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	第九代 v-nand
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          第九代 v-nand 文章
                  進入第九代 v-nand技術社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          各家爭鳴存儲器技術標準 儲存技術之爭再掀戰(zhàn)火
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上，可見各主要NAND Flash供應商持續(xù)推出更新式存儲器芯片以期能主導競爭優(yōu)勢，幾乎各主要供應商也都在談論簡化Flash儲存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性，以減少應用在資料中心時出現(xiàn)的延遲問題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標準，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關技術資訊或發(fā)展趨勢。
　　根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報導，在本屆大會上，三星電子(Samsung Electr
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          • 關鍵字：
                        存儲器  NAND                          
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          3D NAND究竟出了什么問題？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
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          • 關鍵字：
                        3D NAND  存儲器                          
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          具有劃時代意義的芯片匯總，賽靈思FPGA和東芝NAND閃存在列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　對大多數(shù)人來說，微芯片是一些長著小小的金屬針，標著看似隨機的字母或數(shù)字的字符串的黑盒子。但是對那些懂的人來說，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產(chǎn)品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對整個計算環(huán)境造成了長期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事?！　榱思o念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
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          • 關鍵字：
                        FPGA  NAND                          
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          1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。
　　三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。
　　三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
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          • 關鍵字：
                        V-NAND  NVMe                          
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          三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達1Tb
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。
　　在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產(chǎn)品。
　　三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。
　　如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。
　　其
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          • 關鍵字：
                        三星  V-NAND                          
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          東芝傳計劃砸1兆日元建新廠、增產(chǎn)3D NAND
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日刊工業(yè)新聞7日報導 ，為了提高3D架構的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產(chǎn)腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產(chǎn)投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規(guī)模。 東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。
　　該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導體事業(yè)子公司「東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責
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          • 關鍵字：
                        東芝  NAND                          
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          存儲器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別?！　RAM：靜態(tài)隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態(tài)隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                           
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          半導體人才流失中國，三星呼吁韓國政府幫忙
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)韓國英文媒體 《The Korea Times》 的報導，三星副總裁權五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國政府喊話，要韓國政府給予半導體產(chǎn)業(yè)更多的支持，以解決人才荒的問題。
　　報導中指出，目前是三星副總裁，也是領導三星顯示器部門的權五鉉，日前在一項公開演講中指出，韓國的半導體產(chǎn)業(yè)自認為有其競爭的實力。 不過，卻面臨當當前半導體人才不足的問題。 權五鉉進一步指出，半導體產(chǎn)業(yè)是第 4 次工業(yè)革命的重要基礎，因此希望韓國政府能藉由科技培訓的管道，持續(xù)為半導體與設備產(chǎn)業(yè)供應需要的人才。

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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                           
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          解讀：上半年中國固態(tài)硬盤市場發(fā)展現(xiàn)狀
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　受NAND Flash供貨緊張影響，以及數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、移動設備等領域SSD強勁需求，2017年上半年NAND Flash價格持續(xù)走高。根據(jù)ZDC統(tǒng)計，NAND Flash價格累計漲幅達26%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金。
　　

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　　2017年上半年，中國市場智能手機、平板電腦等移動設備需求出現(xiàn)下滑，再加上NAND Flash的價格持續(xù)走高，高價壓力下的SSD市場呈現(xiàn)一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來，固態(tài)硬盤的關注度有所回升。
　　

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          • 關鍵字：
                        固態(tài)硬盤  NAND                           
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          ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。
　　
不過因為原廠紛紛提出擴產(chǎn)計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當高。
 
　　近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          NAND閃存供應短缺，三星斥資186億美元投資芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 　　韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機領域的領先地位。
　　作為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。
　　近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來推動NAND閃存的
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          • 關鍵字：
                        NAND  三星                          
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          ICinsights:DRAM、NAND漲勢第四季微幅逆轉(zhuǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　ICinsights認為，全球內(nèi)存下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。
　　盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營收預料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價今年預估年漲幅高達63%，此為1993年有記錄以來之最。
　　內(nèi)存價格從去年第三季起漲，ICinsights預期動能可能持續(xù)至2017年第三季，第四季可能微幅轉(zhuǎn)負，為這波正向循環(huán)劃下休止符。
　　ICinsights指出，隨著價格走揚，內(nèi)存制造商也再次增加資本投
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          KBS：聚焦韓國半導體產(chǎn)業(yè)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　韓國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風生水起。世界上最大的內(nèi)存芯片供應商三星電子公司宣布，其在韓國平澤的新建半導體生產(chǎn)線已經(jīng)開始量產(chǎn)。NAND閃存技術開發(fā)商SK海力士公司已經(jīng)加入了一個同盟，將投標收購日本東芝的內(nèi)存部門。今天，我們邀請到了韓國真好經(jīng)濟研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國半導體產(chǎn)業(yè)的未來。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產(chǎn)的半導體工廠的意義。
　　根據(jù)IT市場研究公司的數(shù)據(jù)，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場上的份額為35.4%。 這個數(shù)字具有絕對優(yōu)勢，但平澤半導體廠
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          • 關鍵字：
                        半導體  NAND                          
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          NOR Flash行業(yè)趨勢解讀：供不應求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃
          
                                                            
            
                    	
          • 　　這個時間點我們討論NorFlash行業(yè)趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布，而相關公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關標的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等)，同時我們調(diào)高AMOLED與TDDINor的需求拉動預期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究;
　　汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉(zhuǎn)TDDI+AMOLED新需求錦上添花
　　1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉(zhuǎn)
　　從各方面驗證，2016年是NOR的拐點
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          三星電子全球最大規(guī)模半導體生產(chǎn)線投產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)韓聯(lián)社報道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達20萬片，并計劃持續(xù)擴充生產(chǎn)設備，解決近年來全球半導體市場上供不應求的局面。
　　據(jù)了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設，日均投入1.2萬名施工人員，耗時兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。
　　三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導體生產(chǎn)線投入6
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          • 關鍵字：
                        三星  V-NAND                          
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          第九代 v-nand介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條第九代 v-nand!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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