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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

羅姆即將舉辦2018第五屆“ ROHM技術研討會”

　　全球知名半導體制造商羅姆(ROHM)即將舉辦2018第五屆“ROHM技術研討會”，屆時將于2018年9月至2019年1月巡回蘇州、廈門、北京、惠州、合肥等全國5大城市，面向青年工程師分享先進的電源設計和應用技術。日前，首站——蘇州站(9月6日)的免費報名通道已開啟!　　一年一度的“ROHM技術研討會”由羅姆主辦，自2014年起至今已成功舉辦了四屆，活動足跡遍及全國各地，是羅姆與業(yè)界友人交流互動、分享經(jīng)驗的良好平臺。今年，根據(jù)各個城市不同的行業(yè)發(fā)展情況，羅姆將圍繞“電源”和“SiC(碳化硅)”主題帶來精
關鍵字：羅姆 SiC

開關電源設計：何時使用BJT而非MOSFET？

MOSFET已經(jīng)是是開關電源領域的絕對主力器件。但在一些實例中，與MOSFET相比，雙極性結式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
關鍵字：開關電源 BJT MOSFET

教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表

在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱
關鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù) 電感器連續(xù)電流

大功率電源MOSMOSFET問題的分析

本文主要介紹三極管原理最通俗的表達理解，希望對您的學習有所幫助。對三極管放大作用的理解，切記一點：能量不會無緣無故的產(chǎn)生，所以，三極管一定不
關鍵字： MOSFET 電源

大功率電源MOS工作溫度確定之計算功率耗散

在電子電路設計中，散熱設計是非常重要的一項指標。但在很多設計環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設計與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當中這種情況尤
關鍵字：大功率電 MOSFET 功率耗散

功率MOSFET在集成驅動電路中的設計應用簡析

功率MOSFET目前在一些大中型開關電源的驅動電路中得到了廣泛的應用，此前我們曾經(jīng)為大家總結了幾種MOSFET在驅動電路中的常見應用方式，在今天的文章中
關鍵字： MOSFET 驅動電路電源

干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅動電路設計分享

功率開關器件MOSFET在驅動電路中的應用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開關電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅動電路的設計不僅省時省力，還具有
關鍵字： MOSFET 驅動電路設計

同步整流降壓式DC-DC變換器應怎樣選擇MOSFET?

功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設計中都得到了廣泛的應用，而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說，怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán)，需要研
關鍵字： MOSFET 同步整流 DC-DC

6種IGBT中的MOS器件隔離驅動入門

由于不間斷電源的興起，IGBT技術得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應，因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格，需要負壓驅動進行輔助
關鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅動

MOSFET開關損耗分析

摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現(xiàn)的開關損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間
關鍵字： MOSFET 帶電插拔緩啟動開關損耗

基于大功率開關電源中功率MOSFET的驅動技術

1.MOSFET柵極驅動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關電源(switch-mode power supplies，S
關鍵字： MOSFET 筆記本電源降壓變換器

大國器重功率半導體小行業(yè)大機會

在傳統(tǒng)應用領域，功率半導體分立器件引領工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉變，實現(xiàn)家電工業(yè)轉型升級，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結構。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領域成為支撐功率半導體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
關鍵字：功率半導體 MOSFET

SiC元件2023年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達14億美元

　　市場研究單位Yole Développement(Yole)指出，碳化硅(SiC)電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具高度潛力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等廠商都大力投入。Yole預測到2023年SiC功率半導體市場規(guī)模預計將達14億美元，2016年至2023年間的復合成長率(CAGR)為28%，2020~2022年CAGR將進一步提升至40%?！　“▁EV、xEV充電基
關鍵字： SiC PFC

功率MOSFET關斷損耗計算攻略

本文介紹了MOSFET管關斷損耗的計算方式，供大家參考。
關鍵字： MOSFET 關斷損耗

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分―UIS/雪崩額定值

在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模
關鍵字： MOSFET 雪崩

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碳化硅(sic)mosfet介紹

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碳化硅(sic)mosfet電路

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碳化硅(sic)mosfet資料下載

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