EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
dram
dram 文章 進(jìn)入dram技術(shù)社區(qū)
三星擴(kuò)產(chǎn)，美光嚇破底
- 記憶體卡巨擘SanDisk下修展望，加上傳言三星屯兵積糧、似有增產(chǎn)企圖，導(dǎo)致美光科技(Micron Technology)股價(jià)連瀉三日，創(chuàng)下近三個(gè)月新低。 SeekingAlpha引述券商N(yùn)orthland Securities報(bào)告指出，三星大買DRAM機(jī)臺(tái)、計(jì)畫增加產(chǎn)能，美光將最先感受到?jīng)_擊。 此前，高盛警告記憶體業(yè)可能進(jìn)入新一輪產(chǎn)能軍備競(jìng)賽，美光上周曾對(duì)此表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)整并后，不太可能重蹈覆轍。不過(guò)，如果三星增產(chǎn)是事實(shí)，即使市場(chǎng)需求沒(méi)有問(wèn)題，也難保DRAM定價(jià)不會(huì)面臨壓力。
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 美光
DRAM價(jià)Q1看跌5% 沖擊廠商
- ? 進(jìn)入淡季后，第1季DRAM價(jià)格將持續(xù)下跌，業(yè)者預(yù)期，單季跌幅可能超過(guò)5%，比第4季的跌價(jià)幅度稍大。這對(duì)于華亞科、南亞科等廠商的業(yè)績(jī)，可能造成部分影響。業(yè)者強(qiáng)調(diào)，整體而言，今年的DRAM市況雖然可能不如去年，但還算樂(lè)觀。 DRAM業(yè)者指出，去年第4季DRAM價(jià)格跌幅約在5%以內(nèi)，本季跌幅可能擴(kuò)大，但還算健康的緩跌狀態(tài)。PC DRAM與消費(fèi)型DRAM因?yàn)樘幱诘?，價(jià)格可能跌幅較多，行動(dòng)裝置所使用的記憶體價(jià)格也應(yīng)該會(huì)稍微下滑，較可能逆勢(shì)上漲者，是需求相當(dāng)強(qiáng)勁的伺服器用DRA
- 關(guān)鍵字： DRAM 南亞科
IHS：全球top 20半導(dǎo)體廠排行榜
- 美國(guó)市場(chǎng)調(diào)查公司IHS于2014年12月22日發(fā)布調(diào)查報(bào)告稱，預(yù)計(jì)2014年全球半導(dǎo)體銷售額將比上年增長(zhǎng)9.4%，達(dá)到3532億美元，實(shí)現(xiàn)自2010年以來(lái)的最高增長(zhǎng)率。IHS副總裁兼首席分析師Dale Ford稱：“2014年的市場(chǎng)是最近幾年里最為健全的。2013年的市場(chǎng)擴(kuò)大(增長(zhǎng)率6.4%)主要得益于存儲(chǔ)器領(lǐng)域的增長(zhǎng)，而2014年整體表現(xiàn)都很出色，在年末假日季，各個(gè)領(lǐng)域的供應(yīng)商都能因此而受益。” IHS將半導(dǎo)體市場(chǎng)分為28個(gè)小領(lǐng)域進(jìn)行了調(diào)查。在2013年，這28個(gè)領(lǐng)域中
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 SK海力士 DRAM
Gartner：蓬勃的DRAM市場(chǎng)為內(nèi)存制造商帶來(lái)增長(zhǎng)
- Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2014年全球半導(dǎo)體總營(yíng)收為3398億美元，與2013年的3150億美元相比增長(zhǎng)7.9%。前25大半導(dǎo)體廠商合并營(yíng)收增長(zhǎng)率為11.7%，優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場(chǎng)營(yíng)收的72.1%，比2013年的69.7%更高。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“就群體來(lái)看，DRAM廠商的表現(xiàn)勝過(guò)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢(shì)始于2013年DRAM市場(chǎng)因供給減少及價(jià)格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今，2014年?duì)I收也因而增長(zhǎng)31.
