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	50nm
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品全線量產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱“武漢新芯”），一家領(lǐng)先的非易失性存儲供應商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線量產(chǎn)，產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應用提供靈活的設(shè)計方案。
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          • 關(guān)鍵字：
                        武漢新芯  SPI NOR Flash  50nm                          
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          面向物聯(lián)網(wǎng)應用 恒爍半導體50nm NOR Flash芯片正式面世
          
                                                            
            
                    	
          • 合肥恒爍半導體有限公司（以下簡稱“恒爍半導體”）正式推出第一款面向物聯(lián)網(wǎng)應用的50nm 128Mb 高速低功耗、業(yè)界最小尺寸的 NOR Flash 存儲芯片，此芯片的推出將有效加快萬物智能互聯(lián)的進程。
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          • 關(guān)鍵字：
                        物聯(lián)網(wǎng)  50nm NOR Flash芯片  恒爍半導體                          
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          武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應用提供靈活的設(shè)計方案。
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          • 關(guān)鍵字：
                        武漢新芯  50nm  SPI NOR Flash                          
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          分析師稱ASML應該對內(nèi)存芯片供不應求負一定責任
          
                                                            
            
                    	
          • 　　對于內(nèi)存廠商來說，已經(jīng)過去的2009年就像是一場噩夢。而2010年情況則大有好轉(zhuǎn)，可是今年內(nèi)存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺，芯片產(chǎn)品投產(chǎn)準備時間加長，產(chǎn)品價格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會議上，一位分析師將今年內(nèi)存廠商遇到的這些問題歸結(jié)為由內(nèi)存廠商自身的問題而引起，不過著名光刻設(shè)備制造商ASML則也在被指責之列。
　　ObjectiveAnalysis市調(diào)公司的分析師JimHandy認為內(nèi)存市場的上揚期恐怕不久便會結(jié)束，他并稱2011年中期或2012年間內(nèi)存芯片市場將再度陷入供過于求的局面
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          • 關(guān)鍵字：
                        ASML  內(nèi)存芯片  50nm                          
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          美光推Atom平板機專用低功耗迷你內(nèi)存顆粒
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　美光公司今天宣布了一款新品50nm工藝2Gb DDR2內(nèi)存顆粒產(chǎn)品，依靠其小尺寸、高密度和低功耗特色，專門針對Intel在6月份Computex上宣布的Atom平板機平臺(代號Oak Trail)。Intel Oak Trail平臺包括Atom Z6xx系列處理器和Whitney Point單芯片處理器，在“x86手機芯”Moorestown的基礎(chǔ)上，加入了多種PC平臺接口，可以支持標準的Windows 7、Chrome、Meego操作系統(tǒng)，專門針對平板機和超便攜上網(wǎng)本市場。

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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  50nm  Atom                          
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          爾必達宣布50nm制程2Gb GDDR5顯存開發(fā)完成
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日本爾必達公司最近完成了采用銅互連技術(shù)的50nm制程 2Gb密度GDDR5顯存芯片的開發(fā)，這款產(chǎn)品據(jù)稱是在爾必達設(shè)在德國慕尼黑的設(shè)計中心開發(fā)完成的。爾必達表示公司將于今年7月份開始試銷這種50nm 2Gb GDDR5顯存樣片，而這款產(chǎn)品的量產(chǎn)則預計會定在今年7-9月份的時間段。

