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          關(guān)于數(shù)Gpbs高速存儲器接口設(shè)計的分析

          虧損將導(dǎo)致廠商控制三季度DRAM內(nèi)存供貨量

          •   7月6消息,據(jù)臺灣地區(qū)DRAM內(nèi)存廠商稱,由于全球大多數(shù)DRAM內(nèi)存廠商推遲建設(shè)新的工廠或者推遲實施其它擴大生產(chǎn)能力的計劃,今年第三季度全球DRAM內(nèi)存行業(yè)出貨量的增長率將受到限制。   DRAM內(nèi)存價格下降引起的虧損使許多DRAM內(nèi)存廠商暫停建設(shè)新的12英寸晶圓工廠,同時減少新的晶圓產(chǎn)量。臺灣地區(qū)的主要DRAM內(nèi)存廠商包括南亞科技、力晶半導(dǎo)體、茂德科技和華亞科技。這些公司在2008年都要把內(nèi)存出貨量的增長率控制在50%至60%。據(jù)介紹,華亞科技2007年內(nèi)存出貨量的增長率是112%。力晶半導(dǎo)體20
          • 關(guān)鍵字: DRAM  內(nèi)存  晶圓  

          Spansion開發(fā)Spansion EcoRAM全新存儲產(chǎn)品

          •   Spansion宣布開發(fā)稱作Spansion EcoRAM的全新存儲產(chǎn)品計劃,旨在通過取代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中極其耗能的DRAM,來解決日益加劇的互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心能耗危機。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術(shù),Spansion EcoRAM有助于使互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的能耗大幅下降75%,而且在同樣的能耗條件下,存儲容量為傳統(tǒng)純DRAM型服務(wù)器的四倍。 數(shù)據(jù)中心能源危機   能效專家及斯坦福大學(xué)顧問教授Jonathan Koomey博士最近的報告指出,數(shù)據(jù)中
          • 關(guān)鍵字: 存儲  Spansion  數(shù)據(jù)中心  DRAM  

          Spansion助力互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器降低能耗達(dá)75%

          •   全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天宣布開發(fā)稱作Spansion® EcoRAM™的全新存儲產(chǎn)品計劃,旨在通過取代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中極其耗能的DRAM,來解決日益加劇的互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心能耗危機。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術(shù),Spansion EcoRAM有助于使互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的能耗大幅下降75%,而且在同樣的能耗條件下,存儲容量為傳統(tǒng)純DRAM型服務(wù)器的四倍。   數(shù)據(jù)中心能源危機
          • 關(guān)鍵字: Spansion  閃存  中心服務(wù)器  能耗  EcoRAM  DRAM  

          三星8000萬顆瑕疵DRAM被退回 可能流向市場

          •   6月20日消息,據(jù)中國臺灣媒體報道,繼Hynix 66納米DRAM制造工藝出現(xiàn)問題后,三星的68納米DRAM日前也曝出問題,導(dǎo)致8000萬顆1GB DDR2被客戶退回。   今年4月,因Hynix 66納米工藝良率不高,導(dǎo)致大批1GB DDR2晶圓報廢。日前,三星也曝出同樣的問題。有消息稱,三星有8000萬顆瑕疵1GB DDR2被OEM廠商退回。   對此,下游客戶表示出了一絲擔(dān)心,三星將如何處理這批瑕疵產(chǎn)品呢?如果以較低價格傾銷到現(xiàn)貨市場,那勢必將對該市場價格產(chǎn)生劇烈影響。目前,三星并未給出具體
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  晶圓  

          半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進入“無利潤繁榮”時代?

