美光科技股份有限公司近日宣布生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)首個(gè)DDR3低負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務(wù)器內(nèi)存總線上的負(fù)載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內(nèi)存容量。

　　新的LRDIMM將采用美光先進(jìn)的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內(nèi)存芯片制造。由于芯片的高密度和業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的小尺寸，使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務(wù)器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產(chǎn)品目前正在進(jìn)行客戶認(rèn)證，將很快進(jìn)行大量生產(chǎn)。

　　如今多數(shù)中端企業(yè)服務(wù)器每系統(tǒng)使用大約32GB的DRAM內(nèi)存，但根據(jù)Gartner公司近期的一份報(bào)告(2009年5月)，此數(shù)字預(yù)計(jì)在2012年將增至三倍以上。隨著服務(wù)器制造商繼續(xù)利用多核處理器和數(shù)據(jù)中心選擇高效的虛擬化技術(shù)，內(nèi)存要求達(dá)到前所未有的高度。通過增加服務(wù)器系統(tǒng)具備的可用內(nèi)存，系統(tǒng)能夠同時(shí)運(yùn)行更多的程序、更有效地處理更大的數(shù)據(jù)文件，通常呈現(xiàn)出更好的整體系統(tǒng)性能。

　　美光的LRDIMM目前使用Inphi近期推出的隔離內(nèi)存緩沖(iMB)芯片而非寄存器，以在內(nèi)存和處理器之間傳輸數(shù)據(jù)時(shí)減少總線負(fù)載。相較于目前標(biāo)準(zhǔn)的DDR3服務(wù)器模塊 - 寄存式DIMM (RDIMM) ，美光新的雙排LRDIMM模塊可減少此負(fù)載50%，四排LRDIMM模塊則可減少75%。通過減少總線負(fù)載，美光的LRDIMM使服務(wù)器能夠處理更高的數(shù)據(jù)頻率，從而提高整體系統(tǒng)性能和支持更多的模塊數(shù)量以獲得更大的系統(tǒng)內(nèi)存容量。

　　目前使用RDIMM的典型服務(wù)器系統(tǒng)每個(gè)處理器最多可以容納3個(gè)四排16GB RDIMM模塊。不過，同樣的系統(tǒng)每處理器最多可以支持9個(gè)四排16GB LRDIMM，使內(nèi)存容量從48GB增加到144GB。與RDIMM的性能水平相比較，美光的16GB LRDIMM增加系統(tǒng)內(nèi)存帶寬57%。由于服務(wù)器功耗仍是客戶的首要考慮，美光的LRDIMM也將以業(yè)內(nèi)最低的1.35伏電壓運(yùn)作。

　　美光DRAM市場營銷副總裁Robert Feurle說：“隨著虛擬化的興起，我們新的16GB模塊使客戶能夠方便地?cái)U(kuò)大他們的內(nèi)存容量。傳統(tǒng)的RDIMM由于其負(fù)載情況限制了可以容納的內(nèi)存數(shù)量，而LRDIMM通過減少模塊負(fù)載消除了該問題。由于我們的LRDIMM設(shè)計(jì)采用美光新的低功耗2Gb 50nm DDR3芯片，這減少了模塊芯片數(shù)量，因此我們能夠?yàn)榭蛻籼峁└叱杀拘б婧透咝У姆椒▉硖岣叻?wù)器內(nèi)存容量和性能，同時(shí)還降低功耗水平。”

　　Inphi市場營銷副總裁Paul Washkewicz說：“采用此內(nèi)存技術(shù)方式將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)服務(wù)器虛擬化和云計(jì)算。此技術(shù)為數(shù)據(jù)中心服務(wù)器提供迫切需要的更大帶寬和內(nèi)存容量。”

　　IDT 企業(yè)計(jì)算部副總裁兼總經(jīng)理Mario Montana說：“作為AMB+ 和 DDR3 寄存器/PLL這樣低功耗內(nèi)存接口設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商，IDT很高興再次將我們經(jīng)過行業(yè)證明的技術(shù)和專長應(yīng)用到這個(gè)針對DDR3 LRDIMM的新類別的內(nèi)存緩存。我們很高興與美光以及我們的生態(tài)系統(tǒng)伙伴合作，為高性能計(jì)算市場實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新的解決方案。”