碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

泰克推出基于示波器的雙脈沖測(cè)試解決方案，加快SiC和GaN技術(shù)驗(yàn)證速度

中國(guó)北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測(cè)試測(cè)量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測(cè)試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開(kāi)關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs）提供自動(dòng)可重復(fù)的、高精度測(cè)量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設(shè)計(jì)。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運(yùn)行，并能夠無(wú)縫集成到示波器測(cè)量系統(tǒng)
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投身車電領(lǐng)域的入門課：IGBT和SiC功率模塊

2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對(duì)電動(dòng)汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對(duì)電動(dòng)汽車的需求上升，再加上全球各國(guó)政府紛紛采取激勵(lì)措施，電動(dòng)汽車充電站的需求量開(kāi)始增加。在過(guò)去的三年里，電動(dòng)車領(lǐng)導(dǎo)品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長(zhǎng)的趨勢(shì)。低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展，將推動(dòng)整個(gè)亞太地區(qū)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步擴(kuò)張。同時(shí)，不斷加碼的政府激勵(lì)措施和持續(xù)擴(kuò)張的高性能車市場(chǎng)也推動(dòng)著北美和歐洲地區(qū)電動(dòng)汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)。因此，根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計(jì)，全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)規(guī)模將從 2
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中國(guó)電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過(guò)技術(shù)鑒定

近日，中國(guó)電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應(yīng)用”成功通過(guò)技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì)認(rèn)為，該項(xiàng)目技術(shù)難度大，創(chuàng)新性顯著，總體技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。該項(xiàng)目聚焦新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芨呖煽刻蓟鐼OSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求，突破多項(xiàng)關(guān)鍵工藝技術(shù)，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺(tái)，國(guó)內(nèi)率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實(shí)現(xiàn)新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
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采用增強(qiáng)互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計(jì)高能效焊機(jī)

“引言”近年來(lái)，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過(guò)改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。?逆變焊機(jī)通常是通過(guò)功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機(jī)的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機(jī)行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強(qiáng)便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢(shì)一直是促進(jìn)持續(xù)發(fā)展的推動(dòng)力。譬如，多
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碳化硅擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進(jìn)

近期，一眾國(guó)內(nèi)廠商擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購(gòu)了美國(guó)半導(dǎo)體代工廠TSI以在2030年底之前擴(kuò)大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團(tuán)宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運(yùn)行，將正式量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍。除此之外，據(jù)外媒報(bào)道，日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩和德國(guó)晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的計(jì)劃。其中，瑞薩電子將于2025年開(kāi)始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC）來(lái)降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。報(bào)道指出，按照計(jì)劃，瑞薩電子擬在目
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英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

近兩年新能源汽車和光伏儲(chǔ)能市場(chǎng)的火熱，讓半導(dǎo)體供應(yīng)上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應(yīng)更加緊俏。最近幾年用戶對(duì)SiC的使用更有經(jīng)驗(yàn)，逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點(diǎn)，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個(gè)市場(chǎng)的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴(yán)重的材料。面對(duì)這種問(wèn)題，作為功率半導(dǎo)體的領(lǐng)頭羊英飛凌又有哪些舉措呢？一方面，英飛凌與多家晶圓廠簽訂長(zhǎng)期供貨協(xié)議推動(dòng)其碳化硅（SiC）供應(yīng)商體系多元化，保
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目標(biāo) 2027 年占領(lǐng) 40% 的汽車 SiC 芯片市場(chǎng)，安森美半導(dǎo)體投資 20 億美元擴(kuò)建工廠

IT之家 5 月 18 日消息，安森美半導(dǎo)體表示將投資 20 億美元，用于擴(kuò)展現(xiàn)有工廠，目標(biāo)在全球汽車碳化硅（SiC）芯片市場(chǎng)中，占據(jù) 40% 的份額。安森美半導(dǎo)體目前在安森美半導(dǎo)體美國(guó)、捷克共和國(guó)和韓國(guó)都設(shè)有工廠，其中韓國(guó)工廠已經(jīng)在生產(chǎn) SiC 芯片了。報(bào)道中并未提及安森美半導(dǎo)體具體會(huì)擴(kuò)建哪家工廠，安森美半導(dǎo)體計(jì)劃構(gòu)建完整產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導(dǎo)體預(yù)估到 2027 年占領(lǐng)全球碳化硅汽車芯片市場(chǎng) 40% 的份額。專家還表示到 2027 年，安森美半導(dǎo)體的銷售
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2023年，SiC襯底出貨量將勁增22%

