bcd-mos制程 文章 進(jìn)入bcd-mos制程技術(shù)社區(qū)
X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案
- 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項(xiàng)非易失性存儲領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點(diǎn)平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標(biāo)準(zhǔn)的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計(jì)劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
- 關(guān)鍵字： X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式數(shù)據(jù)存儲
安森美推出業(yè)界領(lǐng)先的模擬和混合信號平臺
- 新聞概要●? ?Treo平臺基于65納米節(jié)點(diǎn)的BCD工藝技術(shù)，支持同行業(yè)領(lǐng)先的1- 90V寬電壓范圍和高達(dá) 175°C 的工作溫度●? ?Treo平臺將幫助客戶簡化設(shè)計(jì)流程，降低系統(tǒng)成本，并加快在汽車、醫(yī)療、工業(yè)、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域解決方案的上市速度●? ?安森美現(xiàn)可提供基于Treo平臺構(gòu)建的多個產(chǎn)品系列樣品，包括電壓轉(zhuǎn)換器、超低功耗模擬前端（AFE）、LDO、超聲波傳感器、多相控制器和單對以太網(wǎng)控制器●? ?基于該平臺構(gòu)建的
- 關(guān)鍵字： 安森美 模擬和混合信號 Treo BCD
X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
- 中國北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應(yīng)用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
- 關(guān)鍵字： X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎 長跑35年第十代即將量產(chǎn)
- 意法半導(dǎo)體（ST）宣布，電機(jī)電子工程師學(xué)會（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來，BCD制程技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動器、打印機(jī)和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實(shí)時(shí)／
- 關(guān)鍵字： ST BCD 制程技術(shù)
華虹半導(dǎo)體拓展電源管理技術(shù)平臺 BCD工藝“8+12”齊發(fā)力
- 全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”或“公司”）近日宣布，其高性能90納米BCD工藝平臺在華虹無錫12英寸生產(chǎn)線順利實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積，將在數(shù)字電源、數(shù)字電機(jī)驅(qū)動、數(shù)字音頻功放等芯片領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。緊貼電源管理技術(shù)高集成度和智能化的發(fā)展趨勢，華虹半導(dǎo)體最新推出了90納米BCD工藝平臺，其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段，其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導(dǎo)通電阻，達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。為了滿足高集成度發(fā)展趨勢，該工藝平
- 關(guān)鍵字： BCD 電源管理
硬核技術(shù)創(chuàng)新加持，華虹宏力“8+12”特色工藝平臺為智能時(shí)代添飛翼
- 中國信通院數(shù)據(jù)顯示，2019年1-10月中國5G手機(jī)出貨量328.1萬部，發(fā)展速度遠(yuǎn)超業(yè)界預(yù)期。5G商用的加速推進(jìn)，讓更廣泛的智能時(shí)代提前到來，隨之而來的是海量的芯片需求。然而，先進(jìn)芯片制造工藝雖有巨資投入，卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場應(yīng)用需求；像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求，則主要由華虹集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（“華虹宏力”）為首的特色工藝芯片制造企業(yè)，基于成熟工藝設(shè)備不斷創(chuàng)新以提升芯片性能和成本優(yōu)勢來滿足。近日，在中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2019年會(ICCAD 2
- 關(guān)鍵字： RF-SOI BCD
華虹第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產(chǎn)
- 特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產(chǎn)，該平臺具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢，對于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。 第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺40V DMOS擊穿電壓達(dá)到52V，其導(dǎo)通電阻低至 20 mOhm.mm2，達(dá)到該節(jié)點(diǎn)領(lǐng)先工藝水平，可提高產(chǎn)品的驅(qū)動能力，減小芯片面積，擴(kuò)大高壓管安全工作區(qū)（Safe-Operation-A
- 關(guān)鍵字： 0.18 BCD 工藝
華虹半導(dǎo)體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn)，助力LED照明騰飛
- 華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布，其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，良率超過98%，達(dá)到國際一流水平。該工藝平臺主要針對諸如AC-DC轉(zhuǎn)換器和LED照明等綠色能源的應(yīng)用，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點(diǎn)，可為客戶提供極具競爭力的單芯片解決方案。目前，已有多家客戶在該平臺量產(chǎn)，各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過客戶要求。 在全球節(jié)能環(huán)保的大趨勢下，LED綠色照明已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展期。據(jù)相關(guān)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，
- 關(guān)鍵字： 華虹半導(dǎo)體 BCD
華虹半導(dǎo)體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn) 助力LED照明騰飛
- 香港, 2015年4月22日 - (亞太商訊) - 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠── 華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布，其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，良率超過98%，達(dá)到國際一流水平。該工藝平臺主要針對諸如AC-DC轉(zhuǎn)換器和LED照明等綠色能源的應(yīng)用，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點(diǎn)，可為客戶提供極具競爭力的單芯片解決方案。目前，已有多家客戶在該平臺量產(chǎn)，各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過客戶
- 關(guān)鍵字： 華虹 BCD
bcd-mos制程介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條bcd-mos制程!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對bcd-mos制程的理解，并與今后在此搜索bcd-mos制程的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對bcd-mos制程的理解，并與今后在此搜索bcd-mos制程的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
bcd-mos制程電路
bcd-mos制程資料下載
bcd-mos制程專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473