出貨量將從2011年的14億部增長至2014年的18億部;其中又以智能手機市場耀眼,受大量低成本Android手機上市推動,同期智能手機出貨量將從4億部增長至6.8億部,而且智能手機的半導體元件含量遠高于功能型或入門型手機。與此同時,領先制造商更加重視用戶使用體驗,其舉措之一是在產品設計中選擇能夠更好配合智能手機等便攜設備應用要求及技術趨勢的產品及方案。
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安森美 半導體 晶體管
- 用3DD25型晶體管改作光敏管電子愛好者在制作光電控制儀或裝置時,經常要用到光電三極管,簡稱光敏管。這里,向大 ...
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3DD15型 晶體管 光敏管
- 引言 通用對稱Doherty放大器現(xiàn)已在蜂窩基站中廣泛使用?! ★w思卡爾半導體針對2.11GHz~2.17GHz頻段的 ...
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晶體管 非對稱 Doherty
- 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 近日發(fā)布業(yè)內首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封裝的中功率晶體管。這款BC69PA晶體管采用獨特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封裝,是恩智浦中功率晶體管家族中的首位小型晶體管成員。
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恩智浦 晶體管 BC69PA
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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晶體管 Airfast RF功率 飛思卡爾
- 過去,RF功率的性能完全取決于線性效率。如今,開發(fā)者遇到更加復雜的挑戰(zhàn):需要滿足多種標準、信號變化和嚴格的帶寬要求等。針對這一問題,飛思卡爾半導體推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast RF功率解決方案
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重新 定義 晶體管 性能 解決方案 功率 使用 新型 Airfast
- 中心議題: 開關電源中開關晶體管的損耗 開關電源中開關晶體管的電子輻照實驗 電子輻照雙極晶體管和鉗位型雙極晶體管的比較
功率雙極晶體管的損耗是開關電源總損耗中的最多的器件之一, 采用10M eV電子輻照
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晶體管 損耗 影響 雙極 功率 輻照 開關電源 電子
晶體管介紹
【簡介】
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管,是內部含有兩個P [
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