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	cxl dram
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          三星內(nèi)存霸占手機：市場份額創(chuàng)紀錄
          
                                                            
            
                    	
          • 　　市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù)顯示，2016年第三季度的全球移動DRAM內(nèi)存市場上，三星電子的份額已經(jīng)達到創(chuàng)紀錄的64.5%，比此前季度提高了3.0個百分點。
　　當季，三星移動內(nèi)存業(yè)務收入達29.6億美元(約合人民幣205億元)，環(huán)比大漲22.4%。
　　作為三星的頭號對手，SK海力士的份額從25.1%下降到了22.8%，基本上只有三星1/3的規(guī)模，不過兩家合計已經(jīng)占到了87.3%。
　　美光位列第三，但形勢也不太好，跌落到10.6%。臺灣南亞有所上升，但也不過1.3%。
　　上
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          第三季移動DRAM內(nèi)存產(chǎn)值季增16.8%
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于全球智能手機進入傳統(tǒng)備貨旺季，加上各DRAM產(chǎn)品價格同步上揚，第三季行動式內(nèi)存總產(chǎn)值達45.88億美元，季成長約16.8%。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季有蘋果iPhone 7與三星Note 7旗艦機型發(fā)布，讓全球行動式內(nèi)存出貨大增，縱使Note 7受爆炸影響于第四季宣布停產(chǎn)，先前的備料動作已為第三季行動式內(nèi)存的營收做出貢獻。
　　以三大DRAM廠行動式內(nèi)存營收市占來
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          • 關鍵字：
                        DRAM                          
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          TrendForce：價格漲勢不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動式內(nèi)存與服務器用內(nèi)存。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型內(nèi)存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內(nèi)存的價格上揚。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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          • 關鍵字：
                        TrendForce  DRAM                          
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          價格漲勢不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動式內(nèi)存與服務器用內(nèi)存。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型內(nèi)存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內(nèi)存的價格上揚。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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          • 關鍵字：
                        DRAM  南亞科                          
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          日本半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程解讀
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 目前世界半導體產(chǎn)業(yè)進入到寡頭時代，競爭格局相對穩(wěn)定。盡管日本企業(yè)在半導體設備行業(yè)份額日益減少，但在半導體的一些其他細分行業(yè)以及半導體材料領域， 日本企業(yè)仍保持著優(yōu)勢地位。
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          • 關鍵字：
                        半導體  DRAM                           
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          DRAM戰(zhàn)國時代 長江存儲、聯(lián)電、合肥長芯三大勢力將對決
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權(quán)大戰(zhàn)，長江存儲傳已評估到南京設立12寸廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長芯，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰(zhàn)2018年，搶當大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。
　　盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長江存儲將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術，由
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          • 關鍵字：
                        DRAM  長江存儲                          
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          SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領域?qū)⒛繕擞喸?017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。
　　SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  DRAM                          
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          SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領域?qū)⒛繕擞喸?017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。
　　SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  DRAM                          
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          賽普拉斯率先推出采用低引腳數(shù)MCP封裝的串行存儲器解決方案，實現(xiàn)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應用的瞬時啟動
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　賽普拉斯半導體公司今日宣布其一款用于支持瞬時啟動應用的全新小尺寸存儲器解決方案已驗證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內(nèi)集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲器。該方案在一個低引腳數(shù)封裝內(nèi)結(jié)合了用于實現(xiàn)快速啟動和隨開隨用高速NOR閃存，和用于擴展便箋式存儲器的自刷新DRAM ，特別適合空間受限和成本優(yōu)化的嵌入式 設計。 該解決方案可用于廣泛的應用類別，包括
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          • 關鍵字：
                        賽普拉斯  DRAM                           
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          三星2Q'17起或?qū)⑷娌?0納米制程生產(chǎn)移動DRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星電子(Samsung Electronics)被預估自2017年第2季開始，將全面采用20納米或以下的制程技術生產(chǎn)所有移動DRAM產(chǎn)品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術生產(chǎn)移動DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術上的加速演進。
　　韓聯(lián)社等外媒報導，根據(jù)市場研究公司DRAMeXchange指出，據(jù)信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動DRAM芯片中，約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術生產(chǎn)。
　　到目前三星移動DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          TrendForce：十月DRAM價格月漲逾20%，4GB模組均價來到17.5美元
          
                                                            
            
                    	
          • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價格，4GB模組均價來到17.5美元，較上月的14.5美元上漲逾20%;現(xiàn)貨市場也依然維持強勁的上升格局，DDR3/4 4Gb價格分別來到2.46/2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見市場對于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，觀察市場面，由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)進行動式內(nèi)存與服務器內(nèi)存后，
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          • 關鍵字：
                        TrendForce  DRAM                          
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          韓國成立半導體希望基金鎖定存儲器研發(fā)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　南韓沖刺半導體業(yè)組成國家隊，由當?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領軍，籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導體希望基金”，投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w相關企業(yè)。
　　三星、SK海力士是全球前兩大存儲器芯片商，單是DRAM領域，兩大廠市占率總和超過七成，具有絕對制價與技術領先優(yōu)勢，兩大廠領軍籌組南韓“半導體希望基金”，預料以存儲器相關業(yè)務為優(yōu)先，臺灣南亞科、華邦電等存儲器芯片廠，以及正在興起的大陸存儲器產(chǎn)業(yè)，短線將面臨更大壓力。
　　業(yè)界人士分析，此次南韓的&ld
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          • 關鍵字：
                        半導體  DRAM                          
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          傳三星 DRAM 明年邁 15 納米
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星電子智能手機吃悶棍，力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠遠落后，技術差距約為一年半。
　　BusinessKorea 31 日報導，半導體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標明年下半提高至 30~40%。相關人士說，明年三星 10 納
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          手機DRAM有漏洞，黑客可竊取手機最高權(quán)限
          
                                                            
            
                    	
          • 　　阿姆斯特丹自由大學(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實驗室VUSec Lab本周揭露了一個可能影響所有智能手機的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動平臺或程式上，而是藏匿在手機所使用的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中，將允許駭客取得手機的最高權(quán)限。雖然研究人員是以Android手機進行測試，但理論上該漏洞也會影響iPhone或基于其他平臺的手機。
　　研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來執(zhí)行攻擊，發(fā)現(xiàn)包括LG、Motorola、
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          • 關鍵字：
                        DRAM  ARM                          
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