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40nm
40nm 文章 進(jìn)入40nm技術(shù)社區(qū)
三星加大DDR3芯片產(chǎn)量緩解市場(chǎng)需求壓力
- 據(jù)報(bào)道,三星芯片部總裁Oh-Hyun Kwon近日在臺(tái)北舉行的三星年度移動(dòng)解決方案論壇上表示,三星正在提高DDR3芯片產(chǎn)量,以緩解目前市場(chǎng)上DDR3芯片供應(yīng)短缺現(xiàn)狀。 Oh-Hyun Kwon指出,DDR3芯片的需求增長(zhǎng)量超過了先前的預(yù)計(jì),導(dǎo)致了DDR3供應(yīng)短缺。不過三星目前已經(jīng)加大了DDR3芯片生產(chǎn)量,以滿足市場(chǎng)的增長(zhǎng)需求,40nm工藝將成為他們明年芯片生產(chǎn)的主要處理技術(shù)。 Oh-Hyun Kwon認(rèn)為,提高產(chǎn)量的方法并不只是多建幾家工廠,技術(shù)升級(jí)將是三星以后提高芯片產(chǎn)量的主要途徑。
- 關(guān)鍵字: 三星 40nm DRAM DDR3
芯片代工新貴崢嶸畢露 臺(tái)積電捍衛(wèi)主導(dǎo)地位
- Globalfoundries位于歐洲的晶圓代工廠已經(jīng)開始承接40nm芯片代工,劍指22nm制程的晶圓廠也在紐約破土動(dòng)工。臺(tái)積電作為芯片代工領(lǐng)域的帶頭大哥,它將怎樣接招迎敵 只要是在摩爾定律行之有效的地方,企業(yè)就必須跟上它的步伐,為此才能在市場(chǎng)上占有一席之地。 8月11日,臺(tái)積電董事會(huì)宣布,決定投資11.17億美元,以擴(kuò)充旗下12英寸晶圓廠的45/40nm制程產(chǎn)能,并新上馬32/28nm相關(guān)制程。據(jù)此間觀察人士分析,臺(tái)積電如此大興土木,完全是因應(yīng)歐洲新競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手表現(xiàn)出來的咄咄逼人之勢(shì)。
- 關(guān)鍵字: Globalfoundries 40nm 晶圓代工
Nvidia CEO 10月赴臺(tái)拜訪張忠謀 商談代工業(yè)務(wù)
- Nvidia公司CEO 黃仁勛將在10月中下旬赴臺(tái)會(huì)見主板和顯卡合作伙伴。黃仁勛預(yù)計(jì)還將和臺(tái)積電主席張忠謀會(huì)面,討論40nm制程的合約價(jià)。 黃仁勛預(yù)計(jì)還將查看臺(tái)積電的40nm工藝,臺(tái)積電宣稱7月該公司40nm工藝良率已從30%升至60%,到10月缺陷密度將降至0.2。黃仁勛還將查看Nvidia即將在12月上市的GT300 GPU的進(jìn)展。 同時(shí),張忠謀準(zhǔn)備和黃仁勛討論雙方在28nm工藝上的合作,臺(tái)積電28nm工藝將在2010第一季度試產(chǎn),并在2011年對(duì)外銷售。 黃仁勛還將拜訪VIA
- 關(guān)鍵字: Nvidia 40nm 28nm
40nm工藝帶來全新競(jìng)爭(zhēng)力
- 全球能源問題的集中爆發(fā),讓半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升,而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點(diǎn)。與眾多先進(jìn)電源管理方案實(shí)現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比,制程工藝的進(jìn)步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法,轉(zhuǎn)向更高制程無疑是提升半導(dǎo)體產(chǎn)品性能功耗比和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力最直接有效的辦法。 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示,過去數(shù)十年來,集成器件制造商(IDM)在工藝技術(shù)及服務(wù)的創(chuàng)新方面扮演領(lǐng)航者的角色,未來也將繼續(xù)在新一代產(chǎn)品的開發(fā)上扮演重要的角色。同時(shí),專業(yè)
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 DRAM 40nm 45nm 200909
PLD產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大加速替代ASIC
- 雖然PLD公司之間的競(jìng)爭(zhēng)一直非常激烈,但ASIC仍然是我們主要的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。而競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果是客戶趨向于使用可編程解決方案。相信PLD產(chǎn)業(yè)會(huì)持續(xù)擴(kuò)大市場(chǎng)份額,加速替代ASIC。 在過去幾年中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體上經(jīng)歷了明顯的衰退。而這一衰退對(duì)于可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)來講實(shí)際上卻是很好的發(fā)展機(jī)會(huì)。雖然PLD公司之間的競(jìng)爭(zhēng)一直非常激烈,但ASIC(專用集成電路)仍然是我們主要的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。而競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果是客戶趨向于使用可編程解決方案。 相對(duì)于10年前,目前采用前沿技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個(gè)ASIC設(shè)計(jì)的成本幾乎翻了
