tsv 文章 進(jìn)入tsv技術(shù)社區(qū)
2.5D和3D封裝技術(shù)還沒“打完架”，3.5D又來了？
- 隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，先進(jìn)封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來，作為2.5D和3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案，3.5D封裝技術(shù)逐漸走向前臺(tái)。什么是3.5D封裝技術(shù)3.5D封裝技術(shù)最簡(jiǎn)單的理解就是3D+2.5D，通過將邏輯芯片堆疊并將它們分別粘合到其他組件共享的基板上，創(chuàng)造了一種新的架構(gòu)。能夠縮短信號(hào)傳輸?shù)木嚯x，大幅提升處理速度，這對(duì)于人工智能和大數(shù)據(jù)應(yīng)用尤為重要。不過，既然有了全新的名稱，必然要帶有新的技術(shù)加持 —— 混合鍵和技術(shù)（Hybrid Bonding）?；旌湘I合技術(shù)的應(yīng)用為3.
- 關(guān)鍵字： 封裝技術(shù) TSV 中介層 3.5D
江蘇芯夢(mèng)TSV先進(jìn)封裝研發(fā)中心揭牌
- 8月8日，江蘇芯夢(mèng)TSV先進(jìn)封裝研發(fā)中心揭牌儀式在中吳潤(rùn)金先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)園舉行。據(jù)江蘇芯夢(mèng)介紹，其TSV先進(jìn)封裝研發(fā)中心為江蘇芯夢(mèng)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司打造，中心以水平式電化學(xué)沉積工藝為核心，以自主研發(fā)為導(dǎo)向，構(gòu)建先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)全工藝流程測(cè)試平臺(tái)。該研發(fā)中心總面積1232.8㎡，擁有千級(jí)和百級(jí)兩種測(cè)試潔凈環(huán)境。配備自研生產(chǎn)的Xtrim-ECD 電鍍?cè)O(shè)備及全套涂膠、曝光、顯影、蝕刻等先進(jìn)封裝主流程工藝設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)先進(jìn)封裝中RDL、Bumping、TSV等電鍍工藝的打樣測(cè)試；同時(shí)還配備了Xtrim-FC
- 關(guān)鍵字： 江蘇芯夢(mèng) TSV 先進(jìn)封裝
一文看懂TSV技術(shù)
- 前言從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛尽Ｔ?000年的第一個(gè)月，Santa Clara Universi
- 關(guān)鍵字： 芯片 TSV HBM NAND 先進(jìn)封裝
先進(jìn)封裝技術(shù)及其對(duì)電子產(chǎn)品革新的影響
- 芯片封裝早已不再僅限于傳統(tǒng)意義上為獨(dú)立芯片提供保護(hù)和I/O擴(kuò)展接口，如今有越來越多的封裝技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)多種不同芯片之間的互聯(lián)。先進(jìn)封裝工藝能提高器件密度并由此減小空間占用，這一點(diǎn)對(duì)于手機(jī)和自動(dòng)駕駛汽車等電子設(shè)備的功能疊加來說至關(guān)重要。芯片封裝行業(yè)的發(fā)展使國(guó)際電氣電子工程師協(xié)會(huì)電子元件封裝和生產(chǎn)技術(shù)學(xué)會(huì)(IEEE-CPMT)意識(shí)到必須要拓展自身的技術(shù)范疇，并于2017年正式更名為國(guó)際電氣電子工程師協(xié)會(huì)電子封裝學(xué)會(huì)(IEEE- EPS)。有一種先進(jìn)封裝技術(shù)被稱為“晶圓級(jí)封裝”(WLP)，即直接在晶圓上完成集成電
- 關(guān)鍵字： TSV WLP
硅3D集成技術(shù)的新挑戰(zhàn)與新機(jī)遇
- 摘要從低密度的后通孔TSV 硅3D集成技術(shù)，到高密度的引線混合鍵合或3D VSLI CoolCubeTM解決方案，研究人員發(fā)現(xiàn)許多開發(fā)新產(chǎn)品的機(jī)會(huì)。本文概述了當(dāng)前新興的硅3D集成技術(shù)，討論了圖像傳感器、光子器件、MEMS、Wide I/O存儲(chǔ)器和布局先進(jìn)邏輯電路的硅中介層，圍繞3D平臺(tái)性能評(píng)估，重點(diǎn)介紹硅3D封裝的主要挑戰(zhàn)和技術(shù)發(fā)展。硅的 3D應(yīng)用機(jī)會(huì)從最初為圖像傳感器設(shè)計(jì)的硅2.5D集成技術(shù)[1]，到復(fù)雜的高密度的高性能3D系統(tǒng)，硅3D集成是在同一芯片上集成所有功能的系統(tǒng)芯片(SoC)之外的另一種支持各
