bcd- 文章進(jìn)入bcd-技術(shù)社區(qū)

X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái)，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標(biāo)準(zhǔn)的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計(jì)劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲(chǔ)空間的EEPRO
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安森美推出業(yè)界領(lǐng)先的模擬和混合信號(hào)平臺(tái)

新聞概要●? ?Treo平臺(tái)基于65納米節(jié)點(diǎn)的BCD工藝技術(shù)，支持同行業(yè)領(lǐng)先的1- 90V寬電壓范圍和高達(dá) 175°C 的工作溫度●? ?Treo平臺(tái)將幫助客戶簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程，降低系統(tǒng)成本，并加快在汽車、醫(yī)療、工業(yè)、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域解決方案的上市速度●? ?安森美現(xiàn)可提供基于Treo平臺(tái)構(gòu)建的多個(gè)產(chǎn)品系列樣品，包括電壓轉(zhuǎn)換器、超低功耗模擬前端（AFE）、LDO、超聲波傳感器、多相控制器和單對(duì)以太網(wǎng)控制器●? ?基于該平臺(tái)構(gòu)建的
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X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

中國(guó)北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理能力日益增長(zhǎng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
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ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎(jiǎng) 長(zhǎng)跑35年第十代即將量產(chǎn)

意法半導(dǎo)體（ST）宣布，電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng)，表彰ST在超級(jí)整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來(lái)，BCD制程技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實(shí)時(shí)／
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華虹半導(dǎo)體拓展電源管理技術(shù)平臺(tái) BCD工藝“8+12”齊發(fā)力

全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”或“公司”）近日宣布，其高性能90納米BCD工藝平臺(tái)在華虹無(wú)錫12英寸生產(chǎn)線順利實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積，將在數(shù)字電源、數(shù)字電機(jī)驅(qū)動(dòng)、數(shù)字音頻功放等芯片領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。緊貼電源管理技術(shù)高集成度和智能化的發(fā)展趨勢(shì)，華虹半導(dǎo)體最新推出了90納米BCD工藝平臺(tái)，其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段，其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導(dǎo)通電阻，達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。為了滿足高集成度發(fā)展趨勢(shì)，該工藝平
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硬核技術(shù)創(chuàng)新加持，華虹宏力“8+12”特色工藝平臺(tái)為智能時(shí)代添飛翼

中國(guó)信通院數(shù)據(jù)顯示，2019年1-10月中國(guó)5G手機(jī)出貨量328.1萬(wàn)部，發(fā)展速度遠(yuǎn)超業(yè)界預(yù)期。5G商用的加速推進(jìn)，讓更廣泛的智能時(shí)代提前到來(lái)，隨之而來(lái)的是海量的芯片需求。然而，先進(jìn)芯片制造工藝雖有巨資投入，卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場(chǎng)應(yīng)用需求；像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求，則主要由華虹集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（“華虹宏力”）為首的特色工藝芯片制造企業(yè)，基于成熟工藝設(shè)備不斷創(chuàng)新以提升芯片性能和成本優(yōu)勢(shì)來(lái)滿足。近日，在中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2019年會(huì)(ICCAD 2
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華虹第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產(chǎn)

特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn)，該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì)，對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)40V DMOS擊穿電壓達(dá)到52V，其導(dǎo)通電阻低至 20 mOhm.mm2，達(dá)到該節(jié)點(diǎn)領(lǐng)先工藝水平，可提高產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)能力，減小芯片面積，擴(kuò)大高壓管安全工作區(qū)（Safe-Operation-A
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華虹半導(dǎo)體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn)，助力LED照明騰飛

　　華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布，其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺(tái)已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，良率超過(guò)98%，達(dá)到國(guó)際一流水平。該工藝平臺(tái)主要針對(duì)諸如AC-DC轉(zhuǎn)換器和LED照明等綠色能源的應(yīng)用，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點(diǎn)，可為客戶提供極具競(jìng)爭(zhēng)力的單芯片解決方案。目前，已有多家客戶在該平臺(tái)量產(chǎn)，各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過(guò)客戶要求。　　在全球節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下，LED綠色照明已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展期。據(jù)相關(guān)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，
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華虹半導(dǎo)體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn) 助力LED照明騰飛

