碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)
晶圓廠產(chǎn)能不足 MOSFET供貨警報響
- 臺晶圓代工廠產(chǎn)能供應失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅動IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急追單，MOSFET市場明顯供不應求現(xiàn)象，對臺系相關供應商如富鼎、尼克森及茂達2010年第1季營收表現(xiàn)，將有顯著貢獻。 臺系MOSFET供應商指出，近期合作的5寸、6寸晶圓廠內(nèi)部產(chǎn)能利用率直線拉升，影響所及，盡管公司緊急向晶圓廠加單，不過，由于加單動作明顯落后其它業(yè)者，未來3個月可
- 關鍵字： 晶圓代工 電源管理 MOSFET
Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導通電阻。 SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產(chǎn)品，使用了自對準工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)
- 關鍵字： Vishay MOSFET TrenchFET
IGBT核心技術及人才缺失 工藝技術缺乏
- 新型電力半導體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知，電力電子技術可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節(jié)省能源的王牌技術。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
- 關鍵字： 器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
能效需求催生功率器件應用熱潮
- 市場需求逐步恢復 ● 能效需求催生功率器件應用熱潮 ● 擴內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長空間 陳坤和 從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導體也不例外。我們認識到，困難時期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟刺激措施紛紛把提升能效列為重點內(nèi)容，許多企業(yè)開始關注功率產(chǎn)品。在中國，由于政府刺激消費電子市場，中國市場需求增長，推動功率管理和其他半導體產(chǎn)品的需求開始復蘇。從長期來看，功率半導體將與許多其他領域的半導體產(chǎn)品
- 關鍵字： 功率器件 MOSFET
Diodes推出為VoIP應用優(yōu)化的全新MOSFET
- Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復雜性和成本。 ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設計，能滿足各種VoIP應用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉換器對變壓器中初級開關位置的嚴格要求。這些應用涵蓋寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關。 兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電
- 關鍵字： Diodes MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
碳化硅(sic)mosfet電路
碳化硅(sic)mosfet相關帖子
碳化硅(sic)mosfet資料下載
碳化硅(sic)mosfet專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473