3nm 文章 進(jìn)入3nm技術(shù)社區(qū)
三星率先發(fā)布3nm芯片,日本歐盟正在發(fā)力攻克2nm
- 關(guān)于芯片,大多數(shù)小伙伴了解到的,當(dāng)下最先進(jìn)的生產(chǎn)工藝是5nm,當(dāng)然也一直流傳臺(tái)積電正在研發(fā)3納米,甚至2納米的生產(chǎn)工藝。其中臺(tái)積電一直在技術(shù)上處于領(lǐng)先地位,可誰也沒想到的是,三星率先發(fā)布了3nm芯片。在剛剛過去不久的IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會(huì)上,三星首發(fā)應(yīng)用3nm工藝制造的SRAM存儲(chǔ)芯片,將半導(dǎo)體工藝再度推上一個(gè)進(jìn)程,國際固態(tài)電路大會(huì)我在之前的視頻里提到過好多次,是世界最權(quán)威的行業(yè)會(huì)議,所以這也證明的三星的技術(shù)實(shí)力真的很強(qiáng)。而我國目前在生產(chǎn)工藝上,最厲害的中芯國際也只停留在今年可以實(shí)現(xiàn)7nm試
- 關(guān)鍵字: 三星 3nm
臺(tái)積電 3nm 制程本月已試產(chǎn),量產(chǎn)時(shí)程將提前
- 3月30日消息去年 8 月,臺(tái)積電總裁魏哲家在臺(tái)積電技術(shù)論壇上表示,3nm 預(yù)計(jì) 2021 年試產(chǎn),將于 2022 年下半年量產(chǎn)?! ?jù)財(cái)聯(lián)社,供應(yīng)鏈消息傳出,臺(tái)積電 3nm 制程進(jìn)展順利,試產(chǎn)進(jìn)度優(yōu)于預(yù)期,已于 3 月開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)并小量交貨?! ∨_(tái)積電對(duì)此消息回應(yīng)稱,不評(píng)論市場傳聞?! T之家了解到,臺(tái)積電董事長劉德音此前透露 3nm 按計(jì)劃時(shí)程發(fā)展,進(jìn)度甚至較原先預(yù)期超前?! ?jù)臺(tái)媒Digitimes 此前報(bào)道,臺(tái)積電隸屬于 5nm 家族的 4nm 制程,原本預(yù)計(jì) 2021 年第四季度試產(chǎn),2
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 3nm
臺(tái)積電和蘋果合作致力2nm工藝開發(fā),傳聞3nm芯片訂單勢頭強(qiáng)勁
- 近期臺(tái)積電(TSMC)和蘋果更緊密和高效的合作,使得研發(fā)上取得了多項(xiàng)突破。 目前手機(jī)開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片,即將推出的A15 Bionic預(yù)計(jì)將使用更先進(jìn)的N5P節(jié)點(diǎn)工藝制造,預(yù)計(jì)蘋果將在2021年占據(jù)臺(tái)積電80%的5nm產(chǎn)能。不過臺(tái)積電很快將向3nm工藝推進(jìn),并且進(jìn)一步到2nm工藝,這都只是時(shí)間問題?! ?jù)Wccftech報(bào)道,為了更好地達(dá)成這些目標(biāo),臺(tái)積電和蘋果已聯(lián)手推動(dòng)芯片的開發(fā)工作,將硅片發(fā)展推向極限。臺(tái)積電和蘋果都為了同一個(gè)目標(biāo)而努力,不過受益者可能不只是蘋果,還有英特爾。臺(tái)
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 蘋果 2nm 3nm
臺(tái)積電今年提前投產(chǎn)3nm:Intel也要用!
