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臺(tái)積電升級 CoWoS 封裝技術(shù)，計(jì)劃 2027 推出 12 個(gè) HBM4E 堆棧的 120x120mm 芯片
- 4 月 28 日消息，臺(tái)積電近日在北美技術(shù)研討會(huì)上宣布，正在研發(fā) CoWoS 封裝技術(shù)的下個(gè)版本，可以讓系統(tǒng)級封裝（SiP）尺寸增大兩倍以上，實(shí)現(xiàn) 120x120mm 的超大封裝，功耗可以達(dá)到千瓦級別。根據(jù)臺(tái)積電官方描述，CoWoS 封裝技術(shù)繼任者所創(chuàng)建的硅中介層，其尺寸是光掩模（Photomask，也稱 Reticle，大約為 858 平方毫米）是 3.3 倍。CoWoS 封裝技術(shù)繼任者可以封裝邏輯電路、8 個(gè) HBM3 / HBM3E 內(nèi)存堆棧、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以達(dá)到
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臺(tái)積電CoWoS供不應(yīng)求，三星搶下英偉達(dá)2.5D先進(jìn)封裝訂單
- 4月8日消息，據(jù)韓國媒體TheElec報(bào)導(dǎo)，三星電子已經(jīng)成功拿下了GPU大廠英偉達(dá)（NVIDIA）的2.5D封裝訂單。據(jù)市場人士的說法，三星的先進(jìn)封裝（AVP）團(tuán)隊(duì)將為英偉達(dá)提供Interposer（中間層）和I-Cube先進(jìn)封裝產(chǎn)能。I-Cube為三星自主研發(fā)的2.5D封裝技術(shù)，但是當(dāng)中的高帶寬內(nèi)存（HBM）和GPU晶圓的生產(chǎn)將由其他公司負(fù)責(zé)?，F(xiàn)階段通過2.5D封裝技術(shù)可以將多個(gè)芯片，例如CPU、GPU、I / O界面、HBM等，平均放置在中間層上完整封裝在單一系統(tǒng)芯片當(dāng)中。臺(tái)積電將這種封裝技術(shù)
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全球半導(dǎo)體復(fù)蘇勢頭不減！
- 受益于AI浪潮驅(qū)動(dòng)，以及消費(fèi)電子市場需求逐步回溫，半導(dǎo)體市場正不斷釋放利好信號。近期，韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部公布的數(shù)據(jù)顯示，韓國今年3月份芯片出口117億美元，同比增長35.7%，連續(xù)5個(gè)月增長，單月增幅為2022年6月以來最高。業(yè)界認(rèn)為，智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心與AI等帶動(dòng)下，韓國芯片出口額上升。與此同時(shí) ，美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）對外表示，今年1月全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售總額為476億美元，同比增長15.2%，2月全球半導(dǎo)體銷量同比增長14.3%。此前，SIA透露，2023年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售總額同比下降8.
