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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 晶體管

          Applied Materials公布適用于3nm與GAA晶體管制造的下一代工具

          • 上月,三星代工(Samsung Foundry)部門悄然宣布,其定于 2022 年 2 季度開始使用 3GAE 技術(shù)工藝來生產(chǎn)芯片。作為業(yè)內(nèi)首個(gè)采用 GAA 晶體管的 3nm 制程工藝,可知這一術(shù)語特指“3nm”、“環(huán)柵晶體管”、以及“早期”。不過想要高效地制造 GAA 晶體管,晶圓廠還必須裝備全新的生產(chǎn)工具。 而來自應(yīng)用材料(Applied Materials)公司的下一代工具,就將為包括三星在內(nèi)的晶圓廠提供 GAA 芯片的制造支持。(來自:Applied Materials 官網(wǎng) ,via
          • 關(guān)鍵字: 3nm  晶體管  

          應(yīng)用材料推出運(yùn)用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)

          • 半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料推出多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù),協(xié)助客戶運(yùn)用極紫外光(EUV)持續(xù)進(jìn)行2D微縮,并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極(Gate-All-Around,GAA)晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過兩個(gè)可相互搭配的途徑來增加未來幾年的晶體管密度。一種是依循傳統(tǒng)摩爾定律的2D微縮技術(shù),使用EUV微影系統(tǒng)與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化(DTCO)與3D技術(shù),巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來增加密度,而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò)與環(huán)繞閘極晶體管,隨著傳統(tǒng)2D微縮技
          • 關(guān)鍵字: 應(yīng)用材料  EUV  2D微縮  3D環(huán)繞閘極  晶體管  

          揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

          • GAA FET將取代FinFET,但過渡的過程將是困難且昂貴的。
          • 關(guān)鍵字: 3nm FinFET  GAA FET  晶體管  

          晶體管分類有哪些?收藏這一張圖就夠了!

          • 本文來自公眾號:8號線攻城獅,主要介紹了晶體管分類,并以NPN BJT為例,分析了晶體管的參數(shù)和特性。
          • 關(guān)鍵字: 晶體管  NPN  PNP  MOSFET  JFET  

          臺積電披露3nm工藝更多細(xì)節(jié)信息 晶體管密度是5nm工藝1.7倍

          • 據(jù)國外媒體報(bào)道,正如外媒此前所預(yù)期的一樣,芯片代工商臺積電在今日開始的全球技術(shù)論壇上,披露了下一代先進(jìn)工藝3nm的更多細(xì)節(jié)信息。2020年的臺積電全球技術(shù)論壇,是他們舉行的第二十六屆全球技術(shù)論壇,論壇上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先進(jìn)工藝方面的信息,但在5nm工藝已經(jīng)投產(chǎn)的情況下,外界最期待的還是5nm之后的下一個(gè)全新工藝節(jié)點(diǎn)3nm工藝。在今天的論壇上,臺積電也披露了3nm工藝的相關(guān)信息。他們的3nm工藝,仍將繼續(xù)使用鰭式場效應(yīng)(FinFET)晶體管,不會采用三星計(jì)劃在3nm工藝節(jié)點(diǎn)上使用的
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  3nm  5nm  晶體管  

          Intel 5年內(nèi)量產(chǎn)納米線/納米帶晶體管!搭檔3nm?

          • Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多,但是說起半導(dǎo)體前沿技術(shù)研究和儲備,Intel的實(shí)力仍是行業(yè)數(shù)一數(shù)二的。在近日的國際超大規(guī)模集成電路會議上,Intel首席技術(shù)官、Intel實(shí)驗(yàn)室總監(jiān)Mike Mayberry就暢談了未來的晶體管結(jié)構(gòu)研究,包括GAA環(huán)繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場效應(yīng)管納米片結(jié)構(gòu),乃至最終擺脫CMOS。FinFET立體晶體管是Intel 22nm、臺積電16nm、三星14nm工藝節(jié)點(diǎn)上引入的,仍在持續(xù)推進(jìn),而接下來最有希望的變革就是GAA環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu),重新設(shè)計(jì)晶體管底層
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  CPU處理器  晶體管  3nm  

          臺積電3nm細(xì)節(jié)公布:2.5億晶體管/mm2 能耗性能大提升

          • 近日,臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情,其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2!
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  晶體管  3nm  

          比官方宣傳還猛!臺積電5nm晶體管密度比7nm提高88%

          • 一般來說,官方宣傳數(shù)據(jù)都是最理想的狀態(tài),有時(shí)候還會摻雜一些水分,但是你見過實(shí)測比官方數(shù)字更漂亮的嗎?臺積電已在本月開始5nm工藝的試產(chǎn),第二季度內(nèi)投入規(guī)模量產(chǎn),蘋果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4等處理器都會使用它,而且消息稱初期產(chǎn)能已經(jīng)被客戶完全包圓,尤其是蘋果占了最大頭。臺積電尚未公布5nm工藝的具體指標(biāo),只知道會大規(guī)模集成EUV極紫外光刻技術(shù),不過在一篇論文中披露了一張晶體管結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。WikiChips經(jīng)過分析后估計(jì),臺積電5nm的柵極間距為48nm,金屬間距則是30nm,鰭片間距25
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  晶體管  5nm  

