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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3nm

          臺(tái)積電Q1凈利潤(rùn)暴跌32% 今年砸80億美元研發(fā)7/5/3nm工藝

          • 作為全球晶圓代工市場(chǎng)的一哥,臺(tái)積電一家就占了全球50-60%的份額,幾乎吃下所有7nm先進(jìn)訂單。不過今年遇到了半導(dǎo)體市場(chǎng)熊市,臺(tái)積電Q1季度營收、盈利也不免受影響下滑,凈利潤(rùn)暴跌了32%。不過臺(tái)積電今年依然要砸錢研發(fā)新工藝,預(yù)計(jì)會(huì)在7nm、5nm及3nm工藝研發(fā)上投資80億美元之多。
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  Q1  7/5/3nm  

          三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

          • 在智能手機(jī)、存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)陷入競(jìng)爭(zhēng)不利或者跌價(jià)的困境之時(shí),三星也將業(yè)務(wù)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向邏輯工藝代工。在今天的三星晶圓代工SFF美國分會(huì)上,三星宣布四種FinFET工藝,涵蓋了7nm到4nm,再往后則是3nm GAA工藝了,通過使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)可使性能提升35%、功耗降低50%,芯片面積縮小45%。
          • 關(guān)鍵字: 三星  3nm  

          三星即將宣布3nm以下工藝路線圖 挑戰(zhàn)硅基半導(dǎo)體極限

          • 在半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)上,臺(tái)積電TSMC是全球一哥,一家就占據(jù)了全球50%以上的份額,而且率先量產(chǎn)7nm等先進(jìn)工藝,官方表示該工藝領(lǐng)先友商一年時(shí)間,明年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝。在臺(tái)積電之外,三星也在加大先進(jìn)工藝的追趕,目前的路線圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點(diǎn),下周三星就會(huì)宣布3nm以下的工藝路線圖,緊逼臺(tái)積電,而且會(huì)一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
          • 關(guān)鍵字: 三星  臺(tái)積電  3nm  

          3nm爭(zhēng)奪戰(zhàn)已打響

          • 科技的發(fā)展有時(shí)超出了我等普通人的想象,今年臺(tái)積電才開始量產(chǎn)7nm,計(jì)劃明年量產(chǎn)5nm,這不3nm又計(jì)劃在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),這樣的大踏步前進(jìn)可以說是競(jìng)爭(zhēng)爭(zhēng)奪激烈的結(jié)果、也是科技快速發(fā)展的結(jié)果。
          • 關(guān)鍵字: 3nm  臺(tái)積電  

          三星已成全球芯片霸主,規(guī)劃芯片制程路線:2022年要上3nm

          •   5月28日,三星電子在位于美國的 2018 年三星半導(dǎo)體代工論壇上,公布其全面的芯片制程技術(shù)路線圖,目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝?! ?jù)介紹,三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會(huì)分為 LPE 和 LPP 兩代,不過 7nm 算是個(gè)例外,沒有 LPE。之前已公布,三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn),2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝?! ∪潜硎荆?7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
          • 關(guān)鍵字: 三星  芯片  3nm  

          從7nm到3nm GAA,三星為何激進(jìn)地采用EUV?

          • 半導(dǎo)體業(yè)界為EUV已經(jīng)投入了相當(dāng)龐大的研發(fā)費(fèi)用,因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經(jīng)100%準(zhǔn)備就緒,但是三星已經(jīng)邁出了實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的第一步。
          • 關(guān)鍵字: 三星  EUV  3nm   