- 關(guān)鍵字: PLD ASIC FPGA 40nm
NVIDIA為何拋棄臺(tái)積電 另尋芯片制造商
- 國(guó)外的消息報(bào)道,Globalfoundries的Jensen表示,由于目前臺(tái)積電已經(jīng)擁有了200多家客戶廠商,因此NVIDIA很難在其中立足為中心客戶,而這樣的現(xiàn)象也存在于其他的晶圓生產(chǎn)廠商,包括Globalfoundies在內(nèi)。 不過目前來看,NVIDIA確實(shí)需要從中選擇一家工廠,以便他們開展最新的28nm GPU的研發(fā)。并且NVIDIA需要從現(xiàn)在就馬上開始,才會(huì)在兩年后完成,甚至需要更久。而Globalfoundies工廠則很有可能會(huì)是NVIDIA的被選之一,不過目前來看,可能性較小。
- 關(guān)鍵字: Globalfoundries GPU 40nm 28nm
賽靈思兩項(xiàng)產(chǎn)品獲2009 EDN China創(chuàng)新獎(jiǎng)提名
- 全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商賽靈思公司(Xilinx, Inc. ) 今天宣布在IDG集團(tuán)下屬權(quán)威電子雜志《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》(EDN China)正在舉辦的2009年度創(chuàng)新獎(jiǎng)評(píng)選中,其40nm 高性能Virtex?-6 FPGA 系列與目標(biāo)設(shè)計(jì)平臺(tái)從數(shù)百項(xiàng)報(bào)名產(chǎn)品中脫穎而出,雙雙獲得提名進(jìn)入最后入圍產(chǎn)品。 “賽靈思目標(biāo)設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得這一電子業(yè)界著名獎(jiǎng)項(xiàng)的提名,再一次充分證明電子業(yè)界越來越重視推動(dòng)FPGA進(jìn)入主流系統(tǒng)開發(fā)的新方法的需求?!?賽靈思公司產(chǎn)品與解決方案管理
- 關(guān)鍵字: Xilinx Virtex 40nm 目標(biāo)設(shè)計(jì)平臺(tái)
爾必達(dá):計(jì)劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)
- 據(jù)透露,為了防止在與韓國(guó)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)中落在后面,日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計(jì)劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù),而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前,爾必達(dá)將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前,爾必達(dá)公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過爾必達(dá)曾計(jì)劃直接 跳過50nm制程進(jìn)入40nm階段,但由于受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響未能成行。 目前韓國(guó)三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片,而到40nm制程技術(shù)成熟時(shí),三星還將推出4F2技術(shù)。 美國(guó)鎂光公司則已經(jīng)在110nm制
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) 40nm 內(nèi)存芯片 50nm
爾必達(dá)問題出在推遲代工業(yè)務(wù)
- 爾必達(dá)和Numonyx已經(jīng)推遲它們的代工計(jì)劃達(dá)6個(gè)月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達(dá)簽約的第一個(gè)代工訂單,計(jì)劃在2009年中期開始量產(chǎn),如今要推遲到2010年的上半年。 盡管近期DRAM價(jià)格回升及日本政府為爾必達(dá)注資,可是對(duì)于存儲(chǔ)器制造商爾必達(dá)最大的問題是如何生存下來。顯然爾必達(dá)還不可能如奇夢(mèng)達(dá)同樣的命運(yùn),退出存儲(chǔ)器。但是日本存儲(chǔ)器制造商需要經(jīng)濟(jì)剌激,因?yàn)閺拈L(zhǎng)遠(yuǎn)看能生存下來可能是個(gè)奇跡。 前些時(shí)候爾必達(dá)CEO己經(jīng)把爾必達(dá)的生存問題提高到日本國(guó)家的利益上。但是仍有人質(zhì)疑為什么要支持