- 關(guān)鍵字： Gartner DRAM 英特爾
三星可望獨(dú)家供應(yīng)20納米DRAM予新一代iPhone
- 三星電子(Samsung Electronics)有望獨(dú)家供應(yīng)20納米DRAM給蘋果(Apple)新款iPhone，據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，蘋果正考慮獨(dú)家采用三星先進(jìn)制程之Mobile DRAM與NAND Flash。 蘋果之前從英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)與美光(Micron)等多家記憶體廠進(jìn)行采購(gòu)，但由于三星的技術(shù)與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手差距拉大，而陷入策略思考中。 三星日前剛發(fā)表采用20納米制程生產(chǎn)的8GB LPDDR4 Mobile DR
- 關(guān)鍵字： 三星 英特爾 DRAM
Gartner：全球半導(dǎo)體產(chǎn)值 去年估增7.9%
- 研調(diào)機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)初估，2014年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值達(dá)3398億美元，年增7.9%。 顧能表示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)供應(yīng)商去年?duì)I運(yùn)表現(xiàn)超過(guò)整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)水準(zhǔn)。 顧能指出，受惠市場(chǎng)供不應(yīng)求及價(jià)格持續(xù)穩(wěn)定，去年DRAM市場(chǎng)產(chǎn)值大增31.7%;記憶體市場(chǎng)去年產(chǎn)值成長(zhǎng)16.9%，是帶動(dòng)去年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的最大動(dòng)力。 去年不計(jì)記憶體的半導(dǎo)體產(chǎn)值年增5.4%，遠(yuǎn)比2013年成長(zhǎng)0.8%佳。 據(jù)顧能統(tǒng)計(jì)，英特爾(Intel)去年?duì)I收達(dá)508.4億美元，蟬聯(lián)全球半導(dǎo)體龍頭地位
- 關(guān)鍵字： DRAM 英特爾 高通
韓半導(dǎo)體投資擴(kuò)大 設(shè)備廠新年度期待滿滿
- 韓系半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持續(xù)擴(kuò)大尖端DRAM和NAND Flash產(chǎn)線，2014年受到半導(dǎo)體市場(chǎng)榮景帶動(dòng)對(duì)產(chǎn)線投資而荷包滿滿的設(shè)備業(yè)者，預(yù)期2015年也將迎來(lái)亮眼的業(yè)績(jī)。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，三星和SK海力士2015年可望為擴(kuò)充DRAM、NAND Flash、系統(tǒng)芯片產(chǎn)線而執(zhí)行投資。因轉(zhuǎn)換微細(xì)制程，導(dǎo)致生產(chǎn)量減少，且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。 三星17產(chǎn)線將于201
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 DRAM
三星及SK海力士將投資19萬(wàn)億韓元研發(fā)芯片
- 三星電子和世界頂級(jí)的內(nèi)存芯片制造商SK海力士計(jì)劃在2015年投資19萬(wàn)億韓元用于研發(fā)芯片，此次投資計(jì)劃高于去年17.7萬(wàn)億韓元的芯片投資資金。據(jù)美國(guó)一位對(duì)沖基金負(fù)責(zé)人表示，三星電子和SK海力士希望通過(guò)此次19萬(wàn)億韓元的投資，改善產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，適應(yīng)市場(chǎng)狀況，調(diào)整市場(chǎng)的供求平衡。 據(jù)悉，一些對(duì)沖基金和市場(chǎng)投資機(jī)構(gòu)都紛紛看好三星電子和SK海力士的未來(lái)發(fā)展。按照投資計(jì)劃，三星電子計(jì)劃投資3.5萬(wàn)億韓元，SK海力士計(jì)劃投資5.5萬(wàn)億韓元。三星一位官員表示，三星的銷量增長(zhǎng)將在2015年降至最低。三星不希望在其芯
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 DRAM
三星鎖定存儲(chǔ)器市場(chǎng)7成獲利 SK海力士、東芝緊張
- 三星電子(Samsung Electronics)為取得存儲(chǔ)器市場(chǎng)70%以上獲利，加速研發(fā)新技術(shù)與擴(kuò)大產(chǎn)量。SK海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)為抵擋三星獨(dú)霸而聯(lián)手，但技術(shù)力差距牽制不易。同時(shí)，因智能型手機(jī)事業(yè)陷低潮的三星，能否借存儲(chǔ)器事業(yè)翻身成為焦點(diǎn)。 據(jù)韓媒E-Daily報(bào)導(dǎo)，三星為搶占2015年存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)利益的70%正研擬策略。2015年合計(jì)DRAM與NAND Flash的整體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體營(yíng)收規(guī)模預(yù)估為80兆~90兆韓元(約728億~815億美元)。 更多
- 關(guān)鍵字： 三星電子 存儲(chǔ)器 DRAM
DRAM樂(lè)觀 NAND有隱憂