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消息稱英偉達(dá) Blackwell“B100”GPU 將配 192GB HBM3e 顯存
- 3 月 18 日消息，英偉達(dá)將在明日舉行GTC 2024 主題演講，黃仁勛預(yù)計(jì)將宣布名為 Blackwell 的下一代 GPU 架構(gòu)。據(jù) XpeaGPU 爆料稱，明天推出的 B100 GPU 將采用兩個(gè)基于臺(tái)積電 CoWoS-L 封裝技術(shù)的芯片。CoWoS（晶圓基片芯片）是一項(xiàng)先進(jìn)的 2.5D 封裝技術(shù)，涉及將芯片堆疊在一起，提高處理能力，同時(shí)節(jié)省空間并降低功耗。XpeaGPU 透露，B100 GPU 的兩個(gè)計(jì)算芯片將連接到 8 個(gè) 8-Hi HBM3e 顯存堆棧，總?cè)萘繛?192GB。值得注意的是，
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需求爆發(fā)，英偉達(dá)等大廠積極爭奪CoWoS產(chǎn)能
- 人工智能（AI）芯片熱潮之下，CoWoS先進(jìn)封裝需求水漲船高。最新消息顯示，英偉達(dá)、AMD、蘋果等廠商正積極爭奪CoWoS產(chǎn)能。CoWoS需求爆發(fā)，英偉達(dá)、AMD等積極追單近期，媒體報(bào)道，GPU大廠英偉達(dá)10月已經(jīng)擴(kuò)大CoWoS訂單，除此之外，包括蘋果、AMD、博通、美滿電子等在內(nèi)的四家大廠近期同樣積極追單。據(jù)悉，英偉達(dá)一直是臺(tái)積電CoWoS封裝大客戶，單英偉達(dá)一家公司就占據(jù)了臺(tái)積電CoWo六成產(chǎn)能，主要應(yīng)用于H100、A100等高性能芯片。未來，英偉達(dá)將陸續(xù)推出H200與B100架構(gòu)，先進(jìn)封裝需求將持續(xù)
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臺(tái)積電：希望OSAT擴(kuò)大其先進(jìn)封裝能力
- 自 20 世紀(jì) 80 年代末代工業(yè)務(wù)模式誕生以來，臺(tái)積電就開始生產(chǎn)硅片。相比之下，外包半導(dǎo)體封裝和測試 (OSAT) 服務(wù)提供商會(huì)將其封裝到陶瓷或有機(jī)外殼中。近年來，隨著先進(jìn)封裝方法的出現(xiàn)，情況發(fā)生了變化，這些方法需要類似于硅生產(chǎn)所使用的復(fù)雜工具和潔凈室，因?yàn)榕_(tái)積電處于創(chuàng)新封裝方法的最前沿，該公司將其聚合在 3DFabric 技術(shù)中，并且因?yàn)樗⒘诉m當(dāng)?shù)漠a(chǎn)能。許多公司，例如英偉達(dá)，希望向代工廠發(fā)送藍(lán)圖并讓他們的產(chǎn)品準(zhǔn)備好發(fā)貨，這就是為什么他們選擇使用臺(tái)積電的服務(wù)來封裝他們先進(jìn)的系統(tǒng)級芯片，例如 H100
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熬出頭的CoWoS
- 據(jù)中國臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電正在擴(kuò)大 CoWoS 先進(jìn)封裝產(chǎn)能，以滿足客戶，尤其是 AI 芯片領(lǐng)域的需求。英偉達(dá)等大客戶增加了對 CoWoS 封裝的訂單量，AMD、亞馬遜等其他大廠也出現(xiàn)了緊急訂單。為了滿足這些需求，臺(tái)積電已要求設(shè)備供應(yīng)商增加 CoWoS 機(jī)臺(tái)的生產(chǎn)數(shù)量，并計(jì)劃在明年上半年完成交付和安裝。9 月底，傳出消息臺(tái)積電再次追加 30% 半導(dǎo)體設(shè)備訂單，帶動(dòng)聯(lián)電、日月光投控等 CoWoS 先進(jìn)封裝中介層供應(yīng)商接單量，并傳出后者要漲價(jià)的消息。CoWoS 也曾「煎熬」CoWoS 是臺(tái)積電獨(dú)門技術(shù)，201
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什么是CoWoS？ 用最簡單的方式帶你了解半導(dǎo)體封裝！
- 過去數(shù)十年來，為了擴(kuò)增芯片的晶體管數(shù)量以推升運(yùn)算效能，半導(dǎo)體制造技術(shù)已從1971年10,000nm制程進(jìn)步至2022年3nm制程，逐漸逼近目前已知的物理極限，但隨著人工智能、AIGC等相關(guān)應(yīng)用高速發(fā)展，設(shè)備端對于核心芯片的效能需求將越來越高; 在制程技術(shù)提升可能遭遇瓶頸，但是運(yùn)算資源需求持續(xù)走高的情況下，透過先進(jìn)封裝技術(shù)提升芯片之晶體管數(shù)量就顯得格外重要。01半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)這兩年“先進(jìn)封裝”被聊得很多，“封裝”大概可以類比為對電子芯片的保護(hù)殼，保護(hù)電路芯片免受外界環(huán)境的不良影響。當(dāng)然芯片封裝還涉及
