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	3d dram
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          DRAM缺貨恐延至明年 兩大模組廠喊缺
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺灣兩大存儲器模組廠威剛與創(chuàng)見一致認為，動態(tài)隨機存取存儲器( DRAM )將持續(xù)缺貨。威剛預期，DRAM缺貨情況可能延續(xù)到明年。
　　威剛指出，全球人工智能與物聯(lián)網產業(yè)蓬勃發(fā)展，帶動云端基礎設備及服務規(guī)模大舉躍升，連帶刺激全球DRAM需求急遽成長。
　　只是全球DRAM大廠近年都專注于制程改良，并未就新增產能進行巨額投資，威剛表示，這使得今年來全球DRAM缺貨問題不斷延燒。
　　創(chuàng)見預期，第4季DRAM市場仍將持續(xù)供不應求，產品價格也將維持高檔。
　　威剛更指出，韓系DRAM大廠已預告明年第1
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          • 關鍵字：
                        DRAM                          
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          DRAM核心設計的新舊存取技術差異
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　本文討論不同的存取技術對于DRAM在進行實體設計時所發(fā)生的改變，尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲存單元——DRAM的最小記憶單位…
　　不同的存取技術對于動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)在進行實體設計時將發(fā)生什么改變?當動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中的儲存單元(storage cell)加上控制端點以及數(shù)據端點后，就被稱為1T1C DRAM單元;其中，控制端點也就是字組線(WL)，用于傳遞位址訊號，數(shù)據端點也就是位元線(BL)，用于傳遞數(shù)據值。
　　陣列結
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          • 關鍵字：
                        DRAM                          
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          0.7納秒！相變存儲器速度新極限
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　隨著數(shù)字全球化，爆炸式增長的信息對數(shù)據的存儲與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn)，而且目前商用計算體系架構內各存儲部件，即緩存(SRAM)、內存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大，其間的數(shù)據交換效率也已成為了電子設備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數(shù)據不丟失)等特點的新式通用式存儲介質勢在必行。
　　

 
　　近日，美國Science雜志發(fā)表了西安交通大學與上海微系統(tǒng)與信息技術研究所的合作論文——《Red
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          • 關鍵字：
                        相變存儲器  DRAM                          
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          蘋果掃貨 DRAM本季已漲10% 下季料將續(xù)漲5%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季行動式DRAM產能，在產能排擠效應發(fā)酵下，標準型、服務器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。
　　南亞科受惠于DRAM合約價順利調漲，加上20納米制程新產能全面開出，6日公告10月合并營收月增9.2%達新臺幣50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預估華邦電營收將介于新臺幣4
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          • 關鍵字：
                        蘋果  DRAM                          
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          三星擴產留一手 DRAM缺貨到明年
          
                                                            
            
                    	
          • 　　包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠近2年來產能擴張幅度有限，加上20納米以下先進制程轉換難度提高，DRAM位元供給成長明顯較往年放緩。但由需求面來看，智慧型手機搭載容量快速增加，物聯(lián)網及汽車電子的需求亦進入倍數(shù)成長階段。也因此，在供給吃緊情況下，DRAM價格由去年下半年一路漲到今年底，累計漲幅已將超過1倍。
　　以4GBDDR4模組合約價來看，去年第3季平均價格僅13美元，但今年第4季價格已大漲至30.5美元，不僅價格已連續(xù)6季度調漲，累計漲幅亦超過1.3倍。想當然爾，DRAM價格大漲也明顯
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          蘋果掃貨DRAM漲不停本季已漲10％，下季料將續(xù)漲5％
          
                                                            
            
                    	
          • 　　由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動式DRAM產能，在產能排擠效應發(fā)酵下，標準型、服務器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。
　　南亞科受惠于DRAM合約價順利調漲，加上20納米制程新產能全面開出，昨(6)日公告10月合并營收月增9.2%達50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預估華邦電營收將介于43～4
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          • 關鍵字：
                        DRAM  存儲器                          
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          半導體迎來第三次產業(yè)轉移與升級世界將裝上“中國芯”？
          
                                                            
            