          •   半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進入了“無利潤繁榮”時代?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否無法再獲得足夠的投資回報率來滿足空前高漲的產(chǎn)能需求?在美國加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略座談會”(SEMIIndustryStrategySymposium)上,LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對產(chǎn)業(yè)的狀態(tài)發(fā)表了觀點,并指出目前復(fù)雜的財務(wù)狀況用“無利潤繁榮”來描述是再合適不過的了。Newberry的講話被與會者評價為此次座談
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  NOR  

          2008年全球半導(dǎo)體市場將出現(xiàn)從緊態(tài)勢

          •   市場調(diào)研機構(gòu)Gartner公司最近發(fā)布報告,稱由于受到美國經(jīng)濟低迷和DRAM芯片市場拖累,預(yù)計2008年全球半導(dǎo)體廠商支出將下降19.8%,達(dá)475億美元。   Gartner公司負(fù)責(zé)半導(dǎo)體制造業(yè)務(wù)調(diào)查的副總裁Klaus Rinnen表示,“原來所預(yù)測的DRAM芯片的投資泡沫終于破裂了,大多數(shù)廠商選擇了從緊的投資策略。就當(dāng)前的市場行情,預(yù)計今年DRAM市場支出將減少47%,而整個存儲芯片市場費用支出將減少29%”。   Gartner還稱,預(yù)計今年全球用于芯片設(shè)
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  存儲芯片  

          AMD否認(rèn)撤銷Kuma處理器傳言 將按計劃推出

          •   6月13日消息,AMD稱,它將按計劃推出代號為“Kuma”的雙核處理器,否認(rèn)某些型號的“Kuma”處理器已經(jīng)取消的猜測。   AMD發(fā)言人Jake Whitman說,這種猜測完全是不真實的。我們?nèi)詫从媱澰?008年下半年推出代號為“Kuma”的處理器。這種處理器仍采用65納米生產(chǎn)工藝,仍以Star的內(nèi)核為基礎(chǔ)。   AMD發(fā)言人稱,不像某些文章說的那樣,“Kuma”處理器與代號為“Phen
          • 關(guān)鍵字: AMD  Kuma  處理器  半導(dǎo)體  存儲芯片  DRAM  

          手機拆機分析揭示移動存儲的未來

          •   NAND和mDRAM激增,NOR-less機型增多   手機內(nèi)存內(nèi)容是否正在發(fā)生根本性變化?   在相對較短的時間內(nèi),隨著手機從商用工具發(fā)展成隨處可見的大眾通信工具,手機所使用的內(nèi)存一直基于NOR閃存與SRAM的組合,最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是,這種內(nèi)存配置正在面臨使用移動DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰(zhàn)。   這種轉(zhuǎn)變的背后,是因為市場需要大容量、低成本數(shù)據(jù)存儲用于保存語音/音樂、照片和視頻,NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機RAM
          • 關(guān)鍵字: 手機  NOR閃存  pSRAM  DRAM  NAND閃存  iSuppli    

          磁阻式隨機存儲器將挑戰(zhàn)閃存

          •   磁阻式隨機存儲器(MRAM)將優(yōu)于快閃記憶體(Flash閃存)?飛思卡爾半導(dǎo)體正試圖證明這一點。   根據(jù)消息,飛思卡爾半導(dǎo)體(前摩托羅拉公司芯片部門)周一宣布,它已經(jīng)獲得了幾個風(fēng)險投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術(shù)公司,側(cè)重于研發(fā)制造MRAM(磁阻式隨機存儲器),其目的是為了“擴大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場份額”。   MRAM與快閃記憶體不同,它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式,在性能上MRAM具有接近SRAM的高
          • 關(guān)鍵字: MRAM  快閃記憶體  Flash  DRAM  Everspin  

          內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇時日不明 投資者可能轉(zhuǎn)向模擬芯片領(lǐng)域

          •   由于處境不佳的電腦內(nèi)存市場今年預(yù)計僅會溫和復(fù)蘇,考慮押注全球芯片產(chǎn)業(yè)的投資者可能打算把資金投向快速增長的模擬芯片領(lǐng)域。用于便攜產(chǎn)品的閃存價格似乎正在趨穩(wěn),但參加路透全球技術(shù)、媒體與電信峰會的高管們表示,他們對于該產(chǎn)業(yè)何時復(fù)蘇不太確定。   分析師預(yù)計今年全球DRAM銷售額下降10%,2009年增長約20%。主要DRAM供應(yīng)商三星(Samsung)電子和海力士(Hynix)半導(dǎo)體的DRAM價格自4月以來反彈,促使業(yè)內(nèi)高管預(yù)期市場供需在今年下半年恢復(fù)平衡。   閃存價格持平   全球第二
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  模擬芯片  

