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制程差距擴大 臺灣DRAM廠隱憂
- 臺灣DRAM大廠南科宣布8億股現(xiàn)金增資計劃,預計籌措100億元以上資金,全數(shù)投入50納米制程,以及償還公司債,盡管DRAM現(xiàn)貨價格已站上每顆2美元,時間點來得比預期早,國內DRAM廠暫時度過最艱困的時刻,但三星半導體將在明年把40納米推升為生產線主力,成本大幅降低的優(yōu)勢,勢必更加顯著,臺廠與國外一線大廠的苦戰(zhàn)還是難免。 由于DDR2過渡至DDR3面臨產能轉換的瓶頸期,導致DDR3產能不足,進一步拉抬DDR2價格,原本內存模塊廠預測,今年第四季底,DDR2現(xiàn)貨價才有機會達到2美元,但根據(jù)集邦科技報
- 關鍵字: 南科 50納米 40納米 DRAM
海力士半導體擬售28%股權 曉星集團有購買意向
- 據(jù)外電報道,曉星集團表示了收購海力士半導體的意向。 海力士股份管理協(xié)商會主管機構的外換銀行表示,在受理海力士收購意向書(L01)截止的最后一天,只有一家企業(yè)提交了意向書。據(jù)了解,這家企業(yè)是曉星集團。 外換銀行本月7日向43家企業(yè)發(fā)出了出售通知。該43家企業(yè)包括:公平交易委員會指定的企業(yè)集團當中,去年資產總額達到5萬億韓元以上的29家企業(yè);在2007年和2008年均受到相互出資限制的企業(yè)集團中,資產總額達2萬億韓元以上的14家企業(yè)。 當初估計,國內至少會有4、5家企業(yè)會對收購海力士有興
- 關鍵字: 海力士 DRAM 存儲芯片
三星芯片部總裁:全球芯片需求形勢好于預期
- 據(jù)國外媒體報道,三星電子芯片部門總裁權五鉉(Oh-Hyun Kwon)周二表示,全球芯片需求形勢好于公司原來預期,因此三星電子正在提高芯片產量以滿足市場需求。 權五鉉將需求提升歸功于企業(yè)重建庫存以及政府的經(jīng)濟刺激政策。 在臺北的新聞發(fā)布會上,權五鉉舉例道個人電腦用的DDR3芯片的需求就非常強勁。三星電子正在臺北舉行一個關于手機行業(yè)的論壇。 他表示,三星正在提高DDR3芯片的產量,預計將有助于結束市場供給短缺的現(xiàn)象。 權五鉉表示,此前由于制造商產能過度擴張,DRAM(動態(tài)隨機存取
- 關鍵字: 三星 DRAM DDR3 液晶面板 記憶體芯片
4大DRAM廠現(xiàn)金正流入 華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線
- DRAM價格漲不停,1Gb容量DDR2價格直逼2美元,苦熬多時的臺系DRAM廠終于進入現(xiàn)金正流入的狀態(tài),包括華亞科、力晶和茂德營運都終止失血,南亞科在自己晶圓廠生產部分也開始有現(xiàn)金流入,但采購自華亞科的部分,受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式,因此部分還是現(xiàn)金流出,但以整個臺塑集團的DRAM事業(yè)來看,已進入現(xiàn)金正流入狀態(tài),下一步臺系DRAM業(yè)者的目標是轉虧為盈。 4 大DRAM廠2008年虧損金額超過新臺幣1,000億元,眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
- 關鍵字: 力晶 DRAM DDR2
IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM
- IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片,并稱該芯片是半導體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動態(tài)存儲器。 IBM表示,使用SOI技術可使芯片性能提高30%,功耗降低40%。IBM還表示,基于SOI技術的嵌入式DRAM每個存儲單元只有一個單管,和32nm、22nm的片上SRAM相比,具有更理想的密度和速度。 IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時間可以小于2納秒,與同類SRAM相比待機功耗降低4倍,軟錯誤率降低1000多倍,功耗也大大減少。 IBM希望將3
- 關鍵字: IBM 32nm DRAM 動態(tài)存儲器
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