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2nm 文章 進(jìn)入2nm技術(shù)社區(qū)
聯(lián)盟IBM 日本找來(lái)2大高手攻關(guān)2nm工藝：最快2025年量產(chǎn)
- 20世紀(jì)80年代，日本是全球的半導(dǎo)體霸主，一度嚴(yán)重威脅了美國(guó)公司地位，之后被打壓，現(xiàn)在只在個(gè)別領(lǐng)域還有優(yōu)勢(shì)，先進(jìn)工藝上已經(jīng)落后當(dāng)前水平10到20年，不過(guò)日本已經(jīng)制定復(fù)興計(jì)劃，聯(lián)手歐洲IMEC之后又確定聯(lián)手IBM。此前報(bào)道就指出，日本要想攻關(guān)2nm先進(jìn)工藝，潛在的合作對(duì)象就是IBM公司，后者也在日前發(fā)布聲明，確認(rèn)跟日本Rapidus公司達(dá)成合作，雙方將成立研發(fā)機(jī)構(gòu)，IBM會(huì)派遣員工參與合作。Rapidus公司是前不久日本至少八大電子巨頭聯(lián)合成立的半導(dǎo)體公司，吸引了日本豐田、索尼、鎧俠、NEC、軟銀、電裝等8
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2nm芯片到底有多燒錢你想象不到 光開發(fā)就要50億
- 都說(shuō)芯片燒錢，但芯片到底有多燒錢大家還沒(méi)有一個(gè)清晰的認(rèn)知，尤其是芯片工藝越來(lái)越先進(jìn)，其燒錢的規(guī)?？芍^呈幾何級(jí)增長(zhǎng)。從研發(fā)成本端來(lái)看，其中28nm工藝只要4280萬(wàn)美元，22nm工藝需要6300萬(wàn)美元，16nm工藝需要8960萬(wàn)美元。然而3nm則飆升到5.8億美元，而2nm工藝開發(fā)資金則要達(dá)7.2億美元，約合人民幣50億。當(dāng)然，這還只是研發(fā)層面的費(fèi)用，而3nm、2nm工藝工廠建設(shè)則需要200億美元以上的資金，而這還不包括生產(chǎn)費(fèi)用，可見這簡(jiǎn)直是十分燒錢的行為。顯然，照這樣發(fā)展下去，未來(lái)2nm的CPU及顯卡就算
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日本富士通擬自行設(shè)計(jì) 2nm 芯片，委托臺(tái)積電代工
- IT之家 11 月 9 日消息，日本科技大廠富士通（Fujitsu）的高層表示，該公司計(jì)劃自行設(shè)計(jì) 2 納米制程的先進(jìn)半導(dǎo)體，并打算委托臺(tái)積電代工生產(chǎn)。據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，富士通首席技術(shù)官 Vivek Mahajan 周二在一場(chǎng)記者會(huì)上表示，該公司計(jì)劃自行設(shè)計(jì) 2 納米制程的先進(jìn)半導(dǎo)體，打算委托晶圓代工龍頭臺(tái)積電代為生產(chǎn)。報(bào)道指出，富士通目標(biāo)最快在 2026 年完成搭載該芯片的節(jié)能中央處理器 (CPU)。IT之家了解到，臺(tái)積電目前計(jì)劃在 2025 年量產(chǎn) 2 納米的芯片，該公司的先進(jìn)制程技術(shù)
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消息稱AMD CEO蘇姿豐將親自造訪臺(tái)積電：商談2nm和3nm芯片產(chǎn)能
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，AMD首席執(zhí)行官（CEO）蘇姿豐和公司其他C級(jí)高管希望在9月底或11月初前往臺(tái)灣地區(qū)，探索與當(dāng)?shù)睾献骰锇榈暮献?。蘇姿豐前往臺(tái)灣地區(qū)的主要原因似乎是與臺(tái)積電會(huì)面，與臺(tái)積電CEO魏哲家討論N3 Plus（N3P）和2nm級(jí)（N2）制造技術(shù)的使用以及未來(lái)的短期和長(zhǎng)期訂單，使AMD獲得足夠的基于3nm和2nm級(jí)等未來(lái)節(jié)點(diǎn)的晶圓分配。AMD近年來(lái)取得的顯著成功很大程度上歸功于臺(tái)積電利用其極具競(jìng)爭(zhēng)力的工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片的能力。AMD的CPU和GPU產(chǎn)品線才剛開始向5nm制程節(jié)點(diǎn)切換，并且臺(tái)積電的2
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臺(tái)積電2nm預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)
- 據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，晶圓代工廠臺(tái)積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對(duì)手三星及英特爾。臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，搭配FINFLEX架構(gòu)的3nm將在今年下半年量產(chǎn)，升級(jí)版3nm（N3E）制程將于3nm量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即2023年量產(chǎn)。先進(jìn)封裝部分，首座全自動(dòng)化3DFabric晶圓廠預(yù)計(jì)于2022年下半年開始生產(chǎn)。雖然在3nm世代略有保守，但無(wú)論如何，F(xiàn)inFET寬度都已經(jīng)接近實(shí)際極限，再向下就會(huì)遇到瓶頸。所以外資法人預(yù)估臺(tái)積電2nm先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場(chǎng)效電晶體GAAFET高端架構(gòu)生
