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ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日，意法半導(dǎo)體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)平臺和設(shè)
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華潤上華第二代200V SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級，達(dá)到更高的性價比，這在國內(nèi)尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù)，具備了根據(jù)市場需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。
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華潤上華于上海舉辦首場BCD系列工藝技術(shù)論壇
- 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)旗下華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)于上海舉辦技術(shù)論壇，主題為“BCD系列工藝技術(shù)為綠色節(jié)能IC產(chǎn)品增值”。本次論壇由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會協(xié)辦，是該協(xié)會首次與企業(yè)合作舉辦論壇，也是華潤上華舉辦的第一場針對某個工藝的小型專題技術(shù)論壇。論壇吸引了共計(jì)100余位來自模擬IC設(shè)計(jì)公司的聽眾。
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意法委托GLOBALFOUNDRIES代工FD-SOI芯片
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布，引領(lǐng)全球半導(dǎo)體技術(shù)升級的半導(dǎo)體代工廠商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的消費(fèi)者對智能手機(jī)和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能，同時又不能犧牲電池壽命。在設(shè)
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華潤上華推出高性價比0.25微米Scalable BCD工藝平臺
- 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司宣布已完成0.25微米Scalable BCD工藝平臺開發(fā)，其更低成本和更高的可移植性可滿足客戶多樣化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求，進(jìn)一步提高了華潤上華BCD系列工藝平臺的技術(shù)優(yōu)勢。 華潤上華的0.25微米Scalable BCD工藝平臺為0.5微米前段制程與0.25微米后段制程，由之前0.25微米24V BCD工藝平臺延伸而來，核心器件工作電壓為5V，提供DMOS工作電壓為12V至45V的高壓器件與功率器件，其擊穿電壓由20V延伸到80V。該工藝廣泛應(yīng)用于DC-D
- 關(guān)鍵字： 華潤 微電子 BCD
BCD七段數(shù)碼管顯示譯碼器電路
- BCD七段數(shù)碼管顯示譯碼器電路發(fā)光二極管(LED)由特殊的半導(dǎo)體材料砷化鎵、 磷砷化鎵等制成，可以單獨(dú)使用，也可 ...
- 關(guān)鍵字： BCD 七段數(shù)碼管 顯示譯碼器
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