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          碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

          EPC瞄準氮化鎵功率器件市場興起機遇

          •   功率器件一直都是由材料引導技術革新,硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應用多年,現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術挑戰(zhàn),而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。   宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管的公司,他們希望借助技術優(yōu)勢快速推廣其技術和產(chǎn)品,并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT,搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。   增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管作為寬頻隙器件,其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
          • 關鍵字: MOSFET  EPC  eGaN  201406  

          首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門投產(chǎn)

          •   5月29日,國內(nèi)首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產(chǎn),并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品, 成為國內(nèi)首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。   據(jù)悉,碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導體材料。碳化硅半導體儀器大禁帶寬度、高臨界場強和高熱導率等優(yōu)良特性,成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。   瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹,6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
          • 關鍵字: 碳化硅  外延晶片  

          Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎?!  峨娮赢a(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎評選已經(jīng)舉行了11年,面向全球的電源供應商征集參選產(chǎn)品。五個門類的最佳產(chǎn)品獎和最佳應用獎的獲獎產(chǎn)品是通過在線投票,以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設備中顯著提高效率
          • 關鍵字: Vishay  MOSFET  電子產(chǎn)品世界  

          三菱電機攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014

          •   三菱電機今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為題,攜帶六款全新產(chǎn)品,于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相?! 〗衲暾钩龅漠a(chǎn)品范圍跨越六大領域,包括:工業(yè)應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動汽車應用以及碳化硅器件應用。  在新產(chǎn)品方面,這次展出的全新第7代IGBT模塊,適合應用在工業(yè)驅(qū)動和太陽能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
          • 關鍵字: 三菱電機  PCIM  碳化硅  

          美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領域的領導地位

          •   致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業(yè)應用,包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設備的解決方案?! ∶栏呱罁碛欣肧iC半導體市場增長的良好條件,據(jù)市場研究機構(gòu)Yole Développement預計,從201
          • 關鍵字: 美高森美  MOSFET  SiC  

          開關電源技術產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展狀況分析

          •   開關電源是利用現(xiàn)代電力電子技術,控制開關管開通和關斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術的發(fā)展和創(chuàng)新,使得開關電源技術也在不斷地創(chuàng)新。目前,開關電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應用幾乎所有的電子設備,是當今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。   根據(jù)中國電源學會收集整理的數(shù)據(jù),2008年全國開關電源(主要包含消費類開關電源、工業(yè)類開關電源、通信電源、PC電源,下同)產(chǎn)值達到855億元,2009年達931億元,
          • 關鍵字: 開關電源  MOSFET  

          一款基于AN8026的變頻器電源設計方案

          • 1.前言 變頻器在能源節(jié)約、電力環(huán)保方面意義重大,電動機驅(qū)動是電能消耗大戶,約消耗全國65%發(fā)電量,近三十多年來變頻調(diào)速已在鋼鐵、冶金、石油、化工、電力等工作中得到廣泛運用,其他家用電器例如變頻冰箱,變頻洗衣機、變頻微波爐等也已相繼出現(xiàn),因此設計可靠高性能的變頻器電源尤為重要。 變頻技術目前得到了廣泛的應用,而變頻器的可靠穩(wěn)定運行決定了變頻器性能指標,作為基礎硬件,變頻器電源的高效可靠運行至關重要。如圖1所示為變頻器的拓撲結(jié)構(gòu),主要由整流單元、預充電電路、制動單元和逆變單元組成,從圖中可知,變頻器電源
          • 關鍵字: AN8026  MOSFET  

          用于汽車啟停的低耗能電源設計的幾種方法

          • 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展,大多數(shù)人擁有自己的車,這也使得交通變得擁堵,而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源,不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能,但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術挑戰(zhàn),汽車啟停系統(tǒng)中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設計。 為了控制燃油消耗,許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能,而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關閉發(fā)動機,當腳從剎車踏板移動
          • 關鍵字: P-FET  MOSFET  

          IR擴充StrongIRFET系列

          •    國際整流器公司?(International?Rectifier,簡稱IR)?近日推出60V器件以擴充StrongIRFET?MOSFET系列,適合多種工業(yè)應用,包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源二次側(cè)同步整流等?! ∪?0V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應用性能的超低導通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管,以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
          • 關鍵字: IR  StrongIRFET  MOSFET  

          Allegro MicroSystems推出新型雙同步低降壓穩(wěn)壓器

          •   Allegro?MicroSystems,?LLC?公司宣布推出針對多輸出系統(tǒng)的新型雙轉(zhuǎn)換器。Allegro’經(jīng)?AEC-Q100?標準認證的?A8651?是雙?2?A?低?VIN?同步穩(wěn)壓器,帶可調(diào)頻率,整合了高端?P?通道?MOSFET?和低端?N?通道?MOSFET。A8651?整合電流模式控制,可
          • 關鍵字: Allegro  雙轉(zhuǎn)換器  MOSFET  

          工程師該如何選擇電源?

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
          • 關鍵字: 供電處理器  凌力爾特  MOSFET  均流控制器  二極管  

          基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相開關電源的方案

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
          • 關鍵字: MOSFET  TVS串聯(lián)  三相開關電源  ICE3AR2280JZ  

          同步正向 MOSFET 驅(qū)動器無需信號變壓器

          • ?? 凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出高效率副邊?MOSFET?驅(qū)動器?LT8311,該器件在隔離式同步正向轉(zhuǎn)換器中無需原邊控制就可工作。LT8311?采用獨特的預測模式,通過在副邊檢測信號以控制同步整流,無需信號變壓器實現(xiàn)原邊至副邊通信。這種模式減少了組件數(shù)量和解決方案尺寸?! T8311?在?3.7V?至?30V
          • 關鍵字: 凌力爾  MOSFET  LT8311  

          Vishay MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導通電阻記錄

          •   日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率,在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導通電阻,占位面積為2mm?x?2mm?! ?/li>
          • 關鍵字: Vishay  MOSFET  SiA936EDJ  

          德州儀器面向大電流電機控制及電源設計推出40V至100V NexFET? MOSFET

          •   德州儀器?(TI)?宣布推出?14?款采用?TO-220?及?SON?封裝的功率?MOSFET,其支持?40V?至?100V?輸入電壓,進一步壯大了?TI?普及型?NexFET?產(chǎn)品陣營。高效率?NexFET?包括?40V、60V、80V?以及?100V?N?通道器
          • 關鍵字: TI  TO-220  MOSFET  NexFET  
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          碳化硅 mosfet介紹

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