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3nm彎道超車臺(tái)積電之后 三星2nm工藝蓄勢(shì)待發(fā)：3年后量產(chǎn)
- 在6月最后一天，三星宣布3nm工藝正式量產(chǎn)，這一次三星終于領(lǐng)先臺(tái)積電率先量產(chǎn)新一代工藝，而且是彎道超車，后者的3nm今年下半年才會(huì)量產(chǎn)。根據(jù)三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比，新開發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時(shí)提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時(shí)面積減少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了計(jì)劃，3nm GAP工藝之后就會(huì)迎
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臺(tái)積電2nm工藝提升不大：密度僅提升10%
- 日前，臺(tái)積電全面公開了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標(biāo)，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看著還不錯(cuò)，但臺(tái)積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來(lái)看的話，新一代工藝的密度提升是100%才行，實(shí)際中也能達(dá)到70-80%以上才能算新一代工藝。臺(tái)積電沒(méi)有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術(shù)有關(guān)，畢竟這是新一代晶體管結(jié)構(gòu)，考驗(yàn)很多。
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臺(tái)積電2nm制程工藝取得新進(jìn)展 2nm競(jìng)爭(zhēng)賽道進(jìn)入預(yù)熱模式
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，推進(jìn)3nm制程工藝今年下半年量產(chǎn)的臺(tái)積電，在更先進(jìn)的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進(jìn)展，預(yù)計(jì)在明年年中就將開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn) ——?也就意味著臺(tái)積電2nm制程工藝距量產(chǎn)又更近了一步。業(yè)界估計(jì)，臺(tái)積電2nm試產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)最快在2024年，并于2025年量產(chǎn)，之后再進(jìn)入1nm以及后續(xù)更新世代的“埃米”制程。臺(tái)積電去年底正式提出中科擴(kuò)建廠計(jì)劃，設(shè)廠面積近95公頃，總投資金額達(dá)8000億至10000億元新臺(tái)幣，初期可創(chuàng)造4500個(gè)工作機(jī)會(huì)。以投資規(guī)模及近百公頃設(shè)廠土地面積研判，除了規(guī)劃2nm廠
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臺(tái)積電將砸 1 萬(wàn)億擴(kuò)大 2nm 產(chǎn)能，目標(biāo) 2025 年量產(chǎn)
- 6月6日消息，據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電將砸1萬(wàn)億新臺(tái)幣（約2290億元人民幣）在臺(tái)中擴(kuò)大2nm產(chǎn)能布局，有望在中清乙工建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū)?！ ∨_(tái)積電總裁魏哲家在4月14日召開的法說(shuō)會(huì)上表示，臺(tái)積電2nm預(yù)期會(huì)是最成熟與最適合技術(shù)來(lái)支持客戶成長(zhǎng)，臺(tái)積電目標(biāo)是在2025年量產(chǎn)?！ ∨_(tái)積電將在2nm的節(jié)點(diǎn)推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)，另外還將采用新的材料，包括High mobility channel，2D，CNT等，其中2D材料方面，臺(tái)積電已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐漸用
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臺(tái)積電：投資6000多億建3nm、2nm晶圓廠
