韓系半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持續(xù)擴(kuò)大尖端DRAM和NAND Flash產(chǎn)線，2014年受到半導(dǎo)體市場榮景帶動(dòng)對產(chǎn)線投資而荷包滿滿的設(shè)備業(yè)者，預(yù)期2015年也將迎來亮眼的業(yè)績。

　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，三星和SK海力士2015年可望為擴(kuò)充DRAM、NAND Flash、系統(tǒng)芯片產(chǎn)線而執(zhí)行投資。因轉(zhuǎn)換微細(xì)制程，導(dǎo)致生產(chǎn)量減少，且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。

　　三星17產(chǎn)線將于2015年啟動(dòng)DRAM設(shè)備投資。原本韓國設(shè)備業(yè)者預(yù)期可在2014年內(nèi)執(zhí)行，然仍延遲了1年。三星17產(chǎn)線為兩層樓結(jié)構(gòu)的廠房，2015年第3季可具備每年60萬~75萬片晶圓的生產(chǎn)規(guī)模。

　　大陸西安的三星NAND Flash產(chǎn)線也將擴(kuò)大，西安廠為可生產(chǎn)10納米級V NAND的尖端產(chǎn)線。2015年第1季每月產(chǎn)能約20萬~30萬片，2015年底將擴(kuò)充生產(chǎn)設(shè)備，到每月產(chǎn)能70萬片的規(guī)模。

　　三星為采最新14納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程生產(chǎn)系統(tǒng)芯片，也有計(jì)劃執(zhí)行設(shè)備投資。除美國外，韓國廠房也將于2015年啟動(dòng)投資計(jì)劃。

　　SK海力士京畿道利川M14產(chǎn)線將在2015年下半完工，現(xiàn)有M10產(chǎn)線設(shè)備將移轉(zhuǎn)到M14產(chǎn)線，并采購新設(shè)備。除未來將致力推動(dòng)的NAND Flash外，SK海力士是否會(huì)對系統(tǒng)芯片領(lǐng)域執(zhí)行新投資，吸引韓國業(yè)界關(guān)注。

　　韓半導(dǎo)體前、后段制程設(shè)備業(yè)者對2015年市場懷抱高度期待。過去幾年間找不到成長機(jī)會(huì)的后段制程設(shè)備業(yè)者，因韓國及大陸業(yè)者的投資，2014年紛紛創(chuàng)造了有史以來最高的業(yè)績紀(jì)錄。這些設(shè)備廠商期望2015年和維持和2014年相同水準(zhǔn)，或更好的業(yè)績。