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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

          美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案提升大功率系統(tǒng)性能

          • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 擴展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列,推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列,新型二極管產(chǎn)品瞄準包括太陽能逆變器的大功率工業(yè)應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: 美高森美  SiC  

          在ZVS拓撲中選擇最優(yōu)的死區(qū)時間

          • 摘要:通過本文的分析來優(yōu)化中壓和高壓功率MOSFET在各種隔離式轉(zhuǎn)換器拓撲使用時的死區(qū)時間,能夠幫助工程師發(fā)現(xiàn)各種器件技術(shù)的優(yōu)點,甚至使那些過時的設(shè)計方案也能達到更好的性能。
          • 關(guān)鍵字: ZVS  MOSFET  DC-DC  IBC  柵極  201311  

          功率半導(dǎo)體的革命:SiC與GaN的共舞(二)

          • GaN和SiC將區(qū)分使用  2015年,市場上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且,屆時GaN類功率元件 ...
          • 關(guān)鍵字: 功率  半導(dǎo)體  SiC  GaN  

          山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

          •   在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊,零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上,最近開始擴大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。   山東天岳先進材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2~4英寸(50mm~100mm)的SiC裸晶圓。該公司當(dāng)前的目標
          • 關(guān)鍵字: SiC  晶圓  

          麥瑞推出85V半橋MOSFET驅(qū)動器

          • 2013年10月07日,高性能線性和電源解決方案、局域網(wǎng)以及時鐘管理和通信解決方案領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者麥瑞半導(dǎo)體公司(納斯達克股票代碼:MCRL)推出了85V半橋MOSFET驅(qū)動器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負載二極管和業(yè)內(nèi)最寬廣的可編程柵極驅(qū)動電壓范圍(5.5V至16V)等特點。
          • 關(guān)鍵字: 麥瑞  MOSFET  MIC4604  

          功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計與應(yīng)用

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 功率穩(wěn)壓逆變電源  MOSFET  TL494  電壓型電流源  

          通過集成式解決方案進一步簡化PFC電路的設(shè)計

          • 開關(guān)電源因具有良好的輸入電壓調(diào)整率和負載調(diào)整率、高轉(zhuǎn)換效率以及體積小巧等優(yōu)勢,如今幾乎為所有電子系統(tǒng)采用。在最高至500 W的功率范圍內(nèi),開關(guān)電源包括大批量不同功率的應(yīng)用,例如LED/LCD電視機、LED照明、PC以及其他IT設(shè)備。
          • 關(guān)鍵字: PFC  LED  HiperPFS  MOSFET  CCM  

          創(chuàng)新的MOSFET封裝大大簡化電源的設(shè)計

          • 目前,電源工程師面臨的一個主要難題是,隨著商用電子產(chǎn)品的功能日益增多,其尺寸不斷縮小,留給電源電路的空間...
          • 關(guān)鍵字: 電源設(shè)計  MOSFET  

          飛兆增添功率鏈分立式器件功率損耗和效率分析工具

          • 飛兆半導(dǎo)體公司(紐約證券交易所代號: FCS),全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設(shè)計和模擬工具,可在一分鐘內(nèi)提供完整的設(shè)計–進一步強化,引入傳動系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
          • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  IGBT  整流器  

          以較高的開關(guān)頻率在負載點 (POL) 應(yīng)用中工作

          • 摘要: Power Clip 33 封裝十分新穎,旨在增加同步整流 (SR) 降壓應(yīng)用中的功率密度,同時使用與傳統(tǒng)分立式 Power 56 封裝相比明顯較小的 PCB 面積。 本文詳細分析飛兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何實現(xiàn)這一性能的。
          • 關(guān)鍵字: 飛兆  Power  POL  MOSFET  晶圓  

          影響MOSFET性能的一些因素

          • 在追求不斷提高能效的過程中,MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進。盡管四十多年來我們對這種器件有了很多了...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          IR推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列

          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列,適用于先進的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  DC-DC  FastIRFET  

          PV逆變器應(yīng)用升溫,推動SiC功率元件發(fā)展

          • 碳化硅(SiC)功率元件正快速在太陽能(PV)逆變器應(yīng)用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳...
          • 關(guān)鍵字: PV  逆變器  SiC  功率元件  

          從原理到具體電路,深入剖析MOSFET的工作方式

          • 1.概述MOSFET的原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(FieldEffectTransistor場...
          • 關(guān)鍵字: 場效應(yīng)管  MOSFET  

          分立器件 一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

          • 在電源設(shè)計小貼士#42中,我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器,并且了解到利用小型SOT-23...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動器  
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          碳化硅(sic)mosfet介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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