arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過文章進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過技術(shù)社區(qū)

海力士前高層加入慧榮　SSD大戰(zhàn)鳴槍

　　固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。　　慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器eMMC業(yè)務(wù)外，有機(jī)會(huì)延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲(chǔ)器模組兩大族群的目標(biāo)，看好公司營(yíng)運(yùn)
關(guān)鍵字： SSD NAND Flash SK海力士

NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲(chǔ)器市場(chǎng)暗潮涌動(dòng)

　　NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲(chǔ)的霸主，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命隨著工藝的先進(jìn)化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲(chǔ)技術(shù)勢(shì)在必行。　　從FRAM到相變式存儲(chǔ)器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過，走在最前列的是一家美國創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。　　RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢(shì)就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級(jí)別，Crossba
關(guān)鍵字： NAND 三星閃迪

DRAM樂觀 NAND有隱憂

　　記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩(wěn)定獲利，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂。　　DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺(tái)幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。　　NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、變化相對(duì)激烈，且難以預(yù)料;去年下半
關(guān)鍵字： DRAM 三星海力士 NAND Flash

東芝擴(kuò)充海外內(nèi)存芯片廠，會(huì)是中國嗎

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，東芝首席執(zhí)行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財(cái)年決定在何處新建一座內(nèi)存芯片工廠，并且在選擇建廠地址時(shí)會(huì)考慮海外地區(qū)。　　東芝在不到4個(gè)月前在四日市新開了一座NAND閃存芯片加工廠，田中久雄在接受采訪時(shí)稱，需求超過了產(chǎn)能，公司必須擴(kuò)大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機(jī)和其他電子產(chǎn)品。　　田中久雄稱：“三星已經(jīng)在中國西安市建廠，海力士也在中國建了一座生產(chǎn)廠。”當(dāng)被問及中國是否會(huì)是海外建廠的最佳地區(qū)時(shí)，他補(bǔ)充說
關(guān)鍵字：東芝 NAND

中國“援軍”幫助東芝追趕三星

智能手機(jī)全球迅速普及、終端記憶體的大容量化、大數(shù)據(jù)時(shí)代到來等，都將大幅增加對(duì)NAND型記憶卡的需求。
關(guān)鍵字：東芝三星 NAND

慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級(jí)單封裝SSD解決方案

　　在設(shè)計(jì)及推廣用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車載信息娛樂(IVI)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的汽車級(jí)PATA及SATA FerriSSD解決方案。　　FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應(yīng)用在車載IVI系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用中的SATA及PATA硬盤驅(qū)動(dòng)器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領(lǐng)先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動(dòng)器相比不僅運(yùn)行速度更
關(guān)鍵字：慧榮科技 NAND BGA

NAND閃存窮途末路下一代閃存技術(shù)百花齊放

　　由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲(chǔ)陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個(gè)計(jì)算架構(gòu)，閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達(dá)到15nm的水平，存儲(chǔ)密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。　　日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設(shè)備大會(huì))上就公布了其最新的可變電阻式存儲(chǔ)
關(guān)鍵字： NAND MLC TLC

研調(diào)：12月上旬NAND Flash合約價(jià)跌幅2%內(nèi)

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠商在第三季季底財(cái)報(bào)結(jié)算壓力過后，不再采取積極價(jià)格戰(zhàn)，使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面，因模組廠預(yù)期此波價(jià)格跌勢(shì)將持續(xù)，再加上手中庫存仍充足下，大多傾向12月月底再進(jìn)行采購談判，以爭(zhēng)取更優(yōu)惠的價(jià)格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價(jià)呈持平或僅微幅下跌0-2%。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節(jié)備貨動(dòng)能正式結(jié)束后，受到季節(jié)性因素影響，預(yù)期明(2015)年第一季全球智慧型手機(jī)
關(guān)鍵字： NAND Flash eMMC

