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3d dram 文章 進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)
三星一季度全球DRAM市場(chǎng)份額超過(guò)40% 但銷(xiāo)售額有下滑
- 三星電子一季度在全球DRAM市場(chǎng)的份額超過(guò)了40%，但銷(xiāo)售額在這一季度有下滑。外媒的數(shù)據(jù)顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場(chǎng)的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個(gè)百分點(diǎn)，后者的市場(chǎng)份額為29.3%。雖然三星的市場(chǎng)份額超過(guò)了40%，但一季度三星DRAM的營(yíng)收其實(shí)有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場(chǎng)份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷(xiāo)售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場(chǎng)份額為20.8%，銷(xiāo)售額下滑1
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識(shí)別
- 從20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)計(jì)中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計(jì)中漏電流造成的問(wèn)題也會(huì)導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲(chǔ)單元；(b)單元晶體管中的柵誘導(dǎo)漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲(chǔ)單元（圖1 (a)）在電
- 關(guān)鍵字： DRAM GIDL
三星率先為DRAM芯片導(dǎo)入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)
- 當(dāng)前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國(guó)巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)第一代10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評(píng)估，這為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級(jí)（D1a）DRAM或高端級(jí)14nm級(jí)DRAM開(kāi)始全面導(dǎo)入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預(yù)計(jì)會(huì)使12
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM EUV
存儲(chǔ)器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結(jié)束 ？
- 據(jù)IDC預(yù)測(cè)，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將具有極大的市場(chǎng)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失存儲(chǔ)器和非易失存儲(chǔ)器兩種，具體類(lèi)型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲(chǔ)器公司（三星、海力士、美光）的財(cái)報(bào)都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規(guī)模均成長(zhǎng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模比2016年成長(zhǎng)22.2%，達(dá)4197.2億美元，存儲(chǔ)器的
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器、NAND、DRAM
全球DRAM產(chǎn)業(yè)迎來(lái)大牛市 內(nèi)存將連漲7個(gè)季度
- 最近的疫情危機(jī)給全球大多數(shù)電子產(chǎn)品的前景蒙上了陰影，智能手機(jī)Q1季度會(huì)是暴跌50%。不過(guò)內(nèi)存廠商現(xiàn)在可以輕松下了，Q1季度開(kāi)始就進(jìn)入全球牛市，預(yù)計(jì)會(huì)連漲七個(gè)季度，也就是2020年底才可能穩(wěn)下來(lái)。自從1月初的三星供電停電、東芝工廠起火之后，這兩家公司紛紛表態(tài)對(duì)生產(chǎn)基本沒(méi)影響，但是全球存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)依然像是打了雞血，內(nèi)存及SSD硬盤(pán)的現(xiàn)貨價(jià)應(yīng)聲而起，1月份就漲價(jià)高達(dá)30%。那這一波內(nèi)存漲價(jià)要持續(xù)多久呢？UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發(fā)表報(bào)告評(píng)估了內(nèi)存市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)，他認(rèn)為內(nèi)存漲價(jià)將持續(xù)至少7個(gè)
- 關(guān)鍵字： DRAM、內(nèi)存
美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片
- 美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DDR5 DRAM 芯片
內(nèi)存和存儲(chǔ)的應(yīng)用熱點(diǎn)與解決方案
- Raj Talluri? （美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部 高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理） 1 內(nèi)存和存儲(chǔ)領(lǐng)域會(huì)出現(xiàn)哪些應(yīng)用或技術(shù)熱點(diǎn) 數(shù)據(jù)爆發(fā)推動(dòng)了各個(gè)技術(shù)領(lǐng)域?qū)?nèi)存和存儲(chǔ)的需求，而云和移動(dòng)是當(dāng)前內(nèi)存和存儲(chǔ)的最大需求來(lái)源?！ ≡谝苿?dòng)領(lǐng)域，基于視頻內(nèi)容和游戲的需求不斷增長(zhǎng)，智能手機(jī)比以往需要更大的 DRAM ， 以 支持計(jì)算攝影、面部識(shí)別、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等各種功能。根據(jù)客戶的需求趨勢(shì)判斷，美光認(rèn)為2020年，智能手機(jī)的平均容量將達(dá)到5GB的DRAM和120 GB的NAND。 與此同時(shí)，5G網(wǎng)絡(luò)的普及將刺激對(duì)DRAM和N
- 關(guān)鍵字： 202002 內(nèi)存 DRAM AI
2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)分析
- 張明花（集邦咨詢顧問(wèn)（深圳）有限公司 編輯，深圳 518000） 摘? 要：預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場(chǎng)的年成長(zhǎng)率僅為12.2%，這個(gè)數(shù)字在年成長(zhǎng)動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標(biāo)，資本支出也會(huì)減少?！ ￡P(guān)鍵詞：內(nèi)存；DRAM；三星；SK海力士；美光 觀察全球內(nèi)存（DRAM）市場(chǎng)供需格局以及價(jià)格走勢(shì)，在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫(kù)存調(diào)整后，2019年第4季 度DRAM市場(chǎng)仍處于微幅供過(guò)于求狀態(tài)，即便2020年 第1季度DRAM的
- 關(guān)鍵字： 202002 內(nèi)存 DRAM 三星 SK海力士 美光
儒卓力與愛(ài)普科技簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議
- 儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)和中國(guó)臺(tái)灣證券交易所上市企業(yè)，全球領(lǐng)先的IoT RAM、利基型DRAM和AI存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商愛(ài)普科技簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議。這項(xiàng)分銷(xiāo)協(xié)議涵蓋了愛(ài)普科技的全部產(chǎn)品，并且已經(jīng)生效。根據(jù)此分銷(xiāo)合作關(guān)系協(xié)議，儒卓力是愛(ài)普科技IoT RAM產(chǎn)品在歐洲市場(chǎng)的獨(dú)家分銷(xiāo)商。愛(ài)普科技的產(chǎn)品范圍包括各種各樣的存儲(chǔ)解決方案，重點(diǎn)產(chǎn)品則是具有低引腳數(shù)的超低功耗IoT RAM和具有長(zhǎng)壽命支持的標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品。在物聯(lián)網(wǎng)和邊緣AI市場(chǎng)，存儲(chǔ)器是系統(tǒng)性
- 關(guān)鍵字： RAM DRAM
日韓決裂，半導(dǎo)體誰(shuí)最受傷？
- 6月末也是在大阪召開(kāi)G20結(jié)束的時(shí)間，此次出口限制可謂是對(duì)韓國(guó)企業(yè)的一次“偷襲”！此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時(shí)的“日本偷襲珍珠港”。
- 關(guān)鍵字： 日韓貿(mào)易戰(zhàn) 半導(dǎo)體 光刻 DRAM
美光推出面向移動(dòng)應(yīng)用、堪稱業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存
- 新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶，它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機(jī)設(shè)計(jì)更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當(dāng)前和下一代
- 關(guān)鍵字： LPDDR4X 批量生產(chǎn)進(jìn)入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點(diǎn)
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