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          臺(tái)積電 3nm 工藝生產(chǎn) A17:目標(biāo)良率 55%,蘋果只為合格產(chǎn)品付費(fèi)

          • 7 月 14 日消息,蘋果 A17 仿生芯片和 M3 芯片將使用臺(tái)積電第一代 3nm 工藝,占了臺(tái)積電產(chǎn)能的 90%,目標(biāo)良率是 55%。報(bào)道稱,由于現(xiàn)階段的良率仍然過低,蘋果將僅向臺(tái)積電支付合格產(chǎn)品的費(fèi)用,而不是標(biāo)準(zhǔn)的晶圓價(jià)格,而標(biāo)準(zhǔn)晶圓價(jià)格可達(dá) 17000 美元。據(jù)了解,如果良率達(dá)到 70%,蘋果將按照標(biāo)準(zhǔn)晶圓價(jià)格付費(fèi),但業(yè)界預(yù)計(jì) 2024 年上半年之前,良率都不會(huì)達(dá)到這個(gè)高值。蘋果可能會(huì)在 2024 年改用 N3E 工藝,不再使用第一代 3nm(N3B),據(jù)說 N3E 具有更好的良率和更低的生產(chǎn)成本
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          蘋果A17處理器或?qū)⒂袃煞N3nm工藝批次 芯片效能有差異

          • 蘋果將繼續(xù)在今年9月舉辦一年一度的秋季新品發(fā)布會(huì),屆時(shí)全新的iPhone 15系列將正式與大家見面,不出意外的話該系列將繼續(xù)推出包含iPhone 15、iPhone 15 Plus、iPhone 15 Pro和iPhone15 Pro Max四款機(jī)型,將在不同程度上帶來升級(jí),尤其新一代的A17芯片早就成為大家關(guān)注的焦點(diǎn)。根據(jù)此前曝光的消息,全新的iPhone 15系列將繼續(xù)提供與iPhone 14系列相同的四款機(jī)型,并且仍然有著明顯的兩極分化。其中兩個(gè)Pro版將會(huì)配備ProMotion顯示屏,屏幕亮度進(jìn)一
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          高通驍龍8 Gen 2芯片售價(jià)高達(dá)160美元 下一代無緣3nm工藝

          • 高通宣布將在10月24日-26日召開2023驍龍技術(shù)峰會(huì),如無意外,這次的峰會(huì)主角就是新款旗艦芯片驍龍8 Gen 3。根據(jù)目前的消息,驍龍8 Gen 3無緣3nm,將繼續(xù)采用臺(tái)積電4nm工藝,只因三個(gè)字:用不起。此前就有業(yè)內(nèi)人士表示,驍龍8 Gen 2的造價(jià)非常高,一顆驍龍8 Gen 2就得千元出頭。近期分析師進(jìn)一步指出了驍龍8 Gen 2的詳細(xì)造價(jià)。分析師Derrick在推特上表示,驍龍8 Gen 2的單價(jià)高達(dá)160美元,而iPhone14 Pro系列搭載的A16芯片,單顆造價(jià)為110美元左右。如果和i
          • 關(guān)鍵字: 高通  驍龍  芯片  3nm  

          3nm貴出天際 多家客戶推遲訂單 臺(tái)積電喊話:別怕漲價(jià) 在想辦法了

          • 5月12日消息,臺(tái)積電去年底已經(jīng)量產(chǎn)了3nm工藝,今年會(huì)大規(guī)模放量,蘋果依然會(huì)首發(fā)3nm,但是臺(tái)積電的3nm工藝代工成本不菲,很多廠商也吃不消。此前數(shù)據(jù)顯示,從10nm開始,臺(tái)積電的每片晶圓價(jià)格開始瘋狂增長(zhǎng),2018年的7nm晶圓每片價(jià)格飆升至10000美元,2020年的5nm工藝晶圓每片價(jià)格突破16000美元。而到了3nm工藝,這個(gè)數(shù)字就達(dá)到了20000美元,約合14萬人民幣,而且這還是基準(zhǔn)報(bào)價(jià),訂單量不夠的話價(jià)格會(huì)更高。這也導(dǎo)致除了蘋果之外,其他客戶,如AMD、NVIDIA、高通、聯(lián)發(fā)科等,要么推遲3
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  3nm  晶圓  

          臺(tái)積電3nm工藝面臨挑戰(zhàn):當(dāng)前良品率只有55%

          • 在7nm、5nm等先進(jìn)制程工藝上率先量產(chǎn)的臺(tái)積電,也被認(rèn)為有更高的良品率,但在量產(chǎn)時(shí)間晚于三星近半年的3nm制程工藝上,臺(tái)積電可能遇到了良品率方面的挑戰(zhàn),進(jìn)而導(dǎo)致他們這一制程工藝的產(chǎn)能提升受到了影響。
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  3nm  工藝  良品率  

