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          DIGITIMES專欄:三星投入DRAM 18納米制程研發(fā)

          •   2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18納米制程為其投資重點(diǎn),DIGITIMES Research觀察,為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題,三星將運(yùn)用四重曝光顯影技術(shù)(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細(xì)導(dǎo)電膜形成技術(shù),以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。   三星于DRAM 18納米制程將運(yùn)用自動對位QPT(Self A
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM   

          福建晉華攜手聯(lián)電 開發(fā)制程DRAM技術(shù)

          •   晶圓代工廠聯(lián)電昨天宣布,與中國大陸福建官方投資的晉華集成電路,簽署技術(shù)合作協(xié)議,由聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。   聯(lián)電強(qiáng)調(diào),所開發(fā)技術(shù)將應(yīng)用于利基型DRAM生產(chǎn),但該公司沒有要進(jìn)入DRAM產(chǎn)業(yè)或投資晉華。外界解讀,聯(lián)電現(xiàn)階段雖然僅投入利基型記憶體技術(shù)開發(fā),未來視兩岸政策與市場情況,說不定將進(jìn)入相關(guān)代工領(lǐng)域。   聯(lián)電表示,這次的合作協(xié)議結(jié)合臺灣的半導(dǎo)體制造能力,及中國大陸的市場與資金,在臺灣進(jìn)行技術(shù)研發(fā)。雙方合作開發(fā)的技術(shù),主要應(yīng)用在利基型DRAM生產(chǎn),不僅能提供國內(nèi)IC設(shè)計(jì)公司使用,也能結(jié)合
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  DRAM  

          大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當(dāng)其沖

          •   工研院 IEK認(rèn)為,為替代進(jìn)口,中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行,未來若中國大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域,預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。   聯(lián)電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托,開發(fā)動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)相關(guān)制程技術(shù),引起各界關(guān)注。   工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長楊瑞臨認(rèn)為,為替代進(jìn)口,中國大陸發(fā)展DRAM似乎已勢在必行。   楊瑞臨指出,中國大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展,除這次委托聯(lián)電開發(fā)技術(shù)的晉華外,還有武漢新芯,中芯也傳將重操舊業(yè),
          • 關(guān)鍵字: DRAM   海力士  

          三星投入DRAM 18nm制程研發(fā)

          •   2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18奈米制程為其投資重點(diǎn),DIGITIMES Research觀察,為克服DRAM 18奈米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題,三星將運(yùn)用四重曝光顯影技術(shù) (Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細(xì)導(dǎo)電膜形成技術(shù),以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。   三 星于DRAM 18奈米制程將運(yùn)用自動對位QPT(Self
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM   

          從獨(dú)步全球到光輝不再 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的興衰史

          • 從獨(dú)步全球到光輝不再,日本在失落的1/4世紀(jì)中,雖力圖振作,但仍無法跟上快速變化。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場主導(dǎo)地位

          •   全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾,但韓國三星電子憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢可以擴(kuò)大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場份額,甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。   全球個人電腦(PC)銷量下降,以及智能手機(jī)增長放緩,讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。   高通曾表示,第三財(cái)季芯片(晶片)出貨量可能下降達(dá)22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%,這是其三年來的最差業(yè)績。   將于周四公布第一季財(cái)報(bào)的三星,也難免遇挫。市場廣泛預(yù)計(jì)三星芯片獲利將會下降,一些分析師預(yù)測1-
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          三星:10nm今年底量產(chǎn),DRAM資本支出料年減

          •   三星電子(Samsung Electronics Co.)28日表示,拜韓圜相對于主要貨幣貶值之賜、2016年第1季(1-3月)營益預(yù)估因而增加0.4兆韓圜,主要反映在零件事業(yè)盈余數(shù)據(jù)上。   三星Q1資本支出金額為4.6兆韓圜,半導(dǎo)體事業(yè)、顯示面板事業(yè)各占2.1兆韓圜、1.8兆韓圜。三星尚未敲定2016年全年資本支出預(yù)算、但預(yù)估將略高于2015年水準(zhǔn)。   三星顯示面板事業(yè)今年的資本支出在OLED面板強(qiáng)勁需求帶動下可望攀高。DRAM資本支出預(yù)計(jì)將依照市場供需變化彈性調(diào)整、目前初估將低于去年水準(zhǔn)。
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          請注意,這14類IC今年會增長迅速

          •   市場研究公司ICInsights近日為其《2016McCleanReport》預(yù)測報(bào)告發(fā)布更新,在該報(bào)告統(tǒng)計(jì)的33項(xiàng)主要IC產(chǎn)品類別中,有14項(xiàng)產(chǎn)品類別在今年的成長率將超過2%,尤其是手機(jī)應(yīng)用處理器MPU與訊號轉(zhuǎn)換IC的成長幅度居冠。   ICInsights的《2016McCleanReport》預(yù)測33項(xiàng)主要IC產(chǎn)品類別在2020年以前的市場成長。如圖1列出33項(xiàng)主要的IC產(chǎn)品類別,分別以更新的2016年成長率排名。ICInsights預(yù)測,今年將有14項(xiàng)產(chǎn)品類別的成長幅度超過2%—
          • 關(guān)鍵字: IC  DRAM  

