碳化硅（sic） 文章 進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)
第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
- 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤１疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。SiC的雜質(zhì)原子擴(kuò)散系數(shù)非常小，因此無法利用熱擴(kuò)散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)（形成pn結(jié)）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù)：在SiC中進(jìn)行離子注入時，對于n型區(qū)域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區(qū)域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩(wěn)定地進(jìn)行高濃度的Al離子注入，需
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基本半導(dǎo)體完成股份改制，正式更名
- 為適應(yīng)公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，經(jīng)深圳市市場監(jiān)督管理局核準(zhǔn)，深圳基本半導(dǎo)體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續(xù)，公司名稱正式變更為“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導(dǎo)體發(fā)展的重要里程碑，標(biāo)志著公司治理結(jié)構(gòu)、經(jīng)營機(jī)制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發(fā)展階段。從即日起，公司所有業(yè)務(wù)經(jīng)營活動將統(tǒng)一采用新名稱“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。公司注冊地址變更至青銅劍科技集團(tuán)總部大樓，詳細(xì)地址為：深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值览峡由鐓^(qū)光科一路6號青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能
- 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動裝置的可靠性。新驅(qū)動器還適合電源和能源應(yīng)用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
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東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。當(dāng)?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導(dǎo)操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因?qū)娮柙黾佣档汀|芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態(tài)抑制解決方案，專為保護(hù)碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關(guān)速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩(wěn)健柵極保護(hù)的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案，在簡化設(shè)計(jì)的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
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碳化硅6吋基板供過于求 價格崩盤
- 碳化硅（SiC）6吋基板新產(chǎn)能大量開出，嚴(yán)重供過于求，報價幾乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（約中國大陸制造成本價），第四季價格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。產(chǎn)業(yè)人士指出，價格崩盤已讓絕大多數(shù)業(yè)者陷入賠錢銷售，而買家不敢輕易出手撿便宜，因?yàn)橘I方預(yù)期SiC價格還會再下降。而明日之星的8吋SiC基板，雖未到真正量產(chǎn)，但2024年報價已快速下滑，尤其是中國大陸價格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。業(yè)者分析，8吋SiC基板并沒有標(biāo)準(zhǔn)價格，供應(yīng)鏈端仍屬于試產(chǎn)階段，供給
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聚焦碳化硅項(xiàng)目，鉅芯半導(dǎo)體等三方達(dá)成合作
- 據(jù)“融中心”消息，大連市中韓經(jīng)濟(jì)文化交流協(xié)會、韓中文化協(xié)會及安徽鉅芯半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：鉅芯半導(dǎo)體）在安徽省池州市舉行了一場簽約儀式。此次簽約標(biāo)志著三方在碳化硅領(lǐng)域的合作正式開始。據(jù)悉，三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調(diào)關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開，將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。據(jù)了解，今年以來，部分韓國半導(dǎo)體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè)，并不斷取得新進(jìn)展。據(jù)韓媒ETnews報道，今年3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2
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進(jìn)擊的中國碳化硅
- 中國碳化硅廠商把價格打下來了。
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全球有多少個8英寸碳化硅晶圓廠？
- 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
- 關(guān)鍵字： SiC
高功率SiC模塊助力實(shí)現(xiàn)可持續(xù)軌道交通
- 國際能源署（IEA）今年發(fā)布的報告稱，2023年全球與能源相關(guān)的二氧化碳排放量達(dá)到374億噸，較2022年增加4.1億噸，再創(chuàng)新的記錄。其中，交通運(yùn)輸排放增長最為顯著，激增近2.4億噸，位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一，對于由可再生能源發(fā)電驅(qū)動的電氣化列車，這一比率則更低。因此，擴(kuò)建軌道交通基礎(chǔ)設(shè)施及電氣化改造是減少CO2排放和實(shí)現(xiàn)氣候目標(biāo)的關(guān)鍵。與電動汽車不同的是，電力機(jī)車已被廣泛使用了一百多年。然而，全球范圍內(nèi)的軌道交通電氣化轉(zhuǎn)型仍然方興未艾，不同國家和地區(qū)的軌道交通電氣化率存在
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利用SiC模塊進(jìn)行電動壓縮機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 壓縮機(jī)是汽車空調(diào)的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實(shí)現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機(jī)為動力，通過皮帶帶動壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動。而新能源汽車脫離了發(fā)動機(jī)，以電池為動力，通過逆變電路驅(qū)動無刷直流電機(jī)，從而帶動壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動，實(shí)現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。電動壓縮機(jī)是電動汽車熱管理的核心部件，除了可以提高車廂內(nèi)的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅(qū)動系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關(guān)重要。圖1.電動壓縮機(jī)是電動汽車熱管理的核心部件電動壓縮機(jī)需
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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世！為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制
- 意法半導(dǎo)體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導(dǎo)體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
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劍指8英寸碳化硅！兩大廠官宣合作
- 9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網(wǎng)宣布，其與Soitec簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，雙方將共同開發(fā)用于功率半導(dǎo)體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術(shù)加速碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型據(jù)悉，Soitec擁有一種獨(dú)有的SmartSiC?技術(shù)，該技術(shù)通過處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個高質(zhì)量的碳化硅晶圓，由此顯著提
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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬，有
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