- 在新制程工藝推進(jìn)速度上,臺(tái)積電已經(jīng)徹底無敵,Intel、三星都已經(jīng)望塵莫及。據(jù)最新消息,臺(tái)積電將在今年下半年提前投產(chǎn)3nm工藝,雖然只是風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)和小規(guī)模量產(chǎn),但也具有里程碑式的意義。很自然的,臺(tái)積電會(huì)在明年大規(guī)模量產(chǎn)3nm,初期產(chǎn)能每月大約3萬塊晶圓,到了2023年可達(dá)每月10.5萬塊晶圓,趕上目前5nm的產(chǎn)能,而后者在去年第四季度的產(chǎn)能為每月9萬塊晶圓。根據(jù)臺(tái)積電數(shù)據(jù),3nm雖然繼續(xù)使用FinFET晶體管,但是相比于5nm晶體管密度增加70%,性能可提升11%,或者功耗可降低27%。據(jù)悉,蘋果將是臺(tái)積
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 3nm Intel
消息稱臺(tái)積電將量產(chǎn)3nm芯片:性能、功耗大幅優(yōu)于5nm
- 據(jù)外媒最新消息稱,臺(tái)積電有望在2022年下半年開始啟用3nm制造工藝,屆時(shí)該晶圓廠將有能力處理3萬片使用更先進(jìn)技術(shù)打造的晶圓。據(jù)報(bào)道,得益于蘋果的訂單承諾,臺(tái)積電計(jì)劃在2022年將3nm工藝的月產(chǎn)能擴(kuò)大到5.5萬片,并將在2023年進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)量至10.5萬片。3nm工藝比5nm工藝的功耗和性能分別提升30%和15%。臺(tái)積電計(jì)劃在今年全年擴(kuò)大5nm工藝的制造能力,以滿足主要客戶日益增長的需求。根據(jù)今天的報(bào)告,臺(tái)積電將在2021年上半年將規(guī)模從2020年第四季度的9萬片提升至每月10.5萬片,并計(jì)劃在今年下
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 3nm
CES上演芯片競賽 英特爾CEO司睿博:我們不是守成派
- 巨頭們進(jìn)一步更新自家產(chǎn)品線?! ?月11-14日,CES消費(fèi)電子展在線上拉開2021年科技界的序幕,除了機(jī)器人、可穿戴、未來電視等終端產(chǎn)品之外,核心的芯片廠商也亮出大招,展開新一代處理器的軍備競賽?! ∑渲?,英特爾在CES發(fā)布會(huì)上猛秀技術(shù)肌肉,推出了四大全新處理器家族,主要面向PC端的商用、教育、移動(dòng)和游戲計(jì)算領(lǐng)域,一共涉及50多款處理器產(chǎn)品,并將在2021年推出500多款全新的筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)。其中就包括第11代酷睿S系列臺(tái)式機(jī)處理器(代號(hào) “Rocket Lake-S”)及其下一代處理器(代號(hào)
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 3nm 英特爾
臺(tái)積電與三星3nm開發(fā)遇阻 量產(chǎn)時(shí)間或?qū)⑼七t
- 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露,目前臺(tái)積電FinFET和三星GAA在3nm工藝的開發(fā)過程中都遇到了瓶頸。因此二者3nm制程工藝的開發(fā)進(jìn)度都將放緩。此前,按臺(tái)積電公布的計(jì)劃,3nm將于今年完成認(rèn)證與試產(chǎn),2022年投入大規(guī)模量產(chǎn),甚至業(yè)界有傳聞稱蘋果已率先包下臺(tái)積電3nm初期產(chǎn)能,成為臺(tái)積電3nm的第一批客戶。此前業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電和三星的3nm工藝都會(huì)在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),而臺(tái)積電有望領(lǐng)先三星至少半年。此前臺(tái)積電曾宣稱,其3nm工藝會(huì)比目前最新的5nm工藝性能提升10%-15%,功耗將降低20%-25%。臺(tái)積電20
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 三星 3nm
才用上5nm芯片!3nm就要來了?
- 外媒報(bào)道,臺(tái)積電和三星在3nm工藝技術(shù)的開發(fā)中遇到了不同卻關(guān)鍵的瓶頸。 因此,臺(tái)積電和三星將不得不推遲3nm工藝技術(shù)的開發(fā)進(jìn)度。不過,臺(tái)積電依然計(jì)劃,今年3nm工藝將完成試生產(chǎn),并預(yù)計(jì)2022年批量投入生產(chǎn)。三星采用的是“GAAFET”架構(gòu),業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為它可以更精確控制跨通道的電流,并有效縮小芯片面積以降低功耗。而臺(tái)積電使用的是更為成熟的“FinFET”架構(gòu)以用于其3nm制程。截止目前,有報(bào)道稱,蘋果已經(jīng)占據(jù)了臺(tái)積電的3nm工藝訂單中的很大一部分,意味著蘋果會(huì)成為臺(tái)積電3nm工藝的首批客戶之一。若3nm工
- 關(guān)鍵字: 5nm 3nm 臺(tái)積電
臺(tái)積電宣布2023年投產(chǎn)3nm Plus工藝:蘋果首發(fā)
- 臺(tái)積電在新工藝方面真是猶如一頭猛獸,無可阻擋(當(dāng)然取消優(yōu)惠也攔不住),今年已經(jīng)量產(chǎn)5nm工藝,而接下來的重大節(jié)點(diǎn)就是3nm,早已宣布會(huì)在2022年投入規(guī)模量產(chǎn)。今天,臺(tái)積電又宣布,將會(huì)在2023年推出3nm工藝的增強(qiáng)版,命名為“3nm Plus”,首發(fā)客戶是蘋果。如果蘋果繼續(xù)一年一代芯片,那么到2023年使用3nm Plus工藝的,將會(huì)是“A17”。臺(tái)積電沒有透露3nm Plus相比于3nm有何變化,但是顯然會(huì)有更高的晶體管密度、更低的功耗、更高的運(yùn)行頻率。按照臺(tái)積電的說法,3nm工藝相比于5nm可帶來最
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 3nm Plus 蘋果