          臺(tái)積電計(jì)劃2022年量產(chǎn)3nm芯片

          •   臺(tái)積電在8月14日宣布,公司董事會(huì)已批準(zhǔn)了一項(xiàng)約45億美元的資本預(yù)算。未來將會(huì)使用該預(yù)算來修建新的晶圓廠,而現(xiàn)在中國臺(tái)灣媒體報(bào)道稱,臺(tái)積電計(jì)劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠,希望能夠在2022年實(shí)現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)?! 「鶕?jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》的報(bào)道,臺(tái)灣相關(guān)部門通過了「臺(tái)南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計(jì)劃環(huán)差案」,這項(xiàng)議案主要是為了臺(tái)積電全新的晶圓制造廠而打造。  據(jù)悉,臺(tái)積電計(jì)劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠,同時(shí)最快可以在2022年實(shí)現(xiàn)對(duì)于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺(tái)積
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電,3nm,芯片  

          aveni S.A. 運(yùn)用創(chuàng)新電鍍化學(xué),將銅互連擴(kuò)展至5nm及以下節(jié)點(diǎn)以實(shí)現(xiàn)BEOL集成

          •   為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術(shù)與化學(xué)材料的開發(fā)商與生產(chǎn)商aveni S.A.今日宣布,其已獲得成果可有力支持在先進(jìn)互連的后段制程中,在5nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)可繼續(xù)使用銅?!  钢荡算~集成20周年之際,我們的研究結(jié)果證實(shí)了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達(dá)的意見:『銅集成可持續(xù)使用』?!筧veni執(zhí)行長(zhǎng)Bruno Morel指出。  由于器件要滿足(和創(chuàng)
          • 關(guān)鍵字: aveni  3nm  

          暗流涌動(dòng) 晶圓市場(chǎng)強(qiáng)者生存

          • 目前晶圓代工市場(chǎng)三強(qiáng)分立,Intel、三星、臺(tái)積電都在積極備戰(zhàn)之中。而中國市場(chǎng)也是這些大佬的兵家必爭(zhēng)之地,擁有了中國市場(chǎng)便擁有了全世界。晶圓市場(chǎng)暗流涌動(dòng),鹿死誰手猶未可知。
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  3nm  

          摩爾定律:始于半導(dǎo)體 終于物理極限?

          • 摩爾定律的提出只為預(yù)測(cè)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì),但是隨著其在半導(dǎo)體行業(yè)的聲名鵲起,外界各行各業(yè)對(duì)于競(jìng)相仿效。
          • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  3nm  

          張忠謀:3nm晶圓廠2020年開建 未來3年收入增幅都達(dá)5-10%

          •   臺(tái)積電創(chuàng)始人兼董事長(zhǎng)張忠謀在近日的一次公司會(huì)議上披露,臺(tái)積電將在2020年開工建設(shè)3nm工藝晶圓廠,但不會(huì)去美國設(shè)廠,而是堅(jiān)持留在中國臺(tái)灣本土,確切地說是在南部科技園區(qū)。   張忠謀提出,臺(tái)積電相信當(dāng)?shù)卣畷?huì)解決好3nm工廠建設(shè)所需的水電土地問題,并提供全力協(xié)助。   按照張忠謀此前的說法,3nm工廠建設(shè)預(yù)計(jì)會(huì)花費(fèi)超過200億美元,同時(shí)有望帶動(dòng)相關(guān)供應(yīng)商跟進(jìn)建廠,拉動(dòng)臺(tái)南地區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展。   他沒有透露3nm工廠何時(shí)完工、新工藝何時(shí)量產(chǎn),但即便不考慮額外困難和挑戰(zhàn),最快也得是2023年的事兒了。
          • 關(guān)鍵字: 3nm  晶圓  

          臺(tái)積電欲建全球首個(gè)3nm晶圓廠 張忠謀又在唱哪出戲?