　　香港, 2015年4月22日 - (亞太商訊) - 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠── 華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布，其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺(tái)已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，良率超過(guò)98%，達(dá)到國(guó)際一流水平。該工藝平臺(tái)主要針對(duì)諸如AC-DC轉(zhuǎn)換器和LED照明等綠色能源的應(yīng)用，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點(diǎn)，可為客戶提供極具競(jìng)爭(zhēng)力的單芯片解決方案。目前，已有多家客戶在該平臺(tái)量產(chǎn)，各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過(guò)客戶
關(guān)鍵字：華虹 BCD

數(shù)字鐘設(shè)計(jì)與制作

　　本文采用CMOS數(shù)字集成電路實(shí)現(xiàn)了一種數(shù)字鐘電路，該電路設(shè)計(jì)包括了時(shí)序邏輯電路、組合邏輯電路、數(shù)碼管顯示電路和脈沖信號(hào)產(chǎn)生電路等內(nèi)容，內(nèi)容涉及面寬、綜合性強(qiáng)，是電子技術(shù)自主性實(shí)驗(yàn)教學(xué)的典型案例
關(guān)鍵字：數(shù)字鐘 CMOS CD4518 BCD-7

BCD格式實(shí)時(shí)時(shí)鐘的狀態(tài)機(jī)邏輯

開發(fā)實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)軟件時(shí)，需要首先理解時(shí)鐘核心邏輯的定義。我們通常對(duì)時(shí)鐘和日歷的工作原理有一個(gè)基本的認(rèn)識(shí)，本文則深入分析了芯片在裝載了不正確或不合法的內(nèi)容時(shí)可能產(chǎn)生的后果。
關(guān)鍵字： Maxim RTC 寄存器 BCD

BCD推出多款LED驅(qū)動(dòng)電源解決方案

近期，BCD半導(dǎo)體制造有限公司（BCDSemi）針對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電源的特殊要求，推出了一系列高性價(jià)比、覆蓋中小功率應(yīng)用...
關(guān)鍵字： BCD LED 驅(qū)動(dòng)電源

CL002 BCD碼顯示器的應(yīng)用線路簡(jiǎn)介

CL002是完成一位數(shù)字顯示的BCD碼顯示器,它以小型固體塊的形式完成寄存-譯碼驅(qū)動(dòng)-LED數(shù)碼顯示等功能.CL002除了無(wú)計(jì)數(shù)部分外,其余部分和CL102完全相同,它的邏輯框圖及管腳排列如圖所示.外形尺寸與CL102相同.
關(guān)鍵字：線路簡(jiǎn)介應(yīng)用顯示器 BCD CL002

C3065 BCD-七段譯碼液晶顯示驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用

C3065 BCD-七段譯碼液晶顯示驅(qū)動(dòng)器功耗低微,在25度條件下僅幾十微安,工作電壓范圍為4~18V,采用交流驅(qū)動(dòng),可直接驅(qū)動(dòng)液晶顯示屏.C306的管腳外引線排列和功用如圖所示,C306的功能真值表如9.42表所示. 顯示.
關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用液晶顯示段譯碼 BCD- C3065

C3065 BCD-七段譯碼液晶顯示驅(qū)動(dòng)器的電路應(yīng)用

C3065 BCD-七段譯碼液晶顯示驅(qū)動(dòng)器功耗低微,在25度條件下僅幾十微安,工作電壓范圍為4~18V,采用交流驅(qū)動(dòng),可直接驅(qū)動(dòng)液晶顯示屏.C306的管腳外引線排列和功用如圖所示,C306的功能真值表如9.42表所示.顯示.
關(guān)鍵字：電路應(yīng)用驅(qū)動(dòng)器液晶顯示 BCD- 段譯碼 C3065