三星半導(dǎo)體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠

　　韓國時(shí)報(bào)(Korea Times)15 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星電子明年將投資半導(dǎo)體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當(dāng)于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。　　全球記憶體晶片市場(chǎng)目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計(jì)來到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩(wěn)定與市場(chǎng)供需平衡。　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星看準(zhǔn)儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場(chǎng)需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設(shè)新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
關(guān)鍵字：三星 SK 海力士美光 NAND

東芝NAND Flash漲勢(shì)迅猛 TransferJet高效近場(chǎng)傳輸技術(shù)加速市場(chǎng)化

　　2014年NAND Flash市場(chǎng)在便攜式電子新品持續(xù)、快速更新的帶動(dòng)下表現(xiàn)出價(jià)格穩(wěn)定、需求強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢(shì)。尤其在下半年蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流，三星、東芝這些存儲(chǔ)行業(yè)大牌的表現(xiàn)尤為出色。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce最新報(bào)告，2014年第三季度東芝NAND Flash產(chǎn)品營(yíng)收環(huán)比大增23.7%，穩(wěn)居世界前二位，其中15nm新制程的產(chǎn)出比重持續(xù)增加。　　在今年的高交會(huì)上，記者也對(duì)東芝新制程的存儲(chǔ)
關(guān)鍵字：東芝 NAND Flash TransferJet

無NAND之地：閃存無法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心？

　　NAND會(huì)不會(huì)徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心？答案是不會(huì)。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預(yù)測(cè)顯示，磁盤的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會(huì)給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
關(guān)鍵字： NAND SSD 數(shù)據(jù)中心閃存

NAND吃緊！花旗：三星、hTC將學(xué)蘋果加大智能機(jī)容量

　　Investor.com 3日?qǐng)?bào)導(dǎo)，花旗發(fā)表研究報(bào)告指出，三星電子、宏達(dá)電 (2498)等智慧型手機(jī)制造商有望跟隨蘋果 ( Apple Inc. )的腳步增加手機(jī)的儲(chǔ)存容量，這會(huì)提高市場(chǎng)對(duì)SanDisk產(chǎn)品的需求。　　費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成分股SanDisk 3日聞?dòng)嵣蠞q2.02%、收103.36美元;該檔個(gè)股在11月總計(jì)勁揚(yáng)了9.9%、年初迄今大漲46.53%。SanDisk 11月26日收盤(104.26美元)甫創(chuàng)7月16日以來收盤新高。　　根據(jù)報(bào)告，花旗分析師Joe Yoo將SanDisk的投
關(guān)鍵字：花旗三星 NAND Flash

分析師：2015年NAND Flash市況“上冷下熱”

　　TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 調(diào)查顯示， NAND Flash 成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如 SSD 與eMMC等需求則持續(xù)成長(zhǎng)，估計(jì) 2015年 NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長(zhǎng)12%，至276億美元。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，由于終端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半集中在第三季和第四季，相較之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng)，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是
關(guān)鍵字： TrendForce NAND Flash SSD

SSD價(jià)格快速下滑　普及化只剩時(shí)間問題

　　固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技術(shù)逐漸擴(kuò)散，帶動(dòng)儲(chǔ)存容量擴(kuò)大，并加速SSD大眾化時(shí)代的來臨。　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，SSD將形成半導(dǎo)體新市場(chǎng)，價(jià)格跌幅相當(dāng)明顯。外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料指出，256GB容量的SSD平均價(jià)格在2014年第3季時(shí)為124美元，與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。　　南韓業(yè)界認(rèn)為，目前價(jià)格69美元、容量128GB的SSD，在2015年價(jià)格將降低至50美元以下。　　南韓Woor
關(guān)鍵字： 3D NAND SSD TLC

2015年NAND Flash產(chǎn)業(yè)持續(xù)向上，產(chǎn)值成長(zhǎng)超過10%

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示， NAND Flash成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長(zhǎng)，2015年NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長(zhǎng)12%，達(dá)276億美元。DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，由于終端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半集中在第三和第四季，相比之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng)，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此DRAMeXchange預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是上半年
關(guān)鍵字： NAND Flash SSD

共1179條 37/79 |‹ « 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 » ›|

arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過的朋友們分享。創(chuàng)建詞條