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世界半導體市場有望反彈，增速放緩
- 自上世紀50年代末集成電路問世以來，應用不斷擴張，在電子產(chǎn)品中的含量日益提高，市場也隨之接連增長，上世紀80年代是世界集成電路市場增長最快的十年，年均增長率創(chuàng)歷史最高，接近17%，1989年達428億美元(見圖1)。這時期正是IBM的PC上市并獲得大發(fā)展的時代，對產(chǎn)品所用MPU，特別是DRAM需求十分殷切。迨至90年代，Intel和AMD在MPU方面開展了激烈的競爭以提高其功效，與此同時微軟公司也每二三年發(fā)布一套新的操作系統(tǒng)，從而大大促進了DRAM的應用，以便使PC系統(tǒng)能有效地工作，這一時代的世界集成
- 關鍵字： DRAM 集成電路 半導體 MPU 201504
半導體成長7.9% DRAM最佳
- 全球半導體去年總產(chǎn)值達3403億美元，年增7.9%;其中，以動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場表現(xiàn)最佳，成長達32%。 據(jù)國際研究暨顧問機構顧能(Gartner)統(tǒng)計，去年半導體各類元件都呈正成長;記憶體市場連續(xù)第2年表現(xiàn)最佳，年增達16.6%，當中又以DRAM市場表現(xiàn)最突出，產(chǎn)值達461億美元，年增32%，并創(chuàng)歷史新高紀錄。 英特爾(Intel)在經(jīng)過連續(xù)2年業(yè)績衰退后，去年因個人電腦生產(chǎn)復蘇，順利止跌回升，營收達523.31億美元，年增7.7%，全球市占率略降至15.4%，不過，連續(xù)第
- 關鍵字： 英特爾 DRAM
大陸六地競逐蓋DRAM廠,最快三年影響產(chǎn)業(yè)
- 今年3月中國武岳峰資本宣布以6.4億美元并購在美國上市的芯成半導體后，中國政府正式向全世界宣布要進軍半導體領域。TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計顯示，2014年中國市場的DRAM消化量金額為102億美金，占全球營業(yè)額約20%，其龐大內需就足以撐起中國DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，而美國芯成半導體的整并，只是中國DRAM產(chǎn)業(yè)的開端。DRAMeXchange表示，目前有六個地方政府積極爭取設立DRAM廠，而中國中央政府將會選出其中一個地方政府設廠，整合上游廠商發(fā)展出具中國自有的技
- 關鍵字： DRAM
力晶打造物聯(lián)網(wǎng)iRAM芯片 轉型之路避開臺積電
- 力晶成功轉型為晶圓代工廠，更瞄準物聯(lián)網(wǎng)(IoT)商機推出iRAM解決方案，整合嵌入式快閃存儲器(eFlash)、ARM架構處理器芯片和通訊技術成為SoC整合型芯片，預計下半年出貨，全面擁抱物聯(lián)網(wǎng)時代來臨。 力晶現(xiàn)在渾身上下都是“晶圓代工魂”，DRAM產(chǎn)品對力晶而言只是眾多布局的一小塊，除了繼續(xù)替臺系IC設計公司晶豪、鈺創(chuàng)、力積等代工SDRAM芯片，以及協(xié)助存儲器模組大廠金士頓(Kingston)代工標準型DRAM芯片外，力晶旗下的12吋晶圓廠已經(jīng)全面擁抱晶圓代工產(chǎn)品線。
- 關鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) DRAM
華亞科董事長：今年DRAM還是好年
- 華亞科技董事長高啟全今表示，最近產(chǎn)業(yè)沒什么變化，第1季DRAM比較差，因為PC DRAM價格掉比較多，預期第2季會回穩(wěn)，價格有機會回溫。他指出，目前看來今年第2、3、4季會相當穩(wěn)定，今年是DRAM史上第二次連三年大好，今年已連續(xù)好第三年，今年還是一個好年。 高啟全說，今年是繼1993年后的第二次連續(xù)三年好，但不同的是，前一次靠的是PC需求，今年則不是靠PC，全年還是會很好，2016年也不會太差。 他指出，華亞科下半年因為20奈米開始產(chǎn)出，表現(xiàn)仍會不錯。華亞科目前現(xiàn)金水位約400億元。
- 關鍵字： 華亞科 DRAM
大陸DRAM邁進，半導體產(chǎn)業(yè)鏈趨于完整
- 在全球半導體行業(yè)掀起并購潮的背景下，中國政府也大力扶持國內半導體行業(yè)的發(fā)展。去年紫光集團收購展訊和銳迪科的消息振奮人心，不久前，DRAM產(chǎn)業(yè)傳來武岳峰收購芯成半導的消息。從這些并購案中，我們可以看到大陸半導體產(chǎn)業(yè)正趨于完整。 先說說半導體行業(yè)的并購潮，我們只看2015年，就可以發(fā)現(xiàn)像：東軟載波擬收購上海海爾、英飛凌完成收購美國國際整流器公司、GlobalFoundries收購IBM旗下的全球商用半導體技術業(yè)務以及震動半導體行業(yè)的恩智浦收購飛思卡爾的收購案在2015年開年就接連出現(xiàn)(關于收購案更多
- 關鍵字： DRAM
