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華虹半導(dǎo)體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn)，助力LED照明騰飛

　　華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布，其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺已經(jīng)成功實現(xiàn)量產(chǎn)，良率超過98%，達(dá)到國際一流水平。該工藝平臺主要針對諸如AC-DC轉(zhuǎn)換器和LED照明等綠色能源的應(yīng)用，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點，可為客戶提供極具競爭力的單芯片解決方案。目前，已有多家客戶在該平臺量產(chǎn)，各項指標(biāo)均達(dá)到或超過客戶要求。　　在全球節(jié)能環(huán)保的大趨勢下，LED綠色照明已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展期。據(jù)相關(guān)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計，
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華虹半導(dǎo)體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn) 助力LED照明騰飛

　　香港, 2015年4月22日 - (亞太商訊) - 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠── 華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布，其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺已經(jīng)成功實現(xiàn)量產(chǎn)，良率超過98%，達(dá)到國際一流水平。該工藝平臺主要針對諸如AC-DC轉(zhuǎn)換器和LED照明等綠色能源的應(yīng)用，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點，可為客戶提供極具競爭力的單芯片解決方案。目前，已有多家客戶在該平臺量產(chǎn)，各項指標(biāo)均達(dá)到或超過客戶
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Peregrine半導(dǎo)體公司在大中華市場推出UltraCMOS? 單片相位幅度控制器

　　Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻 SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的奠基者和先進(jìn)射頻解決方案的先驅(qū)，宣布在大中華市場推出該公司的新系列UltraCMOS?單片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC產(chǎn)品中集成了一個90度混合分離器、移相器、數(shù)字步進(jìn)衰減器以及一個數(shù)字SPI接口，全部做在一塊芯片上。與多芯片的砷化鎵(GaAs)解決方案比較，這種單片射頻控制器的線性度高，隔離性能好，能夠控制很大的功率，相位調(diào)諧靈活性極強(qiáng)，對于兩路動態(tài)負(fù)載調(diào)制放大器結(jié)構(gòu)，例如多爾蒂(Doherty)功率放大器，是理想的射頻控制方案
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華虹半導(dǎo)體推出0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計工具包

　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠-華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布推出全新的0.2微米射頻SOI (絕緣體上硅)工藝設(shè)計工具包(Process Design Kit，PDK)。這標(biāo)志著新的0.2微米射頻SOI工藝平臺已成功通過驗證，并正式投入供客戶設(shè)計開發(fā)使用。工藝設(shè)計工具包(PDK)的推出可協(xié)助客戶快速完成高質(zhì)量射頻器件的設(shè)計與流片。　　華虹半導(dǎo)體的0.2微米SOI工藝平臺是專為無線射頻前端開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的工藝解決方案。相比基于砷化鎵(GaAs)
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意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布2013年企業(yè)可持續(xù)發(fā)展報告

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體公布了2013年可持續(xù)發(fā)展報告(Sustainability Report)。意法半導(dǎo)體連續(xù)17年公布可持續(xù)發(fā)展報告。報告內(nèi)容全面地介紹意法半導(dǎo)體在2013年實施的可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略、政策和業(yè)績，并例證了可持續(xù)發(fā)展計劃如何在企業(yè)經(jīng)營中發(fā)揮重要作用，為所有的利益相關(guān)者創(chuàng)造價值。　　意法半導(dǎo)體公司總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti表示：“意法半導(dǎo)體在很早之前就認(rèn)識到了可持續(xù)發(fā)展的重要性，20年來，可持續(xù)發(fā)展已成為意法半導(dǎo)體核心戰(zhàn)略的
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IBM針對RF芯片代工升級制程技術(shù)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： IBM RF芯片代工升級制程技術(shù) SiGe SOI