          不影響DRAM市場結(jié)構(gòu) 公平會核準(zhǔn)美光購并華亞科

          •   公平交易委員會于2016年4月13日第1,275次委員會議決議,核準(zhǔn)美商美光(Micron)擬透過其子公司臺灣美光取得華亞科全部股權(quán),向該會申報(bào)事業(yè)結(jié)合乙案,依公平交易法第13條第1項(xiàng)規(guī)定,不禁止其結(jié)合。   公平會表示,本案系屬公平法第10條第1項(xiàng)第2、5款之結(jié)合型態(tài),又美商美光于相關(guān)市場之市占率達(dá)25%,符合公平法第11條第1項(xiàng)第2款規(guī)定之申報(bào)門檻,且無同法第12條所規(guī)定除外適用情形,故依法提出結(jié)合申報(bào)。   公平會表示,華亞科系屬美光DRAM的代工廠,其所生產(chǎn)之DRAM全數(shù)售予美光,故華亞科
          • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

          三星出招太狠毒、DRAM恐剩一家獨(dú)活

          • 三星量產(chǎn)18nm DRAM,生產(chǎn)成本的競爭優(yōu)勢拉大,就算DRAM價(jià)格繼續(xù) 下滑,其他業(yè)者陷入虧損,三星仍能維持獲利,這招比較狠。
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          三星DRAM連霸24年 2015年市占寫下45%新高

          •   三星電子(Samsung Electronics)連續(xù)24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲器半導(dǎo)體市占率第一,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫下新歷史;2015年市占率達(dá)45.3%,營收突破200億美元,不但刷新自身紀(jì)錄,也成為存儲器價(jià)格持續(xù)下跌聲中,唯一還能獲利的業(yè)者。   據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo),市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料顯示,2015年三星DRAM營收為204.34億美元,較2014年186.61億美元成長9.5%,首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元,但三星營收卻
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          三星開始量產(chǎn)10nm級DRAM,采用ArF液浸四重曝光

          •   韓國三星電子2016年4月5日宣布,開始量產(chǎn)采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品。        此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片,新開發(fā)了自主設(shè)計(jì)的新存儲單元結(jié)構(gòu)、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術(shù)、采用極薄絕緣膜形成技術(shù)制作的厚度均勻的存儲電容等。由此,無需使用EUV裝置,可利用現(xiàn)有的液浸ArF裝置量產(chǎn)。三星還預(yù)定將此次的技術(shù)用于下一代10nm(1
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          DRAM市場上,韓企占比飆升,排名老三的美光出路在哪里?

          •   目前,全球DRAM(Dynamic Random Access Memory,也稱動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存)市場主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國市調(diào)公司IHS指,韓國企業(yè)三星和SK海力士的市占率進(jìn)一步?jīng)_高至接近75%,這已經(jīng)是連續(xù)6個季度創(chuàng)下歷史新高,那么第三位的美光前途在何方呢?   三星已在技術(shù)方面遙遙領(lǐng)先   據(jù)DRAMeXchange的報(bào)告,受2015年四季度全球DRAM市場營收下滑約9%的影響,三星、SK海力士、美光三家的營收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
          • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

          三星2015年DRAM市場所向披靡 手機(jī)份額萎縮

          •   三星電子周五公布2015業(yè)務(wù)成果報(bào)告,結(jié)果一則以喜,一則以憂,雖然其半導(dǎo)體事業(yè)蒸蒸日上,但另一個營收主力,也就是手機(jī)部門表現(xiàn)仍持續(xù)掙扎。其實(shí),三星去年以獲利為最高指導(dǎo)原則,營運(yùn)的重心主要放在半導(dǎo)體上,有如此結(jié)果也不令人意外。   據(jù) 三星統(tǒng)計(jì),在全球DRAM市場上,三星所向披靡、強(qiáng)取豪奪45.3%的份額,市占率較一年前的39.6%又進(jìn)步了5.7個百分點(diǎn)。三星指出盡管手機(jī)、平板 等行動產(chǎn)品減緩,但預(yù)期服務(wù)器與其它高階產(chǎn)品市場將持續(xù)成長。除此之外,三星也相當(dāng)看好物聯(lián)網(wǎng)與汽車對存儲器的需求展望。   在
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          產(chǎn)品組合改善 美光下半年有機(jī)會轉(zhuǎn)虧為盈

          •   受來自PC部門需求疲弱,及包括DRAM與NAND Flash價(jià)格下滑等不利因素影響,美系記憶體大廠美光(Micron)2016年會計(jì)年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營收僅達(dá)29.3億美元,較前季33.5億美元衰退12.4%,亦較2015年會計(jì)年度同期41.7億美元衰退29.6%,這是美光自2015年會計(jì)年度第1季營收45.7億美元相對高點(diǎn)以來,單季營收連續(xù)5季衰退。   在DRAM與NAND Flash的平均銷售單價(jià)季衰退幅度超過2位數(shù)百分點(diǎn)幅度,加上營業(yè)費(fèi)用控制成效不佳,營業(yè)
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  
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          dram介紹

          DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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