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) DRAM 50nm 40nm
爾必達(dá):計(jì)劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)
- 8月7日消息 據(jù)透露,為了防止在與韓國(guó)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)中落在后面,日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計(jì)劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù),而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前,爾必達(dá)將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前,爾必達(dá)公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過爾必達(dá)曾計(jì)劃直接 跳過50nm制程進(jìn)入40nm階段,但由于受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響未能成行。 目前韓國(guó)三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片,而到40nm制程技術(shù)成熟時(shí),三星還將推出4F2技術(shù)。 美國(guó)鎂光公司則已經(jīng)
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) DRAM 40nm 50nm 60nm
LSI推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片
- 日前,LSI 公司宣布推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500,旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業(yè)級(jí)的 HDD。RC9500 現(xiàn)已開始向硬盤驅(qū)動(dòng)器 (HDD) 制造商提供樣片。RC9500 采用新一代低密度校驗(yàn)碼(LDPC) 迭代解碼技術(shù),不僅使 HDD 的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量提高了 10% 以上,降低了讀取信道的功耗,同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的性能,數(shù)據(jù)傳輸速率超過4.0Gb/s。 IDC 的 HDD 研究部主管 John Rydning 指出:“H
- 關(guān)鍵字: LSI 40nm TrueStore RC9500 HDD
AMD公開承認(rèn)臺(tái)積電40nm制程良品率欠佳
- AMD 首次公開承認(rèn) Radeon HD 4770 無法大量供貨與臺(tái)積電40nm良品率不足有關(guān),據(jù)AMD歐洲區(qū)技術(shù)公關(guān)經(jīng)理 Antel Tungler 于公開場(chǎng)合表示,AMD只能無奈地以Radeon HD 4850降價(jià)及推出基于55nmRV770 的Radeon HD 4730填補(bǔ)RV740的空缺。他并表示,以目前臺(tái)積電40nm制程技術(shù)的良品率狀況,的確無法滿足目前市場(chǎng)對(duì)Radeon HD 4770 的需求,因此目前AMD正與臺(tái)積電緊密合作試圖解決問題。 為了減低 Radeon HD 4770
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 40nm GPU 筆記本顯卡
安華高科技在40nm硅芯上取得20 Gbps性能表現(xiàn)
- Avago在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長(zhǎng)久以來的領(lǐng)導(dǎo)地位,Avago的40nm內(nèi)核為公司第七代高性能SerDes IP,而SerDes的出貨總通道數(shù)也已經(jīng)超過了六千萬。Avago在提供高可靠度且高性能的ASIC產(chǎn)品上擁有輝煌的紀(jì)錄,目前又在TSMC的40nm CMOS工藝上取得達(dá)成高達(dá)20 Gbps的SerDes設(shè)計(jì),進(jìn)一步邁入新的里程碑。安華高是為通信、工業(yè)和消費(fèi)類等應(yīng)用領(lǐng)域提供模擬接口零組件的領(lǐng)導(dǎo)廠商。 非
- 關(guān)鍵字: Avago 安華高 40nm CMOS
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)40nm的理解,并與今后在此搜索40nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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