　　據(jù)爾必達表示，其設(shè)在廣島的芯片廠將負責這款2Gb GDDR5顯存芯片的生產(chǎn)，另外爾必達還透露公司1Gb密度的GDDR3/GDDR5顯存芯片產(chǎn)品已經(jīng)外包給了臺灣華邦公司代工。
　　GDDR顯存的主要用途是圖形圖像處理
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          • 關(guān)鍵字：
                        爾必達  50nm  顯存                          
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          Intel 計劃停產(chǎn)50nm制程MLC NAND SSD硬盤
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Intel計劃停產(chǎn)采用50nm制程NAND閃存芯片制作的1.8/2.5寸SSD硬盤產(chǎn)品，自今年第二季度開始，Intel公司將僅向客戶提供采用 34nm制程MLC NAND閃存芯片制作的Postville40-160GB容量SSD硬盤產(chǎn)品，另外到今年第四季度，Intel還將推出80-600GB容量的 Postville SSD硬盤。
　　今年第四季度上市的新款Postville系列產(chǎn)品將采用25nm制程閃存芯片制作，容量則有80/160/300/600GB幾種，型號為X25-M;另外還將推出80GB容
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          • 關(guān)鍵字：
                        Intel  50nm  SSD                          
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          南亞科增加今年支出預算 計劃提升芯片產(chǎn)能
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)透露，臺灣內(nèi)存芯片廠商南亞計劃增加2010年的資本支出預算，將其由原計劃的190億新臺幣提升到200億新臺幣(6.27億美元)，據(jù)悉這筆增加的 預算將用于改進制程和擴展產(chǎn)能之用。南亞計劃將其12英寸廠產(chǎn)能由目前的每月3萬片提升到5-6萬片。如果將其合資公司華亞(由鎂光和南亞合資成立)的產(chǎn)能計算在內(nèi)，那么南亞12英寸總產(chǎn)能將達到每月11.5-12.5萬片，這個數(shù)字已達到了全球內(nèi)存芯片廠總產(chǎn)能的10%左右。
　　目前華亞12英寸廠的產(chǎn)能有一半是向南亞供貨，另一半則為鎂光公司供貨，這家合資公司的月產(chǎn)能大
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          • 關(guān)鍵字：
                        南亞科  內(nèi)存芯片  50nm                          
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          Hynix40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片通過Intel驗證
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品通過了Intel的認證，Hynix并稱將開始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱面向服務器應用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗證工作也將于年底前順利完成。

　　這次通過驗證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內(nèi)存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內(nèi)存條)，驗證時的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。
　　Hynix宣稱
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          • 關(guān)鍵字：
                        Hynix  40nm  SDRAM  50nm                          
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          爾必達：計劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內(nèi)存公司計劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。
　　目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而到40nm制程技術(shù)成熟時，三星還將推出4F2技術(shù)。
　　美國鎂光公司則已經(jīng)在110nm制
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          • 關(guān)鍵字：
                        爾必達  40nm  內(nèi)存芯片  50nm                          
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          爾必達問題出在推遲代工業(yè)務 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　爾必達和Numonyx已經(jīng)推遲它們的代工計劃達6個月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達簽約的第一個代工訂單，計劃在2009年中期開始量產(chǎn)，如今要推遲到2010年的上半年。
　　盡管近期DRAM價格回升及日本政府為爾必達注資，可是對于存儲器制造商爾必達最大的問題是如何生存下來。顯然爾必達還不可能如奇夢達同樣的命運，退出存儲器。但是日本存儲器制造商需要經(jīng)濟剌激，因為從長遠看能生存下來可能是個奇跡。
　　前些時候爾必達CEO己經(jīng)把爾必達的生存問題提高到日本國家的利益上。但是仍有人質(zhì)疑為什么要支持
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          • 關(guān)鍵字：
                        爾必達  DRAM  50nm  40nm                          
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          爾必達：計劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　8月7日消息 據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內(nèi)存公司計劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。
　　目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而到40nm制程技術(shù)成熟時，三星還將推出4F2技術(shù)。
　　美國鎂光公司則已經(jīng)
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          • 關(guān)鍵字：
                        爾必達  DRAM  40nm  50nm  60nm                          
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          美光推出增加服務器內(nèi)存容量和提升性能的新方法 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美光科技股份有限公司近日宣布生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)首個DDR3低負載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務器內(nèi)存總線上的負載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內(nèi)存容量。
　　新的LRDIMM將采用美光先進的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內(nèi)存芯片制造。由于芯片的高密度和業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的小尺寸，使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產(chǎn)品目前正在進行客戶認證，將很快進行大量生產(chǎn)。
　　如今多數(shù)中端企
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  LRDIMM  DDR3  50nm                          
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	共13條
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          50nm介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	納米（符號為nm）是長度單位，原稱毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬分之一毫米）。如同厘米、分米和米一樣，是長度的度量單位。相當于4倍原子大小，比單個細菌的長度還要小。
 
隨著蘋果(Apple)iPhone及更高階iPod將陸續(xù)登場，可望帶動NAND型快閃存儲器(Flash)市場龐大商機，吸引國際NAND Flash大廠摩拳擦掌，其中，三星電子(Samsu		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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       	          						50nm   
										樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
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