          •   10月7日,芯片代工廠臺(tái)積電宣布選址南科臺(tái)南園區(qū)興建3nm晶圓廠。據(jù)臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀透漏,臺(tái)積電此次將投資約200億美元用于晶圓廠的建設(shè),于2020年左右竣工,這也將成為全球首家3nm晶圓廠。   2016年末至2017年初,三星與臺(tái)積電先后推出10nm制程工藝,穩(wěn)占手機(jī)芯片市場(chǎng)80%以上的市場(chǎng)份額。在這場(chǎng)角斗中,英特爾由于研發(fā)步伐稍微緩慢,錯(cuò)失了市場(chǎng)先機(jī)。即使后來推出的10nm工藝遠(yuǎn)超三星與臺(tái)積電,但是對(duì)于整體市場(chǎng)來說,并沒有太大影響。   臺(tái)積電面臨的局勢(shì)   臺(tái)積電主要客戶為蘋果、高通、
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  3nm  

          張忠謀:3nm制程會(huì)出來 2nm后很難

          •   臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀表示,摩爾定律可能還可再延續(xù)10年,3nm制程應(yīng)該會(huì)出來,2nm則有不確定性,2nm之后就很難了。   張忠謀表示,1998年英特爾總裁貝瑞特來臺(tái)時(shí),兩人曾針對(duì)摩爾定律還可延續(xù)多久進(jìn)行討論,他當(dāng)時(shí)回答還有15年,貝瑞特較謹(jǐn)慎回答,大概還有10年。   現(xiàn)在已經(jīng)2017年,張忠謀表示,兩人當(dāng)時(shí)的答案都錯(cuò)了;他指出,目前大膽預(yù)測(cè)摩爾定律可能再有10年。   張忠謀表示,臺(tái)積電明年將生產(chǎn)7nm制程,5nm已研發(fā)差不多,一定會(huì)出來,3nm也已經(jīng)做2至3年,看來也是會(huì)出來。   張忠謀
          • 關(guān)鍵字: 3nm  2nm  

          臺(tái)積備戰(zhàn)3nm全靠極紫外光(EUV)微影設(shè)備

          •   極紫外光(EUV)微影設(shè)備無疑是半導(dǎo)體制程推向3nm的重大利器。這項(xiàng)每臺(tái)要價(jià)高達(dá)逾近億美元的尖端設(shè)備,由荷商ASML獨(dú)家生產(chǎn)供應(yīng),目前主要買家全球僅臺(tái)積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。   EUV設(shè)備賣價(jià)極高,原因是開發(fā)成本高,因此早期ASML為了分?jǐn)傞_發(fā)風(fēng)險(xiǎn),還特別邀請(qǐng)臺(tái)積電、三星和英特爾三大廠入股,但隨著開發(fā)完成,臺(tái)積電后來全數(shù)出脫艾司摩爾股票,也獲利豐碩。   有別于過去半導(dǎo)體采用浸潤(rùn)式曝光機(jī),是在光源與晶圓中間加入水的原理,使波長(zhǎng)縮短到193/132nm的微影技術(shù),EUV微影設(shè)備是利
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  3nm  

          臺(tái)灣:AI終端芯片需要3nm制程生產(chǎn)

          •   人工智能(AI)成為下世代科技發(fā)展重點(diǎn),工研院 IEK 計(jì)劃副組長(zhǎng)楊瑞臨表示,AI 終端載具數(shù)量將遠(yuǎn)小于手機(jī),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)恐將增大,芯片業(yè)者應(yīng)朝系統(tǒng)與服務(wù)領(lǐng)域發(fā)展。   工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)計(jì)劃副組長(zhǎng)楊瑞臨指出,人工智能大致可分為數(shù)據(jù)收集與決策兩部分;其中,數(shù)據(jù)收集方面,因需要大量運(yùn)算,應(yīng)在云端進(jìn)行。   決策方面,目前各國仍以云端發(fā)展為主,楊瑞臨表示,未來決策能否改由終端執(zhí)行,是各界視為臺(tái)灣發(fā)展 AI 的一大機(jī)會(huì)。   只是無人機(jī)、自駕車、機(jī)器人與虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)/擴(kuò)增實(shí)境
          • 關(guān)鍵字: AI  3nm  
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