Peregrine半導(dǎo)體公司在電子設(shè)計創(chuàng)新會議上推出UltraCMOS Global 1射頻前端

　　Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的創(chuàng)始人、先進(jìn)的射頻解決方案之先驅(qū)，今天，在電子設(shè)計創(chuàng)新會議(EDI?CON?2014)上，宣布UltraCMOS?Global1在大中華地區(qū)首次亮相。UltraCMOS?Global?1是行業(yè)中第一個可重構(gòu)射頻前端(?RFFE?)系統(tǒng)。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS?Global?1是單一平臺的設(shè)計──?
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數(shù)字鐘設(shè)計與制作

　　本文采用CMOS數(shù)字集成電路實現(xiàn)了一種數(shù)字鐘電路，該電路設(shè)計包括了時序邏輯電路、組合邏輯電路、數(shù)碼管顯示電路和脈沖信號產(chǎn)生電路等內(nèi)容，內(nèi)容涉及面寬、綜合性強(qiáng)，是電子技術(shù)自主性實驗教學(xué)的典型案例
關(guān)鍵字：數(shù)字鐘 CMOS CD4518 BCD-7

非制冷紅外焦平面陣列電路設(shè)計

　　針對SOI二極管型非制冷紅外探測器，設(shè)計了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調(diào)制積分(GMI)結(jié)構(gòu)，將探測器輸出電壓信號轉(zhuǎn)化為電流信號進(jìn)行積分。設(shè)計了虛擬電流源結(jié)構(gòu)，消除線上壓降(IR drop)對信號造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計，5V電源電壓供電。當(dāng)探測器輸出信號變化范圍為0~5mV時，讀出電路仿真結(jié)果表明：動態(tài)輸出范圍2V，線性度99.68%，信號輸出頻率5MHz，功耗116mW。
關(guān)鍵字：紅外 ROIC CMOS SOI GMI 201404

東芝推出智能手機(jī)專用射頻天線開關(guān)

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布開發(fā)出一種帶MIPI?RFFE接口的SP10T射頻天線開關(guān)，其插入損耗堪稱智能手機(jī)市場業(yè)界最低，尺寸堪稱業(yè)界最小。該產(chǎn)品即日起交付樣品。
關(guān)鍵字：東芝射頻天線 SOI

不懈追尋科技引領(lǐng)智能生活理念

電子技術(shù)的變革，讓人們的生活不斷智能化，智能化手機(jī)，電視，家居，汽車甚至機(jī)器人和人體輔助設(shè)備等。意法半導(dǎo)體追尋的理念就是科技引領(lǐng)智能生活，意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼數(shù)字融合事業(yè)部總經(jīng)理GIAN LUCA BERTINO，論述ST在智能電視和智能化家居方面的企業(yè)戰(zhàn)略及技術(shù)演進(jìn)。
關(guān)鍵字： ST 機(jī)頂盒多媒體處理器 FD-SOI

BCD格式實時時鐘的狀態(tài)機(jī)邏輯

開發(fā)實時時鐘(RTC)軟件時，需要首先理解時鐘核心邏輯的定義。我們通常對時鐘和日歷的工作原理有一個基本的認(rèn)識，本文則深入分析了芯片在裝載了不正確或不合法的內(nèi)容時可能產(chǎn)生的后果。
關(guān)鍵字： Maxim RTC 寄存器 BCD

FD-SOI: 下一代NovaThor平臺的助力器

隨著智能手機(jī)功能最近不斷升級演化，消費(fèi)者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現(xiàn)已成為高端手機(jī)的標(biāo)配。同時，消費(fèi)者還期望手機(jī)纖薄輕盈，電池續(xù)航能力至少
關(guān)鍵字：助力平臺 NovaThor 下一代 FD-SOI:

BCD推出多款LED驅(qū)動電源解決方案

近期，BCD半導(dǎo)體制造有限公司（BCDSemi）針對LED驅(qū)動電源的特殊要求，推出了一系列高性價比、覆蓋中小功率應(yīng)用...
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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

　　在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。　　根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當(dāng)，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
關(guān)鍵字： ST FD-SOI 10nm