- 記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩(wěn)定獲利，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂。 DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過(guò)1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺(tái)幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、變化相對(duì)激烈，且難以預(yù)料;去年下半
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星 海力士 NAND Flash
20納米制程 躍今年DRAM主秀
- 隨三星宣布20奈米制程正式產(chǎn)出LPDDR 4 DRAM，SK海力士及華亞科(3474)也預(yù)定第2季導(dǎo)入20奈米量產(chǎn)，讓今年DRAM產(chǎn)業(yè)主流技術(shù)，將正式推進(jìn)至20奈米世代。 不過(guò)，20奈米需要投入龐大的資本支出，各DRAM考量必須在獲利的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)充，也讓今年各家20奈米制程推進(jìn)趨于緩慢。集邦科技出具今年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)報(bào)告，預(yù)告今年DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)維持寡占格局，支持DRAM持穩(wěn)不墜，今年各家DRAM廠仍處于全面獲利的一年。 集邦預(yù)估，今年DARM產(chǎn)值達(dá)541億元，年增16%。
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM SK海力士
三星2015年底DRAM 20納米制程比重將過(guò)半
- 三星電子(Samsung Electronics)正加速轉(zhuǎn)換制程，2015年第4季整體DRAM產(chǎn)量中，將有5成以上采20納米技術(shù)生產(chǎn)。三星預(yù)計(jì)以差別化制程技術(shù)，在伺服器和高階移動(dòng)裝置用次世代DRAM市場(chǎng)上拉開與其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，維持市場(chǎng)獨(dú)大地位。 據(jù)韓國(guó)首爾經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，三星計(jì)劃在2015年底將DRAM產(chǎn)量中至少40%、最多50%以20納米制程生產(chǎn)。 外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange近期資料指出，三星20納米DRAM生產(chǎn)比重在2015年第4季將提升到46%。韓國(guó)業(yè)者表示，目前20納米
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
三星2015年底DRAM 20納米制程比重將過(guò)半
- 三星電子(Samsung Electronics)正加速轉(zhuǎn)換制程，2015年第4季整體DRAM產(chǎn)量中，將有5成以上采20納米技術(shù)生產(chǎn)。三星預(yù)計(jì)以差別化制程技術(shù)，在伺服器和高階移動(dòng)裝置用次世代DRAM市場(chǎng)上拉開與其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，維持市場(chǎng)獨(dú)大地位。 據(jù)韓國(guó)首爾經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，三星計(jì)劃在2015年底將DRAM產(chǎn)量中至少40%、最多50%以20納米制程生產(chǎn)。 外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange近期資料指出，三星20納米DRAM生產(chǎn)比重在2015年第4季將提升到46%。韓國(guó)業(yè)者表示，目前20納米
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 20納米
服務(wù)器DRAM需求旺 帶動(dòng)明年存儲(chǔ)器市場(chǎng)
- 服務(wù)器DRAM肩負(fù)起2015年存儲(chǔ)器市場(chǎng)重任，預(yù)計(jì)占整體DRAM產(chǎn)出比重可望上看40%，同時(shí)DDR4逐漸成為服務(wù)器市場(chǎng)主流，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)各自有擴(kuò)產(chǎn)和轉(zhuǎn)新制程計(jì)劃，服務(wù)器DRAM扮演重要角色。 存儲(chǔ)器業(yè)者表示，這幾年DRAM應(yīng)用已快速多元化，有別于過(guò)去多數(shù)都應(yīng)用在個(gè)人電腦(PC)上，因高、中、低階智能型手機(jī)熱賣，Mobile RAM漸漸嶄露頭角，比重也陸續(xù)超過(guò)PC DRAM，2014年開始服務(wù)器DRAM比重
- 關(guān)鍵字： 服務(wù)器 DRAM 三星
新iPhone傳DRAM容量倍增 三星、SK海力士樂(lè)開懷
- 蘋果(Apple)預(yù)計(jì)2015年推出的新一代iPhone和iPad，傳出搭載的DRAM容量將較目前產(chǎn)品倍增，占蘋果DRAM供應(yīng)量7成以上比重的三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也可望擴(kuò)大供貨量。 據(jù)南韓經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)，在Mobile DRAM市場(chǎng)上，三星和SK海力士的市占率約達(dá)75%。近來(lái)使用智能型手機(jī)的人口增加，穿戴式裝置市場(chǎng)也逐漸擴(kuò)大，讓DRAM需求扶搖直上。 據(jù)南韓證券業(yè)者推估，三星和SK海力士2014年DRAM事業(yè)獲利各約6兆韓元(約5
- 關(guān)鍵字： 蘋果 DRAM SK海力士
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
dram相關(guān)帖子
dram資料下載
dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473