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          臺(tái)積電將推出新CoWoS封裝技術(shù)：打造手掌大小高端芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 11月28日消息，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）在其歐洲開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上宣布，正在按計(jì)劃對(duì)其超大版本的CoWoS封裝技術(shù)進(jìn)行認(rèn)證。此項(xiàng)革新性技術(shù)核心亮點(diǎn)在于，它能夠支持多達(dá)9個(gè)光罩尺寸（Reticle Size）的中介層集成，并配備12個(gè)高性能的HBM4內(nèi)存堆棧，專為滿足最嚴(yán)苛的性能需求而生。然而，超大版CoWoS封裝技術(shù)的實(shí)現(xiàn)之路并非坦途。具體而言，即便是5.5個(gè)光罩尺寸的配置，也需仰賴超過(guò)100
 x 100毫米的基板面積，這一尺寸已逼近OAM 2.0標(biāo)準(zhǔn)尺寸的上限（102 x 
165m
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          • 關(guān)鍵字：
                        臺(tái)積電  新CoWoS  封裝技術(shù)  手掌大小  高端芯片  SoIC                          
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          臺(tái)積電CoW-SoW 預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著IC設(shè)計(jì)業(yè)者透過(guò)增加芯片尺寸提高處理能力，考驗(yàn)芯片制造實(shí)力。英偉達(dá)達(dá)AI芯片Blackwell，被CEO黃仁勛譽(yù)為「非常非常大的GPU」，而確實(shí)也是目前業(yè)界面積最大的GPU，由兩顆Blackwell芯片拼接而成，并采用臺(tái)積電4納米制程，擁有2,080億個(gè)晶體管，然而難免遇到封裝方式過(guò)于復(fù)雜之問(wèn)題。CoWoS-L封裝技術(shù)，使用LSI（本地硅互連）橋接RDL（硅中介層）連接晶粒，傳輸速度可達(dá)10／TBs左右；不過(guò)封裝步驟由于橋接放置精度要求極高，稍有缺陷都可能導(dǎo)致價(jià)值4萬(wàn)美元的芯片報(bào)廢，從而影響良率及獲利
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          • 關(guān)鍵字：
                        臺(tái)積電  CoW-SoW  InFO-SoW  SoIC                          
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          臺(tái)積電2納米、SoIC 蘋果搶首批訂單
          
                                                            
            
                    	
          • 臺(tái)積電2納米先進(jìn)制程及3D先進(jìn)封裝同獲蘋果大單！業(yè)者傳出，臺(tái)積電2納米制程傳本周試產(chǎn)，蘋果將拿下2025年首波產(chǎn)能外，下世代3D先進(jìn)封裝平臺(tái)SoIC（系統(tǒng)整合芯片）也規(guī)劃于M5芯片導(dǎo)入該封裝技術(shù)并展開量產(chǎn)，2026年預(yù)定SoIC產(chǎn)能將出現(xiàn)數(shù)倍以上成長(zhǎng)。 半導(dǎo)體業(yè)者指出，隨SoC（系統(tǒng)單芯片）愈做愈大，未來(lái)12吋晶圓恐僅能擺一顆芯片也不為過(guò)，但這對(duì)晶圓代工廠良率及產(chǎn)能均是極大挑戰(zhàn)；因此，以臺(tái)積電為首等生態(tài)系加速研發(fā)SoIC，希望透過(guò)立體堆棧芯片技術(shù)，滿足SoC所需晶體管數(shù)量、接口數(shù)、傳輸質(zhì)量及速度等要求，并
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          • 關(guān)鍵字：
                        臺(tái)積電  2納米  SoIC  蘋果                          
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          蘋果規(guī)劃于M5芯片導(dǎo)入臺(tái)積電SoIC先進(jìn)封裝制程
          
                                                            
            
                    	
          • 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》15日訊，臺(tái)積電2nm制程傳出將在本周試產(chǎn)，蘋果將拿下2025年首波產(chǎn)能外，下世代3D先進(jìn)封裝平臺(tái)SoIC（系統(tǒng)整合芯片）也規(guī)劃于M5芯片導(dǎo)入并展開量產(chǎn)，2026年預(yù)計(jì)SoIC產(chǎn)能將出現(xiàn)數(shù)倍以上成長(zhǎng)。 (臺(tái)灣工商時(shí)報(bào))
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          • 關(guān)鍵字：
                        蘋果  M5芯片  臺(tái)積電  SoIC  封裝制程                          
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          消息稱蘋果繼 AMD 后成為臺(tái)積電 SoIC 半導(dǎo)體封裝大客戶
          
                                                            
            
