2nm 文章 進(jìn)入2nm技術(shù)社區(qū)
4nm→2nm，三星或升級(jí)美國德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點(diǎn)
- 根據(jù)韓國媒體Etnews的報(bào)導(dǎo)，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計(jì)劃的4納米改為2納米，以加強(qiáng)與臺(tái)積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報(bào)導(dǎo)指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計(jì)劃于2024年底開始分階段運(yùn)營。以三星電子DS部門前負(fù)責(zé)人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節(jié)點(diǎn)制程的產(chǎn)品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計(jì)劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī)：死胡同不遠(yuǎn)了
- 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺(tái)High NA EUV極紫外光刻機(jī)，同時(shí)正在研究更強(qiáng)大的Hyper NA EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機(jī)孔徑數(shù)值只有0.33，對(duì)應(yīng)產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預(yù)計(jì)到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預(yù)計(jì)到2027年能實(shí)現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機(jī)升級(jí)到了
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Rapidus與IBM達(dá)成合作，瞄準(zhǔn)2nm
- 近日，日本晶圓代工企業(yè)Rapidus與IBM宣布建立合作伙伴關(guān)系，建立2nm半導(dǎo)體學(xué)校芯片封裝的大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)。通過此次合作，Rapidus將獲得IBM關(guān)于高性能半導(dǎo)體封裝技術(shù)的許可，并將共同開發(fā)該技術(shù)。圖片來源：Rapidus官網(wǎng)據(jù)了解，2021年，IBM對(duì)外公布全球首款2nm芯片原型。2022年12月，Rapidus與IBM達(dá)成戰(zhàn)略性伙伴關(guān)系，雙方共同推動(dòng)基于IBM突破性的2nm制程技術(shù)的研發(fā)。Rapidus董事長小池淳義表示，“繼2nm半導(dǎo)體的共同開發(fā)之后，關(guān)于芯片封裝的技術(shù)確立也與IBM簽訂了伙伴
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imec 宣布牽頭建設(shè)亞 2nm 制程 NanoIC 中試線，項(xiàng)目將獲 25 億歐元資金支持
- IT之家 5 月 21 日消息，比利時(shí) imec 微電子研究中心今日宣布將牽頭建設(shè) NanoIC 中試線。該先進(jìn)制程試驗(yàn)線項(xiàng)目預(yù)計(jì)將獲得共計(jì) 25 億歐元（IT之家備注：當(dāng)前約 196.5 億元人民幣）的公共和私人捐款支持。NanoIC 中試線是歐洲芯片聯(lián)合企業(yè) Chip JU 指定的四條先進(jìn)半導(dǎo)體中試線項(xiàng)目之一，旨在彌合從實(shí)驗(yàn)室到晶圓廠的差距，通過小批量生產(chǎn)加速概念驗(yàn)證產(chǎn)品的開發(fā)設(shè)計(jì)與測試。除其主持的 NanoIC 中試線外， imec 還將參與先進(jìn) FD-SOI
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瞄準(zhǔn)AI需求：臺(tái)積電在美第二座晶圓廠制程升級(jí)至2nm
- 最新消息，臺(tái)積電官網(wǎng)宣布，在亞利桑那州建設(shè)的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計(jì)劃的3nm升級(jí)為更先進(jìn)的2nm，量產(chǎn)時(shí)間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺(tái)積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設(shè)兩年多之后宣布建設(shè)第二座晶圓廠。在今年一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經(jīng)封頂，最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對(duì)于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計(jì)劃的3nm提升到2nm，臺(tái)積電CEO魏哲家在一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上也作出了回應(yīng)，他表示是為了支持AI相關(guān)的強(qiáng)勁需求。在OpenAI訓(xùn)練
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臺(tái)積電年末試產(chǎn)2nm工藝！蘋果芯片又要遙遙領(lǐng)先了
- 雖然目前來看2025年還早，但是隨著時(shí)間的推移，蘋果下一代芯片已經(jīng)在路上了。據(jù)報(bào)道，蘋果芯片供應(yīng)商臺(tái)積電正在制造2nm和1.4nm芯片方面取得進(jìn)展，這些芯片很可能用于未來幾代蘋果芯片——最早可能搭載于2025年秋發(fā)布的iPhone 17 Pro上。根據(jù)目前已知的消息，2nm和1.4nm芯片的量產(chǎn)時(shí)間顯然已經(jīng)確定。2nm節(jié)點(diǎn)將于2024年下半年開始試生產(chǎn)，小規(guī)模生產(chǎn)將于2025年第二季度逐步推進(jìn)。值得注意的是，臺(tái)積電位于亞利桑那州的新工廠也將加入2nm生產(chǎn)的行列。而在更遠(yuǎn)期的2027年，臺(tái)灣的工廠將開始轉(zhuǎn)向
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iPhone 17 Pro將首發(fā)！曝臺(tái)積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定