          臺(tái)積電預(yù)計(jì) 3nm 工藝 Q3 開始帶來可觀營(yíng)收,目前產(chǎn)能無法滿足需求

          • 4 月 24 日消息,據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電仍采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管架構(gòu)的 3nm 制程工藝,在去年的 12 月 29 日正式開始商業(yè)化生產(chǎn),雖然較三星電子晚了近半年,但仍被業(yè)界看好。對(duì)于 3nm 制程工藝,臺(tái)積電管理層在一季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上,也有重點(diǎn)談及。在財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上,臺(tái)積電 CEO 魏哲家表示,他們的 3nm 制程工藝以可觀的良品率量產(chǎn),在高性能計(jì)算和智能手機(jī)應(yīng)用需求的推動(dòng)下,客戶對(duì) 3nm 制程工藝的需求超過了他們的產(chǎn)能,他們預(yù)計(jì)今年的產(chǎn)能將得到充分利用。魏哲家在會(huì)上還透露,他們的 3n
          • 關(guān)鍵字: 3nm  臺(tái)積電  

          業(yè)界首款3nm數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施芯片發(fā)布

          • 近日,美國IC設(shè)計(jì)公司Marvell正式發(fā)布了基于臺(tái)積電3納米打造的資料中心芯片,而這也是業(yè)界首款3nm數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施芯片。據(jù)臺(tái)積電此前介紹,相較于5nm制程,3nm制程的邏輯密度將增加約70%,在相同功耗下速度提升10-15%,或者在相同速度下功耗降低25-30%。臺(tái)積電3納米芯片可用于新產(chǎn)品設(shè)計(jì),包括基礎(chǔ)IP構(gòu)建塊,112G XSR SerDes(串行器/解串行器)、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 PHY/CXL 3.0 SerDes和240 Tbps并行芯片到芯片互連等。照M
          • 關(guān)鍵字: 3nm  基礎(chǔ)設(shè)施  Marvell  

          臺(tái)積電 3nm 制程工藝月產(chǎn)能逐步提升,下月有望達(dá)到 4.5 萬片晶圓

          • 2 月 24 日消息,據(jù)外媒報(bào)道,在三星電子采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的 3nm 制程工藝量產(chǎn)之后,臺(tái)積電仍采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的 3nm 制程工藝,也在去年的 12 月 29 日正式開始商業(yè)化生產(chǎn)。從外媒最新的報(bào)道來看,同臺(tái)積電此前的工藝一樣,去年 12 月份量產(chǎn)的 3nm 制程工藝,產(chǎn)能也在逐步提升,月產(chǎn)能在下月將達(dá)到 4.5 萬片晶圓。報(bào)道稱,蘋果預(yù)訂臺(tái)積電 3nm 制程工藝量產(chǎn)初期的全部產(chǎn)能,提及臺(tái)積電這一工藝的月產(chǎn)能量時(shí)表示,將在下月達(dá)到 4.5 萬片晶圓。不過,即便臺(tái)積電 3nm 制程工藝的產(chǎn)能
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          英特爾推遲向臺(tái)積電訂購3nm芯片訂單

          • 據(jù)DigiTimes報(bào)道,英特爾與臺(tái)積電在3nm制造方面的合作將推遲到2024年第四季度。近年來,英特爾的制造工藝和PC平臺(tái)藍(lán)圖頻繁修改,產(chǎn)品上市延遲嚴(yán)重打亂了供應(yīng)鏈的產(chǎn)銷計(jì)劃。如果上述報(bào)道準(zhǔn)確,首款A(yù)rrow Lake處理器將在2024年第四季度末和2025年第一季度逐漸出貨。此前消息稱英特爾Arrow Lake處理器采用混合小芯片構(gòu)架,在GPU的芯片塊部分據(jù)稱是采用臺(tái)積電的3nm工藝。按計(jì)劃在Arrow Lake之前,英特爾將在今年晚些時(shí)候推出Raptor Lake-S桌面處理器,為發(fā)燒友和工作站市場(chǎng)
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          蘋果可能將是臺(tái)積電3nm工藝唯一主要客戶,高通聯(lián)發(fā)科尚未決定

          • 據(jù)國外媒體報(bào)道,在三星電子的3nm制程工藝量產(chǎn)近半年之后,臺(tái)積電的3nm制程工藝也已在去年12月29日正式開始商業(yè)化量產(chǎn),為相關(guān)的客戶代工晶圓。雖然比三星3nm工藝量產(chǎn)晚了半年,但是在良率上一直被認(rèn)為遠(yuǎn)超三星。臺(tái)積電CEO劉德音還表示,相比于5nm工藝,3nm工藝的邏輯密度將增加60%,相同速度下功耗降低30-35%,這將是最先進(jìn)的工藝。有消息人士稱,臺(tái)積電3nm的主要客戶今年可能只有蘋果一家,有望在蘋果M2 Pro芯片上首次應(yīng)用,后面的A17仿生芯片也會(huì)跟進(jìn)。在報(bào)道中,相關(guān)媒體也提到高通和聯(lián)發(fā)科這兩大智
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          臺(tái)積電的3nm:高通不敢用了