外媒:臺(tái)積電3nm工藝有望獲得英特爾訂單
- 9月28日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,在此前的報(bào)道中,外媒曾提到,考慮由其他廠商代工芯片的英特爾,已經(jīng)將2021年18萬片晶圓GPU的代工訂單交給了臺(tái)積電,將采用后者的6nm工藝。而外媒最新的報(bào)道顯示,除了18萬片晶圓GPU的代工訂單,臺(tái)積電尚未投產(chǎn)的3nm工藝,也有望獲得英特爾的訂單。外媒在報(bào)道中表示,臺(tái)積電的3nm工藝準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能,首波產(chǎn)能中的大部分將留給大客戶蘋果,后3波產(chǎn)能也將被眾多廠商預(yù)訂,其中就包括英特爾。產(chǎn)能預(yù)訂者中將有英特爾,也就意味著在外媒看來,臺(tái)積電的3nm工藝,將獲得英特爾的訂單。不過,
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 3nm 英特爾
華為無緣:消息稱臺(tái)積電3nm首波產(chǎn)能基本都是蘋果的
- 對(duì)于華為來說,美國將禁令升級(jí)后,對(duì)它們自研麒麟芯片打擊是最直接的,也難怪余承東會(huì)說,麒麟9000(基于臺(tái)積電5nm工藝)會(huì)是華為高端芯片的絕版。據(jù)最新消息稱,在5nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)之后,臺(tái)積電將投產(chǎn)的下一代重大芯片制程工藝,就將是3nm,目前正在按計(jì)劃推進(jìn),計(jì)劃在2021年開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。據(jù)悉,臺(tái)積電3nm工藝準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能,其中首波產(chǎn)能中的大部分,將留給他們的大客戶蘋果。臺(tái)積電目前正在按計(jì)劃推進(jìn)3nm工藝在2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn),設(shè)定的產(chǎn)能是每月5.5萬片晶圓。但知情人士也
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 3nm 華為
跳過5nm 臺(tái)積電透露Graphcore下一代IPU將基于3nm工藝研發(fā)
- 據(jù)國外媒體報(bào)道,5nm工藝在今年一季度投產(chǎn)之后,臺(tái)積電下一代工藝研發(fā)的重點(diǎn)已轉(zhuǎn)移到了3nm,目前正在按計(jì)劃推進(jìn),計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。在2020年度的臺(tái)積電全球技術(shù)論壇上,他們也提到了3nm工藝,披露了3nm工藝的性能提升信息。外媒最新的報(bào)道顯示,在介紹3nm的工藝時(shí),臺(tái)積電重點(diǎn)提到了為人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)研發(fā)加速器的半導(dǎo)體廠商Graphcore。臺(tái)積電透露,Graphcore用于加速機(jī)器學(xué)習(xí)的下一代智能處理單元(IPU),將基于臺(tái)積電的3nm工藝研發(fā),越過5nm工藝。Gra
- 關(guān)鍵字: 5nm 臺(tái)積電 Graphcore IPU 3nm
臺(tái)積電確認(rèn)正研發(fā)3nm和4nm工藝:功耗降低30%、2022年量產(chǎn)
- 在臺(tái)積電第26屆技術(shù)研討會(huì)上,臺(tái)積電不僅確認(rèn)5nm、6nm已在量產(chǎn)中,且5nm還將在明年推出N5P增強(qiáng)版外,更先進(jìn)的3nm、4nm也一并公布。3nm是5nm的自然迭代,4nm理論上說是5nm的終極改良。技術(shù)指標(biāo)方面,3nm(N3)將在明年晚些時(shí)候風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年投入大規(guī)模量產(chǎn)。相較于5nm,3nm將可以帶來25~30%的功耗減少、10~15%的性能提升。4nm(N4)同樣定于明年晚些時(shí)候風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022年量產(chǎn)。對(duì)于臺(tái)積電N5客戶來說,將能非常平滑地過渡到N4,也就是流片成本大大降低、進(jìn)度大大加快。當(dāng)
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 3nm 4nm
臺(tái)積電披露3nm工藝更多細(xì)節(jié)信息 晶體管密度是5nm工藝1.7倍
- 據(jù)國外媒體報(bào)道,正如外媒此前所預(yù)期的一樣,芯片代工商臺(tái)積電在今日開始的全球技術(shù)論壇上,披露了下一代先進(jìn)工藝3nm的更多細(xì)節(jié)信息。2020年的臺(tái)積電全球技術(shù)論壇,是他們舉行的第二十六屆全球技術(shù)論壇,論壇上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先進(jìn)工藝方面的信息,但在5nm工藝已經(jīng)投產(chǎn)的情況下,外界最期待的還是5nm之后的下一個(gè)全新工藝節(jié)點(diǎn)3nm工藝。在今天的論壇上,臺(tái)積電也披露了3nm工藝的相關(guān)信息。他們的3nm工藝,仍將繼續(xù)使用鰭式場效應(yīng)(FinFET)晶體管,不會(huì)采用三星計(jì)劃在3nm工藝節(jié)點(diǎn)上使用的
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 3nm 5nm 晶體管
3nm介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3nm的理解,并與今后在此搜索3nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3nm的理解,并與今后在此搜索3nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473