- 由于半導(dǎo)體芯片產(chǎn)能緊缺，臺(tái)積電此前宣布三年內(nèi)投資1000億美元，約合6300多億人民幣，主要用于建設(shè)新一代的3nm、2nm芯片廠，蓋長(zhǎng)的需求太高，現(xiàn)在連建筑用的磚塊都要搶購(gòu)了。據(jù)《財(cái)訊》報(bào)道，這兩年芯片產(chǎn)能緊缺，但是比芯片產(chǎn)能更缺的還有一種建材——白磚，連臺(tái)積電都得排隊(duì)搶購(gòu)。這種磚塊是一種特殊的建材，具備隔音、輕量、隔熱、防火、環(huán)保、便利等優(yōu)點(diǎn)，重量只有傳統(tǒng)紅磚的一半左右，是很多工廠及房產(chǎn)建設(shè)中都需要的材料。對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，一方面它們自己建設(shè)晶圓廠需要大量白磚，另一方面它們?cè)诋?dāng)?shù)啬硞€(gè)城市建設(shè)晶圓廠，往往還會(huì)
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英特爾與臺(tái)積電合作開發(fā)2nm工藝 2025年量產(chǎn)
- 此前有消息稱英特爾已經(jīng)拿了臺(tái)積電3nm一半產(chǎn)能，近日，則有消息稱英特爾現(xiàn)在又要跟臺(tái)積電合作開發(fā)2nm工藝。英特爾不僅可能會(huì)將3nm制程工藝交給臺(tái)積電代工，同時(shí)也開始跟臺(tái)積電討論合作開發(fā)2nm工藝。不過(guò)這一說(shuō)法還沒(méi)有得到英特爾或者臺(tái)積電的證實(shí)，考慮到這是高度機(jī)密的信息，一時(shí)間也不會(huì)有官方確認(rèn)的可能。據(jù)悉，臺(tái)積電3nm的量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)2022年四季度啟動(dòng)，且首批產(chǎn)能被蘋果和英特爾均分。至于未來(lái)的2nm工藝，臺(tái)積電將在2nm節(jié)點(diǎn)推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)并采用新的材料，預(yù)計(jì)會(huì)在2025年
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三星高調(diào)宣布2025年投入2nm量產(chǎn)
- 韓國(guó)三星在舉行晶圓代工論壇期間高調(diào)宣布，2025年投入2奈米量產(chǎn)，再度確認(rèn)將導(dǎo)入新一代環(huán)繞閘極技術(shù)(GAA)電晶體架構(gòu)，搶在臺(tái)積電前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量產(chǎn)，劍指臺(tái)積電的意圖明顯，晶圓代工全球版圖恐將迎來(lái)新變局。此次論壇以Adding One More Dimension為主題，會(huì)中提到三星過(guò)去曾在2020上半年宣布該公司要在GAA的基礎(chǔ)上導(dǎo)入3奈米制程，而此次更提到要基于GAA基礎(chǔ)，在2023年時(shí)要導(dǎo)入第二代的3奈米制程，并于2025年導(dǎo)入2奈米制程。而這回也是三星首度表明2奈米的制程規(guī)劃
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2nm工藝要上線？臺(tái)積電工廠環(huán)評(píng)被卡
- 芯研所消息，臺(tái)積電的2nm芯片工藝計(jì)劃上線，但是由于環(huán)評(píng)專案小組的初審，建廠計(jì)劃未能放行，還需要等8月31日之前補(bǔ)正后再審核。在全球先進(jìn)工藝量產(chǎn)上，臺(tái)積電一枝獨(dú)秀，5nm、3nm工藝已經(jīng)領(lǐng)先，再下一代工藝就是2nm了，會(huì)啟用全新GAA晶體管，技術(shù)升級(jí)很大，光是工廠建設(shè)就要200億美元。臺(tái)積電不過(guò)臺(tái)積電的2nm工廠建設(shè)計(jì)劃現(xiàn)在遇到了阻力。消息稱，新竹科學(xué)園區(qū)擬展開寶山用地第二期擴(kuò)建計(jì)劃，環(huán)保部門于25日下午召開環(huán)評(píng)專案小組第三次初審會(huì)議，水、電以及廢棄物清理等議題受到關(guān)注，專案小組歷經(jīng)逾三小時(shí)審議后，最終仍
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歐盟半導(dǎo)體“不再幼稚”：10年內(nèi)產(chǎn)能翻倍、搞定2nm工藝
- 半導(dǎo)體技術(shù)的重要性已經(jīng)無(wú)需多提，現(xiàn)在美國(guó)、中國(guó)、日本、韓國(guó)等國(guó)家和地區(qū)都在大力投資先進(jìn)半導(dǎo)體工藝，不希望自己被卡脖子，歐盟現(xiàn)在也清醒了，希望搞定2nm工藝。據(jù)報(bào)道，歐盟市場(chǎng)專員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton）日前在采訪中表示，歐盟需要恢復(fù)以前的市場(chǎng)份額，以滿足行業(yè)的需求。他還提到，多年來(lái)歐盟在半導(dǎo)體制造業(yè)中的份額下降了，因?yàn)樵摰貐^(qū)過(guò)于幼稚、過(guò)于相信全球化。歐盟委員會(huì)制定的計(jì)劃中，希望2030年將芯片產(chǎn)量翻倍，市場(chǎng)份額提升到20%，為此歐盟正在爭(zhēng)取歐洲地區(qū)先進(jìn)芯片制造商的支持，目前至少有22個(gè)
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