                    	
          • 從過去的兩次半導體產業(yè)轉移來看，中國如今已經具備成為行業(yè)新霸主的條件，未來半導體行業(yè)迎來大發(fā)展可以期待。
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          • 關鍵字：
                        中國芯  DRAM                          
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          DRAM風云錄，國產廠商也要入局
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 三星、SK海力士和鎂光，這三家大佬目前占據了市場上95%的份額，現(xiàn)在國產存儲研發(fā)成功，但是良率能否提升、量產能否實現(xiàn)，也仍然存在較大不確定性，從研發(fā)成功至量產并形成銷售需要長達幾年時間。
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          • 關鍵字：
                        DRAM                          
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          DRAM供不應求短期難解 三星計劃下季再調漲報價3~5%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　DRAM供不應求短期難解，全球DRAM制造龍頭韓國三星半導體通知渠道商，計劃明年第1季再調漲DRAM報價，漲幅3~5%，其中以行動式DRAM漲幅較大，這也說明三星在采取節(jié)制性增產下，仍不愿放棄持續(xù)拉升DRAM獲利，推升集團獲利表現(xiàn)，有助破除讓近期市場擔心三星可能會擴產，打亂DRAM產業(yè)秩序的疑慮。
　　中國臺灣地區(qū)DRAM大廠也強調，目前主要大廠包括三星、美光和SK海力士等，仍以升級制程作為提高DRAM產出的主要方向，預料即使三星調升部分產線，增加的DRAM產出仍無法滿足市場需求，預料明年DRAM還
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          • 關鍵字：
                        DRAM  三星                          
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          從Gartner預測全球半導體市場強增長看行業(yè)投資線索
          
                                                            
            
                    	
          • 　　知名信息技術研究和分析公司Gartner發(fā)布預測，2017年全球半導體市場總營收將達到4111億美元，較2016年增長19.7%。這是繼2010年從金融危機中復蘇且全球半導體營收增加31.8%之后，增長最為強勁的一次。根據Gartner統(tǒng)計及預測，全球半導體市場總營收在2014年~2016年的這3年間，規(guī)模在3400億美元左右。但2017年因為內存價格逐季大漲，帶動半導體市場出現(xiàn)強勁增長，這也是半導體市場年度總營收首度超過4000億美元大關。
　　Gartner研究總監(jiān)Jon Erensen表示，以
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          • 關鍵字：
                        DRAM  高通                          
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          國內芯片廠商砸180億造內存 不再看國外臉色！
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　去年雙11時，一條8G DDR4 2400hz的內存僅在300元左右，轉眼1年過去了，價格已經飆升至900元，也就是說兩條8GB的內存足以購買一塊中端顯卡了，這樣的價格很多年沒有看到過了，也導致了許多想更換內存的朋友望而生畏。
　　

 
　　其實內存主要上漲的原因就是內存的上游原料DRAM顆粒在近1年以來瘋狂的上漲，其漲幅到達了111%，原材料的上漲導致內存成本飆升。另一方面由于2016年時電腦市場內存飽和，許多DRAM顆粒制作廠商紛紛把銷售方向轉向了手機，因為手機在不斷的推出新產
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          • 關鍵字：
                        芯片  DRAM                          
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          內存竟然降價了：幅度驚人
          
                                                            
            
                    	
          • 僅僅是活動促銷，未來一段時間內，內存價格仍然會居高不下，有需要的用戶必然要繼續(xù)糾結。
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          • 關鍵字：
                        內存  DRAM                          
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          三星考慮明年擴大DRAM產能，恐改變目前供給緊俏格局
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，由于DRAM廠近兩年來產能擴張幅度有限，加上制程轉換的難度，DRAM供給成長明顯較往年放緩，配合著下半年終端市場消費旺季的推波助瀾，DRAM合約價自2016年中開啟漲價序幕。然而，三星傳出在考慮提高競爭者進入門檻的情況下，可能將擴大DRAM產能，恐將改變DRAM供給緊俏格局。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，以主流標準型內存模組(DDR4 4GB)合約價為例，從去年中開始起漲，由當時的DDR4 4GB 13美元均價拉升至今年
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          為何今年以來內存價格漲得這么瘋狂?
          
                                                            
            
                    	
          • 內存的上游原料DRAM顆粒在這1年以來，漲幅到達111%，原料價格的上漲導致內存成本上升，是最大的原因。
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          • 關鍵字：
                        內存  DRAM                          
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          全球2018年DRAM產業(yè)預估預測
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 本文介紹了2017年DRAM市場狀況，并對2018年的DRAM市場進行了分析預測。2018年預計僅增長19.6%，無大規(guī)模增產計劃下，供給將延續(xù)吃緊走勢。
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          • 關鍵字：
                        DRAM  市場  預測  201711                          
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