          全球進(jìn)入存量競爭 半導(dǎo)體行業(yè)迎來國產(chǎn)替代機(jī)遇期

          •   全球半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入存量競爭的時(shí)代,受益于5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢,中國半導(dǎo)體行業(yè)將繼續(xù)保持較高增速。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),2022年中國半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到12925億人民幣。在半導(dǎo)體第三次轉(zhuǎn)移的趨勢和國家的大力支持下,國產(chǎn)半導(dǎo)體公司將在未來10年迎來發(fā)展的黃金時(shí)期,值得投資者密切關(guān)注  國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司10月22日注冊成立,注冊資本2041.5億元,略超此前市場預(yù)期的2000億元。根據(jù)《關(guān)于征集浙江省數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)投資基金項(xiàng)目的通知》顯示,大基金二期主要聚焦集成電
          • 關(guān)鍵字: 晶體管  半導(dǎo)體  

          “馴服”鋰離子 創(chuàng)造一個(gè)“超長待機(jī)”的世界

          • 2019年,諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)?lì)C發(fā)給了研發(fā)鋰離子電池的科學(xué)家?! 『檬露嗄ィ娡鶜w。  三位科學(xué)家,他們“馴服”了鋰離子,為所有人創(chuàng)造了一個(gè)可重復(fù)充電“超長待機(jī)”的世界。時(shí)至今日,鋰離子電池這種輕巧、可充電且功能強(qiáng)大的發(fā)明,出現(xiàn)在每個(gè)人都熟悉不已的手機(jī)、筆記本電腦、電動(dòng)汽車等幾乎所有電子類產(chǎn)品中。它還可以存儲來自太陽能和風(fēng)能的巨大能量,從而使無化石燃料社會成為可能?! ∪巳硕紣垆囯x子電池  現(xiàn)在,于全球范圍內(nèi),你都能看到鋰離子電池正在為人類的日?;顒?dòng)提供動(dòng)力。其中最常見的方式就是為便攜式電子設(shè)備供電?! ∥覀?/li>
          • 關(guān)鍵字: 鋰電池  晶體管  電子  

          賽靈思發(fā)布世界最大FPGA芯片:350億晶體管

          • 賽靈思(Xilinx)今天宣布推出世界最大的FPGA芯片“Virtex UltraScale+ VU19P”,擁有多達(dá)350億個(gè)晶體管,密度在同類產(chǎn)品中也是最大的,相比上代Virtex UltraScale VU440增大了1.6倍,而功耗降低了60%。雖然具體面積沒有公布,和日前那個(gè)1.2萬億晶體管、46225平方毫米、AI計(jì)算專用的世界最大芯片不在一個(gè)數(shù)量級,但在FPGA的世界里,絕對是個(gè)超級龐然大物,從官方圖看已經(jīng)可以蓋住一個(gè)馬克杯的杯口。相比之下,AMD 64核心的二代霄龍為320億個(gè)晶體管,NV
          • 關(guān)鍵字: 芯片  晶體管  FPGA  賽靈思  

          關(guān)于羅姆受讓Panasonic公司半導(dǎo)體元器件業(yè)務(wù)

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(董事長藤原忠信、總部位于日本京都)近日決定從Panasonic公司(董事長津賀一宏、總部位于日本大阪府門真市,以下簡稱“Panasonic”)受讓半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.)經(jīng)營的二極管及部分晶體管業(yè)務(wù)。預(yù)計(jì)受讓時(shí)間為2019年10月,之后將由羅姆對Panasonic的客戶進(jìn)行相應(yīng)產(chǎn)品的銷售。1.業(yè)務(wù)受讓的背景和目標(biāo)羅姆將半導(dǎo)體元件業(yè)務(wù)定位為羅姆集團(tuán)的核心業(yè)務(wù),自20世紀(jì)60年代以來不斷地開展開發(fā)、生產(chǎn)與
          • 關(guān)鍵字: 羅姆,晶體管,二極管業(yè)務(wù)  

          德國開發(fā)單原子量子晶體管 計(jì)算機(jī)能耗或降低1萬倍

          •   德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了僅有一個(gè)原子組成的量子晶體管,而且能夠在室溫下運(yùn)行。這一研究開啟了計(jì)算能力和效率的新篇章??刂齐娮有盘杺鬏?shù)木w管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)。在逾半個(gè)世紀(jì)以來,晶體管尺寸和能耗的穩(wěn)步降低,一直是推動(dòng)計(jì)算能力增長的基本動(dòng)力。  新型晶體管依靠移動(dòng)一個(gè)銀原子開啟或關(guān)閉電路。材料科學(xué)新聞Nanowerk稱這種晶體管是世界上最小的晶體管。更重要的是,新型晶體管被描述為“量子開關(guān)”,這意味著它可以比目前的晶體管攜帶更復(fù)雜的信息。  德國研究團(tuán)隊(duì)最值得關(guān)注的聲明是,新型晶體管可以
          • 關(guān)鍵字: 晶體管  

          采用氮化鎵場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)的包絡(luò)跟蹤電源 支持20 MHz LTE帶寬

          • 本篇文章將進(jìn)一步闡述面向使用第四代移動(dòng)通信技術(shù)(4G)LTE頻帶的無線通信基站基礎(chǔ)設(shè)施并采用EPC8004高頻氮化鎵場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)的包絡(luò)跟蹤電源。包絡(luò)跟
          • 關(guān)鍵字: 晶體管  電源  

          要成為模擬電路的設(shè)計(jì)者 必須掌握以下四個(gè)組成部分

          • 模擬電路再怎么說,關(guān)鍵的是多學(xué)多做,做出片子就自然懂得哪些知識點(diǎn)需要掌握了。這里就主要談?wù)剬W(xué)習(xí)模擬電路要求的四個(gè)知識部分,要成為模擬電路的設(shè)
          • 關(guān)鍵字: 模擬電路  晶體管  
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          晶體管介紹

          【簡介】   晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。   半導(dǎo)體三極管,是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]
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