11月28日消息，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）在其歐洲開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上宣布，正在按計(jì)劃對(duì)其超大版本的CoWoS封裝技術(shù)進(jìn)行認(rèn)證。

此項(xiàng)革新性技術(shù)核心亮點(diǎn)在于，它能夠支持多達(dá)9個(gè)光罩尺寸（Reticle Size）的中介層集成，并配備12個(gè)高性能的HBM4內(nèi)存堆棧，專為滿足最嚴(yán)苛的性能需求而生。

然而，超大版CoWoS封裝技術(shù)的實(shí)現(xiàn)之路并非坦途。具體而言，即便是5.5個(gè)光罩尺寸的配置，也需仰賴超過(guò)100 x 100毫米的基板面積，這一尺寸已逼近OAM 2.0標(biāo)準(zhǔn)尺寸的上限（102 x 165mm）。而若追求9個(gè)光罩尺寸的極致，基板尺寸更是要突破120 x 120毫米大關(guān)，這無(wú)疑是對(duì)現(xiàn)有技術(shù)框架的一大挑戰(zhàn)。

此等規(guī)模的基板尺寸變革，不僅深刻影響著系統(tǒng)設(shè)計(jì)的整體布局，也對(duì)數(shù)據(jù)中心的配套支持系統(tǒng)提出了更高要求，尤其是在電源管理和散熱效率方面，需要更為精細(xì)的考量與優(yōu)化。

臺(tái)積電希望采用其先進(jìn)封裝方法的公司也能利用其系統(tǒng)集成芯片（SoIC）先進(jìn)封裝技術(shù)垂直堆疊其邏輯芯片，以進(jìn)一步提高晶體管數(shù)量和性能。借助9個(gè)光罩尺寸的CoWoS封裝技術(shù)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)客戶會(huì)將1.6nm芯片放置在2nm芯片之上。