DDR（雙數據速率）DRAM應用于工作站和服務器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓，并需要等于電源電壓一半的基準電壓（VREF＝VDD/2）。此外，各邏輯輸出端都接一只電阻器，等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時，必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓，并可輸出高達6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5～28V下工作。
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電源電路 DDR DRAM 存儲器
來自市場研究機構DRAMeXchange的最新數據，6月份全球DRAM出貨量(折合為256M比特DRAM內存)增長了4%，達到了5.54億件，其中DDR內存的比例從5月份的63%下滑到了61%，DDR2的比例為30%。 DRAMeXchange預測，隨著DDR內存出貨量的削減，其供應緊缺狀況貫穿整個第三季度，而DDR2內存市場，就出貨量而言，Powerchip半導體公司和ProMOS 科技公司在我國臺灣廠商中處于領先地位。該研究機構還預測
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DRAM 存儲器
國際DRAM廠供應貨源不足因應旺季需求 OEM廠轉向臺廠尋求產能支應。由于OEM計算機大廠擔心進入下半年產業(yè)旺季后，目前庫存貨源可能不敷使用，近期紛紛開始增加對DRAM廠下單，惟國際DRAM廠已陸續(xù)轉移產能生產標準型DRAM顆粒以外的產品，因此供貨情況未能滿足國際OEM計算機廠需求，為此，OEM計算機廠也轉向臺灣DRAM廠尋求產能支應，且以過去主力供應現(xiàn)貨市場的DRAM廠為主，據傳訂單數量相當驚人。 TRI觀點：以產業(yè)鏈各廠商的動態(tài)來觀察DRAM產業(yè)目前上下游市況如下：
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DRAM 存儲器
DRAM廠商第2季財報恐多出現(xiàn)赤字，早盤股價紛紛拉回修正，盤中力晶、南科、茂德跌幅均超過1%以上，茂硅一度跌停。 據港臺媒體報道，DRAM 價格第 2 季處于低檔，在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)會計盈轉虧，稅后虧損 1.28 億美元、每股虧損 0.2&nbs
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DRAM 存儲器
進入第二季底，多數DRAM廠原本為應對季底作帳而壓低DRAM報價，不過，由于日前合約價公布后竟逆勢上漲1～3%，讓所有DRAM廠吃下定心丸，不再擔心DRAM現(xiàn)貨價恐將因DRAM廠拋貨而產生跌價壓力。DRAM渠道商指出，現(xiàn)在DRAM廠態(tài)度可說是相當強硬，客戶端若無法接受其報出價位，寧可不賣也不愿壓低報價。 全球DRAM最新合約價公布后，盡管無法達到DRAM廠原本希望上調到3～5%的幅度，但部份OEM電腦大廠已接受DRAM廠上調1～3%的事實，而DRAM廠之所以能順勢漲價，最重要因素在于目
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DRAM 其他IC 制程
5月26日消息，近幾個月以來，全球DRAM大廠為配合英特爾（Intel）及國際計算機大廠全力推動DDRII成為下一世代的計算機主流架構，紛紛加速將產能轉換至DDRII，因而造成DDR產出量迅速下滑。也由于計算機大廠對于DDRII做出“過于樂觀”的錯誤判斷，反而需回頭向中國臺灣DRAM廠采買更多的DDR顆粒以因應市場需求。 DRAM廠指出，過去幾個月以來，戴爾（Dell）、惠普（HP）等個人計算機（PC）大廠，對于推升DDRII成為市場主流的態(tài)度越來越積
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DRAM 存儲器
近來臺灣DRAM晶圓廠人事異動頻繁，包括華邦電（2344）原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國，以及力晶（5346）原創(chuàng)始元老曾邦助，都相繼轉換跑道，為其他DRAM業(yè)者效力，加上華邦電近半年來亦出現(xiàn)研發(fā)人員流動率偏高情況，DRAM業(yè)界多認為，盡管人員流動不至于影響DRAM廠既有運作，但仍凸顯出DRAM產業(yè)高度不確定及不穩(wěn)定特性。 華邦電發(fā)言人溫萬壽19日表示，王其國原任華邦電BG2（Business Group 2）事業(yè)群總經
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DRAM 其他IC 制程
根據彭博資訊(Bloomberg)，證券業(yè)者花旗集團旗下半導體分析師，宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評等調高，理由是認為DRAM價格下跌的狀態(tài)將開始減緩。 據了解，花旗將Infineon和南亞科技的評等由“持有”調高至“買進”，Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調高至“持有”，韓國三星電子評等維持不變在“持有”。分析師指出，價格可能在下個月或其后一個約觸底，而全球
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DRAM 存儲器
2005年3月A版 盡管2005年世界半導體業(yè)的銷售值勢比上年大幅下降，但銷量將繼續(xù)快速增長。為迎接這一需求，2005年300mm晶圓片生產線將加速建設。據iSuppli公司預測，當年將共建成16條生產線，比2003和2004年所建線加在一起還多。 2005年建設高潮是經歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線，其回報在2001年經濟衰退中受到嚴重打擊，可執(zhí)著堅持的公司卻在2004年半導體市場再創(chuàng)新高時獲得豐厚回報。
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英飛凌科技公司在2004年IEEE（電子和電氣工程師學會 2004年12月13～15日于美國舊金山舉行）國際電子器件會議（IEDM）上，展示了該公司具有高生產性的、適合未來DRAM產品的70 nm工藝技術，此技術以在300 mm晶圓上的深溝（DT）單元為基礎。目前全球25％的DRAM生產都是以溝槽技術為基礎的。在其報告中，英飛凌闡述了全部集成計劃和主要技術特征――包括首次在基于溝槽技術的DRAM生產流程中使用高介電常數物質。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術突破，顯示了溝槽技術的可伸縮性。
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DRAM 存儲器
iSuppli最新發(fā)布的報告指出，今年上半年全球DRAM市場規(guī)模比去年同期增長66%，中國市場增長88%，其次為亞太地區(qū)(不含中國)的81%。日本經濟情況改善，其DRAM銷售增 長70%。美國僅僅增長48%，遠不及全球的66%。 在主要供貨商方面，Hynix、Elpida Memory與大部份臺灣地區(qū)供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長；而三星、美光與英飛凌的市場份額則在下降。中國是全球增長最迅速的DRAM市場，Hynix是該地區(qū)的領導廠商，市場占有率高達42%，去年同期為40%。
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DRAM 存儲器
企業(yè)網路設備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示，日內發(fā)表其獲獎產品Dragon入侵偵測系統(tǒng)（Intrusion Detection System；IDS）的最新版本。Dragon 5在其基礎架構中加入更好的延展性、可用性與彈性，以強化企業(yè)網路的安全
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IDS 凱創(chuàng) DDR2 DRAM
1993年，第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功。
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華晶 DRAM
1985年，第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功。
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芯片 DRAM
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