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          arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區(qū)

          武漢新芯:定位存儲(chǔ)器制造,兩年后或推3D NAND

          • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起獨(dú)立經(jīng)營(yíng),是國(guó)有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國(guó)際)和華力微電子(HLMC)等,XMC將立足存儲(chǔ)器制造。近日,武漢新芯董事長(zhǎng)王繼增告訴筆者。
          • 關(guān)鍵字: XMC  存儲(chǔ)器  NOR  NAND  201401  

          ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

          • 在本章開(kāi)始之前,我們先來(lái)看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu):
          • 關(guān)鍵字: ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  

          武漢新芯:已建成IP體系,欲以存儲(chǔ)器為特色

          • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè),2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資,并由東湖高新區(qū)管理的全資國(guó)有企業(yè),前幾年委托SMIC(中芯國(guó)際)經(jīng)營(yíng)管理,從2012年底起獨(dú)立經(jīng)營(yíng)。
          • 關(guān)鍵字: XMC  存儲(chǔ)器  NAND  

          ARM編程中的ARM Boot 示例

          • 程序主要作用是通過(guò)串口下載VxWorks到ARM Flash ROM,主要過(guò)程是初始化ARM硬件,初始化串口UART1,從串口接收V ...
          • 關(guān)鍵字: ARM編程  ARM  Boot    

          東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

          • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時(shí)該模塊符合最新的e·MMC?[1]標(biāo)準(zhǔn),旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品。批量生產(chǎn)將從11月底開(kāi)始。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  嵌入式  NAND  

          基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲(chǔ)器管理接口結(jié)合I/O口來(lái)實(shí)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法,并介紹底層的驅(qū)動(dòng)程序。
          • 關(guān)鍵字: Flash  嵌入式  MCU  存儲(chǔ)器  NAND  寄存器  201312  

          Marvell擴(kuò)大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場(chǎng)份額

          • 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達(dá)克代碼:MRVL)日前宣布,其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實(shí)現(xiàn)全球消費(fèi)者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前,Marvell擁有豐富的端到端存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算、移動(dòng)和聯(lián)網(wǎng)解決方案,在行業(yè)中占據(jù)著獨(dú)一無(wú)二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
          • 關(guān)鍵字: Marvell  固態(tài)硬盤  NAND  

          可管理NAND:適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲(chǔ)

          • 與多年前相比,現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜,功能豐富,能夠存儲(chǔ)大量音樂(lè)、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是,存儲(chǔ)...
          • 關(guān)鍵字: NAND    移動(dòng)設(shè)備    大容量存儲(chǔ)  

          10月快閃存儲(chǔ)器NAND供過(guò)于求 合約價(jià)看漲

          •   市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期,第4季儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NANDFlash)供過(guò)于求情況可望趨緩,10月合約價(jià)看漲。   集邦科技表示,海力士(Hynix)中國(guó)大陸無(wú)錫廠發(fā)生火災(zāi)意外,不僅帶動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)價(jià)格飆漲,同時(shí)激勵(lì)9月NANDFlash合約價(jià)上漲3%至6%。   集邦科技指出,盡管NANDFlash市場(chǎng)銷售并無(wú)好轉(zhuǎn)跡象,不過(guò),海力士無(wú)錫廠復(fù)工情況依然混沌不明,NANDFlash供給將連帶受到影響,預(yù)期第4季NANDFlash市場(chǎng)供過(guò)于求情況可望趨緩。   集邦預(yù)期,近期1至2個(gè)月
          • 關(guān)鍵字: 快閃存儲(chǔ)器  NAND  

          用DNW通過(guò)USB燒uboot到nand

          • 燒寫(xiě)前提:已經(jīng)把FS2410開(kāi)發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過(guò)JTAG燒到了NOR里面了,這樣我們從NOR啟動(dòng)才可以使用US...
          • 關(guān)鍵字: DNW  USB  uboot  nand  

          采取多元化戰(zhàn)略,加強(qiáng)在華合作

          • 編者按:8月初,Spansion宣布兩項(xiàng)重大舉措:一,完成對(duì)富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務(wù)的收購(gòu);二,簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術(shù)許可協(xié)議。可見(jiàn),Spansion由最大的獨(dú)立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司,并且加深與中國(guó)代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對(duì)華戰(zhàn)略如何?
          • 關(guān)鍵字: 富士通  Spansion  MCU  NAND  201309  

          三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND

          •   三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵,今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經(jīng)成了潮流,處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來(lái)。   三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu),通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。   三星稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫(xiě)入性能也可達(dá)到1xnm N
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 力成進(jìn)補(bǔ)

          •   不讓韓國(guó)三星專美于前,日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,將共同斥資4,000億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣1,221.2億元),于日本三重縣四日市興建儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)新廠,導(dǎo)入最新16至17納米制程,使總產(chǎn)能提升20%,明年4月量產(chǎn),為在臺(tái)后段封測(cè)廠力成(6239)營(yíng)運(yùn)挹注成長(zhǎng)動(dòng)能。   這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后,東芝近兩年來(lái)首度做出增產(chǎn)決定,因?yàn)樘O果中低價(jià)手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。   研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì),去年全球NAND Flash出貨量,三星居全球
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

          NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

          • 據(jù)IHS公司的移動(dòng)與嵌入存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告,今年第一季度中國(guó)低端智能手機(jī)的需求大增,讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及,刺激了NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
          • 關(guān)鍵字: IHS  NAND  

          第一季度SSD出貨勁增,尤其是在超級(jí)本與PC平板領(lǐng)域

          • 據(jù)IHS公司的存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告,超薄/超級(jí)本PC以及PC平板的使用大增,在第一季度極大地推動(dòng)了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領(lǐng)域的出貨量同比激增兩倍。
          • 關(guān)鍵字: IHS  SSD  NAND  HDD  
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          arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹

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