- 隨著中國大陸LED市場迅速增長，臺資企業(yè)正在加快搶灘登陸的步伐，以期盡早在大陸LED產業(yè)卡位布局。比如日前廣東中山科技局的一位工作人員就告訴記者，現(xiàn)在可以明顯感受到，外資尤其是臺廠對中國大陸LED行業(yè)投資腳步的加快和投資力度的加大，早在2002年臺灣最大的封裝廠億光就在中山小欖設廠，而近來臺企投資腳步則更加頻繁。
如果細分近期有意向至大陸設廠的臺企，大體可分成三類：一是臺灣大型LED企業(yè)，為擴大產能需要，在大陸投資設廠。比如日前市場傳出臺灣LED外延大廠晶電計劃與封裝廠光寶攜手布局大陸LED市場
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LED DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應鏈出現(xiàn)供貨排擠效應。
三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時內便恢復運作，估計此事件對公司營運影響不大。
存儲器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
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三星電子 DRAM SDRAM 存儲器
- 根據(jù)DRAMeXchange的預測，從今年到2012年，DRAM產業(yè)供給方面在產能擴充、資本支出、浸潤式機臺供給有限，以及40nm以下制程轉進難度高影響下，位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復蘇，帶動消費者及企業(yè)換機潮，以及智能型手機帶動行動內存需求大幅成長下則將動力強勁，預期未來三年DRAM產業(yè)有機會連續(xù)獲利。
DRAMeXchange指出，DRAM產業(yè)過去十幾年來，幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期，以DRAM廠的營業(yè)獲利率分析，2001至2003年DRAM產業(yè)連續(xù)三年虧損，2004至2006年轉
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智能手機 DRAM 40nm
- 近期內存價格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭，不過在包括三星、美光、力晶等在內的DRAM廠商看來，好光景來之不易，不應該一味擴大產能惡性競爭而重新導致DRAM內存暴跌。
韓國三星半導體業(yè)務總裁權五鉉日前表示，DRAM制造商不應該盲目擴大產能，而應當把大規(guī)模投資放在提升技術水平上。美國美光官方近日也表示，今年無意擴大DRAM產能，而是將全力投入制造工藝升級，進一步增強其在DRAM市場的競爭力。臺灣力晶半導體董事長黃崇仁同樣認為，廠商們在對待產能的問題上應當更加謹慎，避免重蹈當年的覆轍。
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三星 DRAM
- 據(jù)外電報道，美國國際貿易委員會(USITC)將對DRAM半導體、產品、記憶模塊展開調查，因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權指控。
英飛凌方面稱，爾必達制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導體產品侵犯了英飛凌在半導體制程和元件制造方面4項重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿易。通過訴訟以尋求USITC下達禁令，禁止爾必達或以爾必達的名義，向美國進口侵犯英飛凌專利的DRAM半導體產品。
被調查的企業(yè)名單
USITC表示，將依據(jù)1930年美國關稅法第337條，對下列廠商展開調查，包括日商爾必
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英飛凌 DRAM
- 由于ODM/OEM廠對第2季及第3季的旺季需求期待甚高，芯片缺貨問題持續(xù)延燒，除了繪圖芯片及整流二極管持續(xù)供貨短缺外，電源管理IC、NOR閃存、LCD驅動IC、功率放大器(PA)等產品線均出現(xiàn)供給缺口。隨著芯片供貨商3月起陸續(xù)漲價5%至10%,但電子終端產品價格并未跟進調漲，顯示今年電子生產鏈上肥下瘦已成定局。
根據(jù)通路業(yè)者指出，今年中國農歷年期間因終端市場需求強勁，大幅去化芯片庫存，去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場效晶體管(MOSFET)等，現(xiàn)在仍有10%左右的供給缺口，另包括電源
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電源管理 NOR閃存 DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來臺參加全球半導體聯(lián)盟(GSA)論壇，吸引DRAM業(yè)者紛前來聆聽龍頭廠對景氣風向球。權五鉉表示，2010年下半DRAM價格可以維持穩(wěn)定，未來DRAM業(yè)者不應一昧地追求價格和成本，而是要節(jié)制瘋狂擴充產能;力晶董事長黃崇仁在現(xiàn)場亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴產，要追求合理價格更勝于超額利潤;此番臺、韓存儲器廠高層過招，成為整個論壇最大高潮。
權五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關半導體市場及
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Samsung DRAM DDR3
- 美銀美林證券臺灣投資論壇邁入第2天，會場聚焦DRAM、手機和LED產業(yè)，業(yè)者紛紛釋出樂觀看法，包括DRAM未來2、3年產業(yè)展望都樂觀，LED背光液晶電視年底滲透率上看35%.