          三星:內(nèi)存產(chǎn)業(yè)已走出波谷 價格即將反彈

          •   5月27日消息,隨著供過于求的緩解,三星預(yù)計計算機內(nèi)存價格在今年晚些時候會出現(xiàn)反彈。   據(jù)國外媒體報道稱,新上任的三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)主管Kwon Oh Hyun今天在一次會議上表示,內(nèi)存芯片價格將不再“處于底部”。但內(nèi)存產(chǎn)業(yè)今年下半年的前景仍不明朗。   德意志銀行曾預(yù)計內(nèi)存產(chǎn)業(yè)已經(jīng)處于波谷,供應(yīng)增長的明顯減速將使得價格有望在2009年結(jié)束前出現(xiàn)反彈,Kwon的評論正好與德意志銀行的預(yù)計相符。   在內(nèi)存生產(chǎn)廠商上季度因存貨過多導(dǎo)致包括三星在內(nèi)的主要廠商出現(xiàn)虧損后,DRA
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  波谷  價格  DRAM  

          存儲器大廠意外頻發(fā)“穩(wěn)定”行業(yè)價格

          •   近期記憶體業(yè)者常幽默指出,以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動價格,一是每年1次的晶圓廠跳電事件,帶來的“自然減產(chǎn)機制”,使得上游供給減少,二是記憶體廠制程凸捶,導(dǎo)致的供給大減,尤其DRAM產(chǎn)業(yè)這么依賴個人電腦(PC)的成長性,很難再出現(xiàn)需求大好的情況,只好想盡辦法讓供給減少,維持價格秩序。   意外事件+制程出錯 穩(wěn)定價格的捷徑   2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠房意外電線走火,導(dǎo)致NAND Fla
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  NAND  晶圓  三星  海力士  NB  DT  

          美光可有能買下奇夢達(dá)手中35%股權(quán) 大股東南科稱尚未定案

          •   美光有可能買下奇夢達(dá)所持有的臺灣DRAM廠華亞科技的股權(quán)。對此,華亞科技大股東南科表示,針對華亞科技的股權(quán)處置,南科與奇夢達(dá)仍在協(xié)商中,尚未定案。   外電報道指出,美光決定與臺灣DRAM大廠南科結(jié)盟,兩公司計劃在臺合資成立亞美科技,預(yù)計2009年底前各自投資現(xiàn)金5.5億美元后,美光有可能進一步買下奇夢達(dá)所持有的華亞科技35%股權(quán)。   針對美光將買下奇夢達(dá)所持華亞科技股權(quán)事宜,華亞科總經(jīng)理高啟全表示,南科與奇夢達(dá)等兩大股東正針對華亞科股權(quán)處置事宜進行協(xié)商,至于結(jié)果由誰買下對方股權(quán)及資金來源,目前
          • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  奇夢達(dá)  南科  

          艱難時期顯實力 芯片代工巨頭加快產(chǎn)品轉(zhuǎn)型技術(shù)升級

          •   今年第一季度,芯片代工企業(yè)大多贏利艱難,臺積電憑借雄厚的實力試圖甩開競爭對手。中芯國際為避免持續(xù)虧損,毅然放棄了DRAM代工業(yè)務(wù)。   進入2008年以來,受全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長緩慢、北美市場持續(xù)疲軟的影響,半導(dǎo)體芯片代工行業(yè)處境依舊艱難。對全球前四大代工廠公布的2008年第一季度財報進行分析可以看出,在該季度,除領(lǐng)頭羊臺積電有較大幅度增長之外,其他廠家都在為贏利而掙扎,   有的還處在產(chǎn)品線轉(zhuǎn)型的陣痛之中。不過,通信和消費電子產(chǎn)品市場的增長也給業(yè)內(nèi)人士帶來一絲寬慰,這或許預(yù)示著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走入新的
          • 關(guān)鍵字: 芯片  臺積電  中芯國際  DRAM  半導(dǎo)體  英特爾  三星  特許  聯(lián)華電子  
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