          • 按照正常邏輯,高通下一代驍龍8 Gen3升級(jí)3nm將順利成章,但會(huì)不會(huì)繼續(xù)由口碑很好的臺(tái)積電代工,似乎還懸而未決。其中一個(gè)關(guān)鍵問題在于,臺(tái)積電3nm晶圓的報(bào)價(jià)是2萬美元/片,比5nm貴了20%。高通測(cè)算后發(fā)現(xiàn),對(duì)于自己這意味著數(shù)百萬美元的成本增加。即便高通能接受,其下游客戶也就是手機(jī)廠商們很難吃得消。三星那邊雖然便宜,可還在良率提高一事上苦苦掙扎,能否盡早完成,有待觀察。
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          iPhone 15 Pro首發(fā)!蘋果A17芯片要用3nm工藝

          • 今日消息,據(jù)MacRumors爆料, 蘋果在2023年發(fā)布的iPhone 15 Pro上使用了A17 Bionic,這顆芯片集于臺(tái)積電3nm工藝(N3)打造。爆料指出,臺(tái)積電3nm工藝已經(jīng)開始量產(chǎn),蘋果將會(huì)是臺(tái)積電3nm工藝最大的客戶, A17 Bionic以及蘋果M2 Pro和M2 Max等芯片都是采用臺(tái)積電3nm工藝。根據(jù)臺(tái)積電說法, 對(duì)比N5工藝,N3功耗可降低約25-30%,性能可提升10-15%,晶體管密度提升約70%。 N3工藝的SRAM單元的面積為0.
          • 關(guān)鍵字: 蘋果  芯片  3nm  iPhone 15 Pro  

          臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音:3nm 需求非常強(qiáng)勁,是世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)

          • IT之家 12 月 29 日消息,臺(tái)積電今日上午在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)舉辦 3 納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮,正式宣布啟動(dòng) 3 納米大規(guī)模生產(chǎn)。據(jù)臺(tái)媒中央社報(bào)道,臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音表示,晶圓 18 廠是臺(tái)積電 5 納米及 3 納米生產(chǎn)重鎮(zhèn),總投資金額將達(dá) 1.86 萬億新臺(tái)幣(約 4222.2 億元人民幣),預(yù)計(jì)將創(chuàng)造 1.13 萬個(gè)直接高科技工作機(jī)會(huì)。另據(jù)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,劉德音稱 3 納米制程良率與 5 納米量產(chǎn)時(shí)的良率相當(dāng),是世界最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù),應(yīng)用
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  3nm  

          無需3nm工藝 全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC問世:功耗低至1毫安

          • 臺(tái)積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝,這是當(dāng)前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝,然而3nm這樣的工藝不僅成本極高,同時(shí)SRAM內(nèi)存還有無法大幅微縮的挑戰(zhàn),國產(chǎn)半導(dǎo)體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片,是全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC。存內(nèi)計(jì)算是一種新型架構(gòu)的芯片,相比當(dāng)前的計(jì)算芯片采用馮諾依曼架構(gòu)不同, 存內(nèi)計(jì)算是計(jì)算與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)一體,可以解決內(nèi)存墻的問題,該技術(shù)60年代就有提出,只是一直沒有商業(yè)化。知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC芯片,擁有高算力存內(nèi)計(jì)算核,相對(duì)于NPU、DSP
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          臺(tái)積電下周舉行3納米量產(chǎn)典禮 臺(tái)媒稱宣示深耕臺(tái)灣決心

          • 日前,臺(tái)積電發(fā)出活動(dòng)通知,預(yù)計(jì)12月29日在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的晶圓18廠新建工程基地,舉行3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮,屆時(shí)將有上梁儀式。業(yè)界認(rèn)為,由于臺(tái)積電過往先進(jìn)制程量產(chǎn)罕有舉辦實(shí)體活動(dòng),此舉意義重大。據(jù)臺(tái)灣地區(qū)媒體經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,臺(tái)積電擴(kuò)大美國投資,外派工程師赴美支援,引發(fā)“去臺(tái)化”、掏空臺(tái)灣疑慮,即將舉行的3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮,罕見以實(shí)際行動(dòng)宣示持續(xù)深耕臺(tái)灣的決心,化解外界疑慮。報(bào)道指出,相較于對(duì)手三星(Samsung)于今年6月30日搶先宣布3納米GAA技術(shù)量產(chǎn),并于7月25日在京畿道華城廠區(qū)內(nèi)盛大舉行3納米
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