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滿足穿戴式產(chǎn)品對(duì)于超小型環(huán)境光傳感器的需求
- 本文介紹了適合穿戴式產(chǎn)品的超小型環(huán)境光傳感器及ams公司采用TSV制造技術(shù)的TSL2584TSV，其精度與靈敏度更高。
- 關(guān)鍵字： 穿戴式 環(huán)境光傳感器 TSV 201607
Yole：2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場(chǎng)9%
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement稍早前發(fā)布了一份針對(duì)3DIC與矽穿孔 ( TSV )的調(diào)查報(bào)告，指出過去一年來，所有使用TSV封裝的3DIC或3D-WLCSP平臺(tái)(包括CMOS影像感測(cè)器、環(huán)境光感測(cè)器、功率放大器、射頻和慣性MEMS元件)等產(chǎn)品產(chǎn)值約為27億美元，而到了2017年，該數(shù)字還可望成長(zhǎng)到400億美元，占總半導(dǎo)體市場(chǎng)的9%。 Yole Developpement的先進(jìn)封裝部市場(chǎng)暨技術(shù)分析師Lionel Cadix 指出，3DIC通常使用TSV 技術(shù)來堆疊記憶體和邏輯IC，預(yù)
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 3D TSV
集成電路封裝技術(shù)國(guó)家工程實(shí)驗(yàn)室啟動(dòng)
- 經(jīng)國(guó)家發(fā)改委批準(zhǔn)，以國(guó)內(nèi)集成電路封測(cè)領(lǐng)軍企業(yè)江蘇長(zhǎng)電科技股份公司為依托，聯(lián)合中科院微電子研究所、清華大學(xué)微電子所、深圳微電子所、深南電路有限公司等五家機(jī)構(gòu)，共同組建的中國(guó)首家“高密度集成電路封裝技術(shù)國(guó)家工程實(shí)驗(yàn)室”日前在位于無錫江陰的長(zhǎng)電科技掛牌，標(biāo)志著國(guó)家重點(diǎn)扶持的集成電路封裝技術(shù)產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的工程實(shí)驗(yàn)平臺(tái)正式啟動(dòng)。 近年來，國(guó)內(nèi)外集成電路( IC)市場(chǎng)的需求不斷上升，產(chǎn)業(yè)規(guī)模發(fā)展迅速， IC產(chǎn)業(yè)已成為國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的關(guān)鍵。旺盛的封測(cè)市場(chǎng)需求給國(guó)內(nèi)的封測(cè)企業(yè)帶來了良好的發(fā)
- 關(guān)鍵字： 集成電路 WLCSP SiP 封測(cè) IC封裝 FCBGA TSV MIS
MEMS市場(chǎng)繼續(xù)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)多
- 按Yole Developpement報(bào)道,全球MEMS工業(yè)正面臨之前從未有過的停滯,2008年的銷售額下降2%,達(dá)68億美元,其2009年非?？赡茉鲩L(zhǎng)率小于1%。然而當(dāng)汽車電子,工業(yè)壓力傳感器及打印頭市場(chǎng)隨著全球經(jīng)濟(jì)下滑時(shí),許多新的MEMS應(yīng)用卻得到切實(shí)的增長(zhǎng)。 MEMS在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,如加速度計(jì),陀螺儀的市場(chǎng)繼續(xù)看好,推動(dòng)供應(yīng)商如STMicron(日內(nèi)瓦),Invensense(加州桑尼威爾),其銷售額有10-30%增長(zhǎng)。隨著MEMS在醫(yī)療電子和診斷設(shè)備的應(yīng)用擴(kuò)大,其市場(chǎng)繼續(xù)增大。今年新
- 關(guān)鍵字： MEMS 傳感器 CMOS 芯片堆疊封裝 TSV 納米印刷
tsv介紹
TSV TSV的英文全拼是“Through Silicon Vias”，中文意思為“通過硅片通道”。
英特爾公司首席技術(shù)官賈斯廷·拉特納表示，TSV技術(shù)是英特爾公司的工程師首先為未來的80核處理器產(chǎn)品開發(fā)的。這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)質(zhì)，是每一個(gè)處理內(nèi)核通過一個(gè)TSV通道直接連接一顆256KB的內(nèi)存芯片（充當(dāng)了緩存），隨著緩存數(shù)量的增加，這些緩存將可以替代另外的內(nèi)存芯片。
拉特納指出，雖然TSV技 [ 查看詳細(xì) ]
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