- 4月11日消息，根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息，臺(tái)積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據(jù)了解，臺(tái)積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開始，而小規(guī)模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是，臺(tái)積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年，臺(tái)積電將開始推進(jìn)1.4納米工藝節(jié)點(diǎn)，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺(tái)積電最新的工藝制程很可能會(huì)由蘋果率先采用。按照臺(tái)積電的量產(chǎn)時(shí)間表，iPhone 17 Pro將成為首批
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Marvell宣布與臺(tái)積電合作2nm生產(chǎn)平臺(tái)
- 據(jù)Marvell（美滿電子）官方消息，日前，Marvell宣布與臺(tái)積電擴(kuò)大合作，共同開發(fā)業(yè)界首款針對(duì)加速基礎(chǔ)設(shè)施優(yōu)化的2nm芯片生產(chǎn)平臺(tái)。據(jù)悉，Marvell將與臺(tái)積電協(xié)作提升芯片性能和效率，投資于互連和高級(jí)封裝等平臺(tái)組件，從而降低多芯片解決方案的成本，加快相關(guān)芯片上市時(shí)間。Marvell首席開發(fā)官 Sandeep Bharathi 表示，未來的人工智能工作負(fù)載將需要在性能、功率、面積和晶體管密度方面取得顯著的進(jìn)步。2nm 平臺(tái)將使 Marvell 能夠提供高度差異化的模擬、混合信號(hào)和基礎(chǔ) IP，以構(gòu)建能
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2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響！三星2nm時(shí)間表公布
- 2月5日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星計(jì)劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個(gè)巨型半導(dǎo)體工廠，將進(jìn)行2nm制造。據(jù)悉，2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破，它能夠?yàn)樾酒峁└叩男阅芎透偷墓?。作為三星最大的競爭?duì)手，臺(tái)積電在去年研討會(huì)上就披露了2nm芯片的早期細(xì)節(jié)，臺(tái)積電的2nm芯片將采用N2平臺(tái)，引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。臺(tái)積電推出的采用納米片晶體管架構(gòu)的2nm制程技術(shù)，在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%，在相
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臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利 晶圓廠最快4月進(jìn)機(jī)
- 臺(tái)積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產(chǎn)之后，研發(fā)和量產(chǎn)的重點(diǎn)隨之轉(zhuǎn)向下一代2nm制程工藝，計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著工廠及相關(guān)的設(shè)備要做好準(zhǔn)備，以確保按計(jì)劃順利量產(chǎn)。臺(tái)積電進(jìn)入GAA時(shí)代的2nm制程進(jìn)展順利，最新援引供應(yīng)鏈合作伙伴的消息報(bào)道稱，位于新竹科學(xué)園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經(jīng)完成鋼構(gòu)工程，并正在進(jìn)行無塵室等內(nèi)部工程 —— 最快4月啟動(dòng)設(shè)備安裝工作，相關(guān)動(dòng)線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計(jì)劃在2025年開始制造采用此項(xiàng)技術(shù)的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預(yù)定
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日本佳能：我們能造2nm芯片！不需要ASML光刻機(jī)
- 日本光刻機(jī)大廠佳能（Canon）在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的納米壓?。∟anoprinted lithography，NIL）設(shè)備FPA-1200NZ2C之后，佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫近日在接受采訪時(shí)再度表示，該公司新的納米壓印技術(shù)將為小型半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開辟一條道路，使得生產(chǎn)先進(jìn)芯片的技術(shù)不再只有少數(shù)大型半導(dǎo)體制造商所獨(dú)享。納米壓印技術(shù)并不利用光學(xué)圖像投影的原理將集成電路的微觀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到硅晶圓上，而是更類似于印刷技術(shù)，直接通過壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次，就可以在特定的位置
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臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)
- IT之家 12 月 14 日消息，臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí)，臺(tái)積電重申，2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025 年開始量產(chǎn)。圖源 Pexels根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺(tái)積電的 1.4nm 制程節(jié)點(diǎn)正式名稱為 A14。IT之家注意到，目前臺(tái)積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時(shí)間和具體參數(shù)，但考慮到 N2 節(jié)點(diǎn)計(jì)劃于 2025 年底量產(chǎn)，N2P 節(jié)點(diǎn)則定于 2
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