美銀美林證券臺灣投資論壇邁入第2天，今天會議部份正式展開，并邀請到意法半導體(STMicroelectronics)與恒憶公司(Numonyx)顧問暨前任資深主管Rolf Seibl演講，暢談中國大陸山寨手機市場。他指出，中國手機市場有8成是山寨手機，所以聯(lián)發(fā)科市場廣大。
今天受邀出席論壇演講的華亞科總經理高啟全指出
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Numonyx DRAM LED 手機
- 市場調研公司IC Insight調整2010年全球半導體銷售額的預測, 估計增長27%,達2530億美元。
并同時預測2011年半導體銷售額再增長15%,達2900億美元。
按IC Insight的最新說法表明比之前較好的2007年的2340億美元還好, 達到近期單年的最高增長值。
按SIA的數(shù)據(jù)IC Insight曾在今年1月時預測2009年全球半導體下降9%,及2010年增長15%的預測, 此次又作了新的調整。
推動今年半導體增長的主要動力來自全球DRAM產業(yè), 由于其
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半導體 DRAM 存儲器
- 力晶半導體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., 5346.OT)發(fā)言人譚仲民(Eric Tang)周三表示，公司將今年的資本支出目標定為新臺幣110億元。
譚仲民稱，其中大部分資本支出將用于把公司的晶片生產技術從65納米技術升級到40納米技術。 今年1月初，力晶半導體曾表示，將于2010年下半年開始對40納米制程進行測試。 譚仲民稱，由于現(xiàn)金充裕，公司目前沒有融資計劃。他稱，力晶半導體2009年的資本支出規(guī)模“很小”。但他拒絕透露具體數(shù)據(jù)
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力晶 DRAM
- 工研院IEKITIS計劃日前公布2009年第四季及2009年全年度臺灣半導體產業(yè)概況;2009年第四季臺灣整體IC產業(yè)產值(含設計、制造、封裝、測試)達新臺幣3,779億元，較上季(09Q3)成長2.5%,較去年同期(08Q4)成長42.0%.
2009全年臺灣IC產業(yè)產值達12,497億元，較2008年衰退7.2%,優(yōu)于全球半導體之成長率。2009年全球半導體市場全年總銷售值達2,263億美元，較2008年衰退9.0%;總銷售量達5,293億顆，較2008年衰退5.5%;2009年ASP為0.
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半導體 晶圓代工 DRAM
- 3月4日消息，據(jù)國外媒體報道，爾必達公司今日表示，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業(yè)，該公司去年3月申請破產。
爾必達記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬美元)收購Spansion的NAND相關資產，其中包括在意大利的一個研發(fā)工廠。
爾必達希望提供半導體模組，結合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機方面的運用增長趨勢明顯，爾必達正在追趕DRAM領域的領軍企業(yè)三星電子和海力士半導體
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爾必達 NAND閃存 DRAM
- 全球1月半導體的銷售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預測。為什么如此迫不及待，值得思考。
按SIA總裁的看法,全球半導體銷售額1月的最新數(shù)據(jù)(三個月的移動平均值) 比12月的225億美元上升0,3%,分析推動市場增長在眾多方面, 包括計算機, 手機, 汽車電子和工業(yè)應用。如果與去年同期相比, 銷售額增長達47%,顯然與09年1月時正值全球的最低點有關。
SIA總裁Scalise認為,傳統(tǒng)上因為季節(jié)的原因, 通常1月會比12月有所下降, 所以
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半導體 汽車電子 DRAM NAND閃存
- 臺塑集團旗下DRAM大廠南亞科日前決定進行大擴產，原本規(guī)劃將12寸晶圓廠產能從現(xiàn)有3萬片提升至3.6萬片，現(xiàn)在計劃一舉提升產能至5萬片水平，因此將再增加250名員工，整體員工人數(shù)將達4,250人;總經理連日昌表示，目前12寸晶圓廠已回復至3萬片的投片量，以68奈米制程為主，預計第2季68奈米和50奈米比重可各占一半。再者，預計南亞科2010年資本支出將擴大至新臺幣200億~250億元水平。
南亞科是這一波DRAM景氣復蘇之后，唯一宣布擴產的業(yè)者，且擴產幅度不斷加碼，顯示公司對于DRAM產業(yè)后市看
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南亞科 DRAM 晶圓
- 日本爾必達周四稱，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產。
爾必達希望提供半導體模組，結合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機方面的運用愈發(fā)增加。爾必達正在追趕DRAM領域的領軍企業(yè)三星電子和海力士半導體。
爾必達發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，該公司正在就獲得Spansion的閃存技術，及意大利的四五十名工程師進行談判。他拒絕就該公司將為該收購案斥資的規(guī)模進行評論。
日本經濟新聞報導稱，爾必達記憶體將斥資30-50億日圓(合3400-5
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爾必達 DRAM
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