                    	
          • 7 月 4 日消息，根據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，在 AMD 之后，蘋果公司在 SoIC 封裝方案上已經(jīng)擴(kuò)大和臺(tái)積電的合作，預(yù)估在2025 年使用該技術(shù)。臺(tái)積電正在積極提高 CoWoS 封裝產(chǎn)能的同時(shí)，也在積極推動(dòng)下一代 SoIC 封裝方案落地投產(chǎn)。AMD 是臺(tái)積電 SoIC 的首發(fā)客戶，旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封裝解決方案，可將不同尺寸、功能、節(jié)點(diǎn)的晶粒進(jìn)行異質(zhì)整合，目前在位于竹南的第五座封測(cè)廠 AP6 生產(chǎn)。臺(tái)積電目前已經(jīng)整合封裝工藝構(gòu)建 3D Fabric 系統(tǒng)，其中分為 3 
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          • 關(guān)鍵字：
                        蘋果  AMD  臺(tái)積電  SoIC  半導(dǎo)體  封裝                          
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          臺(tái)積電先進(jìn)封裝產(chǎn)能被訂光，一路包到明年
          
                                                            
            
                    	
          • 英偉達(dá)、AMD 等沖刺高性能計(jì)算，大舉下單。
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          • 關(guān)鍵字：
                        CoWoS  SoIC                          
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          消息稱蘋果正小量試產(chǎn) 3D 堆疊技術(shù) SoIC
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 7 月 31 日消息，據(jù)臺(tái)媒 MoneyDJ 援引業(yè)界消息稱，繼 AMD 后，蘋果正小量試產(chǎn)最新的 3D 堆疊技術(shù) SoIC（系統(tǒng)整合芯片），目前規(guī)劃采用 SoIC 搭配 InFO 的封裝方案，預(yù)計(jì)用在 MacBook，最快 2025~2026 年間有機(jī)會(huì)看到終端產(chǎn)品問(wèn)世。據(jù)IT之家了解，臺(tái)積電 SoIC 是業(yè)界第一個(gè)高密度 3D 堆疊技術(shù)，通過(guò) Chip on Wafer（CoW）封裝技術(shù)，可以將不同尺寸、功能、節(jié)點(diǎn)的晶粒進(jìn)行異質(zhì)整合，并于竹南六廠（AP6）進(jìn)入量產(chǎn)。其中，AMD 是
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          • 關(guān)鍵字：
                        SoIC  蘋果                          
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          ANSYS獲臺(tái)積電SoIC先進(jìn)3D晶片堆疊技術(shù)認(rèn)證
          
                                                            
            
                    	
          • ANSYS針對(duì)臺(tái)積電 （TSMC） 創(chuàng)新系統(tǒng)整合晶片 （TSMC-SoIC） 先進(jìn)3D晶片堆疊技術(shù)開發(fā)的解決方案已獲臺(tái)積電認(rèn)證。SoIC是一種運(yùn)用Through Silicon Via （TSV） 和chip-on-wafer接合制程，針對(duì)多晶粒堆疊系統(tǒng)層級(jí)整合的先進(jìn)互連技術(shù)，對(duì)高度復(fù)雜、要求嚴(yán)苛的云端和資料中心應(yīng)用而言，能提供更高的電源效率和效能。
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          • 關(guān)鍵字：
                        ANSYS  臺(tái)積電  SoIC                          
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          Ramtron推出32Kb器件擴(kuò)展F-RAM串口存儲(chǔ)器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速讀/寫性能、低電壓運(yùn)行，以及出色的數(shù)據(jù)保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存儲(chǔ)器，工作電壓為2.7V至3.6V，采用8腳SOIC封裝，使用二線制 (I2C) 協(xié)議;并提供快速訪問(wèn)、無(wú)延遲 (NoDelay™) 寫入、幾乎無(wú)限的讀/寫次數(shù) (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
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          • 關(guān)鍵字：
                        Ramtron  F-RAM  非易失性存儲(chǔ)器  NoDelay  SOIC                          
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          基于磁阻傳感器的弱磁信號(hào)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　0引 言
　　通常所用的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，其采樣對(duì)象都為大信號(hào)，即有用信號(hào)幅值大于噪聲信號(hào)，但在一些特殊場(chǎng)合采集的信號(hào)很微弱，并淹沒(méi)在大量的隨機(jī)噪聲中。此種情況下，一般的采集系統(tǒng)和測(cè)量方法無(wú)法檢測(cè)該信號(hào)，本采集系統(tǒng)硬件電路針對(duì)微弱小信號(hào)，優(yōu)化設(shè)計(jì)前端調(diào)理電路，利用儀表放大器有效抑制共模信號(hào)，保證采集數(shù)據(jù)的精度要求。
　　磁阻傳感器是感知磁性物體的存在或者磁性強(qiáng)度(在有效范圍內(nèi))的敏感元件。這些磁性物體除永磁體外，還包括順磁材料，也可感知通電線圈或?qū)Ь€周圍的磁場(chǎng)。本文選用霍尼韋爾磁阻傳感器HMC1002
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          • 關(guān)鍵字：
                        傳感器  磁阻效應(yīng)  數(shù)據(jù)采集  SOIC                          
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	共10條
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