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異質(zhì)整合突破 應(yīng)用材料火力支持IC封裝
- 目前臺(tái)積電先進(jìn)封裝CoWoS的制程瓶頸在于硅穿孔（TSV）技術(shù)，TSV硅穿孔芯片堆棧并非打線接合，而是在各邏輯芯片鉆出小洞，從底部填充入金屬，使其能通過每一層芯片。再以導(dǎo)電材料如銅、多晶硅、鎢等物質(zhì)填滿，形成連接的功能，最后將晶圓或晶粒薄化加以堆棧、結(jié)合（Bonding），作為芯片間傳輸電訊號用之立體堆棧技術(shù)。隨著IC設(shè)計(jì)業(yè)者繼續(xù)將更多的邏輯、內(nèi)存和特殊功能芯片整合到先進(jìn)的2.5D和3D封裝中，每個(gè)封裝中的TSV互連導(dǎo)線數(shù)量擴(kuò)展到數(shù)千個(gè)。為整合更多的互連導(dǎo)線并容納更高的芯片堆棧，需將硅穿孔變得更窄、更高，
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AI市場需求持續(xù)提升，晶圓代工廠商急擴(kuò)CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能
- 受惠于生成式人工智能應(yīng)用市場的成長，在各云端運(yùn)算供應(yīng)商與IC設(shè)計(jì)公司發(fā)展人工智能芯片的情況下，臺(tái)積電相關(guān)訂單持續(xù)火爆。然而，受到CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能有限的情況下，市場傳出臺(tái)積電持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)竹南、龍?zhí)?、臺(tái)中的先進(jìn)封裝產(chǎn)能。當(dāng)前人工智能芯片訂單對臺(tái)積電的貢獻(xiàn)度雖然不高，但是市場需求卻持續(xù)提升，其中除了來自英偉達(dá)(NVIDIA)、AMD、博通、思科等IC設(shè)計(jì)大廠的訂單之外，云端服務(wù)供應(yīng)商如AWS、Google等也都相繼宣布將投入人工智能芯片的發(fā)展，讓目前幾乎囊括市場中所有人工智能制造芯片訂單的臺(tái)積電相關(guān)產(chǎn)能供不應(yīng)
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TSMC確認(rèn)采用Cadence 3D-IC技術(shù)應(yīng)用于其CoWoS參考流程
- 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)，今天宣布TSMC已經(jīng)確認(rèn)采用Cadence 3D-IC技術(shù)應(yīng)用于其CoWoS? (chip-on-wafer-on-substrate)參考流程，用來開發(fā)CoWoS?測試載具，包含一個(gè)SoC與Cadence Wide I/O存儲(chǔ)器控制器與PHY IP。這是晶圓廠方面的首個(gè)硅驗(yàn)證的參考流程，可用于多晶粒集成，并包含TSMC CoWoS?與Cadence 3D-IC技術(shù)，使得3D-IC設(shè)計(jì)成為電子公司的可靠選擇。 3D-
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TSMC率先推出CoWoSTM測試芯片產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案
- TSMC日前宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出整合JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC Solid State Technology Association)Wide I/O行動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存接口(Wide I/O Mobile DRAM Interface)的CoWoSTM測試芯片產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案，此項(xiàng)里程碑印證產(chǎn)業(yè)邁向系統(tǒng)整合的發(fā)展趨勢，達(dá)到更高帶寬與更高效能的優(yōu)勢并且實(shí)現(xiàn)卓越的節(jié)能效益。
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