2023 年 SiC 襯底市場(chǎng)將持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。
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碳化硅功率器件的應(yīng)用機(jī)會(huì)及未來(lái)

碳化硅功率器件的未來(lái)趨勢(shì)是朝著尺寸縮小的方向發(fā)展。
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賓夕法尼亞州立大學(xué)與安森美簽署碳化硅諒解備忘錄

2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學(xué)與智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開(kāi)展一項(xiàng)總額達(dá) 800 萬(wàn)美元的戰(zhàn)略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學(xué)材料研究所 (MRI) 開(kāi)設(shè)安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來(lái) 10 年，安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬(wàn)美元的資金。?安森美和賓夕法尼亞州立大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)?wèi)c祝簽署諒解備忘錄 (MOU)，開(kāi)展總額達(dá) 800 萬(wàn)美元的戰(zhàn)略合作，其中包
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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

2023 年 5月 16 日，中國(guó) —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢(shì)。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢(shì)包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償、電源正常指示，以及過(guò)流保護(hù)、熱關(guān)斷等保護(hù)功能。擴(kuò)
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體隔離式降壓轉(zhuǎn)換器功率轉(zhuǎn)換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)

相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能？

隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。由于 EV 的電機(jī)需要高千瓦時(shí)電源來(lái)驅(qū)動(dòng)，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級(jí)的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場(chǎng)已經(jīng)在推動(dòng)向更高電壓電池的轉(zhuǎn)變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槭褂酶叩碾妷阂馕吨到y(tǒng)可以在更低的電流下運(yùn)行，同時(shí)實(shí)現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點(diǎn)是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)都會(huì)非常關(guān)注導(dǎo)通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而，工程師們必須在主要性能指標(biāo)（如電阻和開(kāi)關(guān)損耗），與實(shí)際應(yīng)用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當(dāng)?shù)钠胶?。?yōu)秀的器件應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便在不對(duì)工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應(yīng)各種工況的需要。然而，關(guān)鍵的性能指標(biāo)仍然是盡可能低的比電阻，并結(jié)合其他重要的參數(shù)。圖1顯示了我們認(rèn)為必不可少的幾個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，或許還
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基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線

4月24日，基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線通線儀式在深圳市光明區(qū)舉行。此次車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線的成功通線，是基本半導(dǎo)體打造國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件IDM領(lǐng)先企業(yè)的一大重要戰(zhàn)略布局。據(jù)官微介紹，基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線項(xiàng)目獲得國(guó)家工信部的產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)支持，并連續(xù)兩年入選深圳市年度重大項(xiàng)目，廠區(qū)面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專業(yè)設(shè)備，主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬(wàn)輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求。項(xiàng)目通過(guò)打造垂直整合制造模式，加快設(shè)計(jì)、制造共同迭代
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí) 碳化硅

德國(guó)博世收購(gòu)美國(guó)TSI，全球半導(dǎo)體領(lǐng)域再添并購(gòu)案

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，德國(guó)博世集團(tuán)于本周三表示，將收購(gòu)美國(guó)芯片制造商TSI半導(dǎo)體公司的資產(chǎn)，以擴(kuò)大其碳化硅芯片（SiC）的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。目前，博世和TSI公司已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，但并未透露此次收購(gòu)的具體細(xì)節(jié)，且這項(xiàng)收購(gòu)還需要得到監(jiān)管部門的批準(zhǔn)。資料顯示，TSI是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，主要開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動(dòng)、電信、能源和生命科學(xué)等行業(yè)的應(yīng)用。而博世在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)時(shí)間已超過(guò)60年，在全球范圍內(nèi)投資了數(shù)十億歐元，特別是在德國(guó)羅伊特林根和德累斯頓的水廠。博世認(rèn)為，此次收購(gòu)
關(guān)鍵字：博世 TSI 半導(dǎo)體 SiC