大陸DRAM邁進 半導體產(chǎn)業(yè)鏈趨于完整
- 在全球半導體行業(yè)掀起并購潮的背景下，中國政府也大力扶持國內半導體行業(yè)的發(fā)展。去年紫光集團收購展訊和銳迪科的消息振奮人心，不久前，DRAM產(chǎn)業(yè)傳來武岳峰收購芯成半導的消息。從這些并購案中，我們可以看到大陸半導體產(chǎn)業(yè)正趨于完整。 先說說半導體行業(yè)的并購潮，我們只看2015年，就可以發(fā)現(xiàn)像：東軟載波擬收購上海海爾、英飛凌完成收購美國國際整流器公司、GlobalFoundries收購IBM旗下的全球商用半導體技術業(yè)務以及震動半導體行業(yè)的恩智浦收購飛思卡爾的收購案在2015年開年就接連出現(xiàn)(關于收購案更多
- 關鍵字： DRAM 展訊
三星DRAM擴產(chǎn)大減速 下單及裝機時程均明顯延后
- 全球最大內存廠韓國三星電子傳出DRAM擴產(chǎn)大減速消息。原本將在今年中量產(chǎn)的Line 17，全產(chǎn)能量產(chǎn)時間將延至年底，且外資圈傳出，三星有將近2萬片月產(chǎn)能的DRAM設備采購，下單及裝機時程均出現(xiàn)明顯延后(postpone)情況。 美光股價上周五受此消息激勵而大漲2.25%，法人認為，三星今年擴增DRAM產(chǎn)能只為了彌補20奈米微縮導致的產(chǎn)能自然減損，總產(chǎn)能不會增加，對南亞科、華亞科、華邦電等DRAM廠來說亦是重大利多。 業(yè)界去年9月時曾傳出，三星Line 17今年將全力擴充DRAM產(chǎn)能，預計第
- 關鍵字： 三星 DRAM
SK海力士沖刺先進制程，20nm級DRAM最快七月量產(chǎn)
- SK 海力士 20日舉行股東會，社長樸星昱(Park Sung-wook)宣誓，20 奈米級DRAM最快可能在今年7月邁入量產(chǎn)，將可在高階產(chǎn)品趕上三星與美光等競爭者。 海力士目前最先進的制程為25與29奈米，而三星已在去年第四季搶先邁入20奈米制程領域，且預估今年下半年，半數(shù)PC用記憶體都會以20奈米制程打造。 據(jù)科技網(wǎng)站kitguru.net報導，20奈米制程在300mm 晶圓上塞進的晶粒數(shù)量較25奈米多三成，可降低每單位IC生產(chǎn)成本，并提高利潤空間。隨著8GB DDR4記憶體時代來臨，
- 關鍵字： SK海力士 DRAM
存儲器失去半導體領頭地位 邏輯IC制程起而代之
- 過去存儲器一向扮演半導體制程的領頭羊地位，不僅DRAM廠率先投入最尖端制程，連臺積電、聯(lián)電最先進制程也先用存儲器來練兵。不過，近年來整個半導體出現(xiàn)改變，邏輯產(chǎn)品制程全面超越存儲器，晶圓代工廠也直接導入邏輯產(chǎn)品，存儲器退下晶圓廠制程領頭羊地位。 以往臺積電、聯(lián)電最先進制程均用存儲器來練兵，將良率提升到一定程度，再投入邏輯產(chǎn)品。臺積電一向用SRAM(Static RandomAccess Memory，靜態(tài)隨機存取存儲器)練兵，聯(lián)電則用DRAM(Dynamic RandomAccess Memory
- 關鍵字： DRAM ARM
SK海力士集中與選擇策略 聚焦三大領域
- SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細制程DRAM、三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術，以及固態(tài)硬盤(SSD)等優(yōu)勢領域。較弱勢的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor;CIS)。 據(jù)ET News報導，日前SK海力士社長樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績紀錄之際，反而在組織內部強調危機意識，透過員工電子郵件與公司內部電視等管道，不斷提醒現(xiàn)在不是放心的時刻，應透過強化根本競爭
- 關鍵字： SK海力士 DRAM
全球DRAM廠引爆20納米戰(zhàn)火 砸大錢擴產(chǎn)
- 全球DRAM大廠三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)紛搶進20納米制程世代，南亞科在美光協(xié)助下亦全力轉進20納米制程，并計劃投資新臺幣400億元。半導體業(yè)者指出，DRAM制程轉進20納米世代過程中，產(chǎn)能減損情況愈益嚴重，估計減損產(chǎn)能約2~3成，由于先進制程需要機臺設備大增，同樣無塵室空間能生產(chǎn)數(shù)量減少，使得DRAM廠為轉進20納米制程紛進行擴產(chǎn)，但產(chǎn)出卻出現(xiàn)停滯現(xiàn)象。 半導體業(yè)者表示，業(yè)界原本預期20納米制程恐將是DRAM產(chǎn)業(yè)最
- 關鍵字： 三星電子 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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