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          2011年DRAM市場將失去勢頭
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)iSuppli公司，預(yù)計2011年DRAM平均銷售價格(ASP)大幅下滑，全球DRAM銷售額也將隨之急劇萎縮，盡管智能手機和平板電腦領(lǐng)域存在強勁的增長機會。
　　2011年全球DRAM銷售額預(yù)計下降至355億美元，比2010年的403億美元減少11.8%。這種兩位數(shù)的下滑幅度，與2010年形成鮮明對比。2010年全球DRAM銷售額比2009年劇增77.5%。如圖2所示，2011年以后的幾年，DRAM銷售額的波動也較大，在ASP持續(xù)下滑的情況下，銷售額趨于下降。
　　DRAM是游戲機和臺式電腦及筆
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          • 關(guān)鍵字：
                        平板電腦  DRAM                          
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          臺DRAM廠拼制程搶救獲利無效
          
                                                            
            
                    	
          • 　　DDR3報價從2010年初1顆3美元跌到年底只剩下0.8美元，跌幅高達(dá)70%，力晶更在2010年底因欠款導(dǎo)致子公司瑞晶停止出貨，透露臺DRAM廠財務(wù)已處于極度吃緊狀態(tài)，存儲器業(yè)者表示，由于1月DRAM合約價和現(xiàn)貨價還有下跌空間，即便臺廠現(xiàn)在就采用40納米制程生產(chǎn)，亦只能勉強微幅賺錢，更何況臺廠目前制程幾乎都在50及60納米世代，因此，臺DRAM廠不僅2010年第4季虧損將持續(xù)擴大，2011年第1季亦將再鳴虧損悲歌。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        茂德  DRAM                          
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          2010年DRAM產(chǎn)業(yè)憂多于喜
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2010年DRAM產(chǎn)業(yè)虎頭蛇尾，年初報價大漲至1顆DDR3報價達(dá)3美元，但年底卻跌到1美元;但以獲利來看，2010年只有力晶和瑞晶有賺錢，南亞科、華亞科和茂德都是持續(xù)賠錢，南亞科和華亞科是因為制程轉(zhuǎn)換之故，沒有掌握到年初報價上漲的機會，年底雖然成功轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米，但報價已呈現(xiàn)溜滑梯狀態(tài)。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        瑞晶  DRAM                          
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          瑞晶宣布暫停出貨給力晶
          
                                                            
            
                    	
          • 　　瑞晶31日公告，由于主要大客戶兼母公司力晶的帳款逾期未付，因此即日起暫停出貨給力晶;力晶表示，由于DRAM價格不佳，在財務(wù)上規(guī)畫保守，目前正與爾必達(dá)(Elpida)和瑞晶3方協(xié)商當(dāng)中;瑞晶則表示，將與力晶協(xié)議針對保障瑞晶債權(quán)的方案。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        瑞晶  DRAM                          
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          臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題不在匯率而在售價
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺灣央行總裁彭淮南面對這一波新臺幣強勢升值，采取匯市收盤價力守30元的作法，外界開始出現(xiàn)匯價失真的爭議，但彭淮南這次直接挑明表示，臺灣和韓國在科技產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品雷同度高，匯率過度升值會影響出口商的競爭力;與韓國處于高度競爭的DRAM廠表示，若新臺幣升值幅度高于韓元，與三星電子(Samsung Electronics)競爭上的確區(qū)居下風(fēng)，不過臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)有很大一塊問題是自己的技術(shù)和財務(wù)結(jié)構(gòu)，匯率是影響競爭力因素之一，但絕不是影響臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)競爭力的最關(guān)鍵因素，主要因素還是在售價。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        力晶  DRAM                          
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          海力士DRAM制程升級到30納米級
          
                                                            
            
                    	
          • 　　海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級制程。海力士29日宣布，已開發(fā)出2款計算機用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。
　
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  DRAM                          
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          海力士2011年計劃投資26億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，海力士(Hynix)計劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發(fā)言人證實首爾經(jīng)濟日報(Seoul Economic Daily)的報導(dǎo)。
　　彭博電話訪問發(fā)言人Park Seong Ae指出，實際投資金額可能會依市場情況而調(diào)整。Park進(jìn)一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會比較小。
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  DRAM                          
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          臺日DRAM是否會產(chǎn)業(yè)整合？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　DRAM報價面臨二次崩盤危機，過去曾被提及但最后鎩羽的臺日DRAM產(chǎn)業(yè)4合1大整并議題，再度被端上臺面!日本外電指出，爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄將于2011年初訪臺，洽談在臺灣成立控股公司，將力晶、瑞晶和茂德3家臺廠連同爾必達(dá)進(jìn)行4合1大整并的細(xì)節(jié)，若能整并成功，“新爾必達(dá)”的市占率將一舉超越海力士(Hynix)成為全球DRAM二哥;惟臺廠表示，未聽聞此事。

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          • 關(guān)鍵字：
                        爾必達(dá)  DRAM                          
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          12月份DRAM價格繼續(xù)大幅下滑  
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據(jù)iSuppli公司，12月DRAM價格繼續(xù)下降，跌勢不止，經(jīng)過幾個月的大幅下滑，價格已降到年內(nèi)最低水平。
　　12月10日，2GB DDR3 DRAM模組合同價格為21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價格下跌，DDR2同樣跌得很慘。目前DDR2價格為21.50美元，遠(yuǎn)低于6月時的38.80美元。

　　圖2所示為4-12月DDR2和DDR3 DRAM的平均銷售價格，包括1GB和2GB兩種密度。
　　與上一代的DDR2相比，DDR3傳輸速度更快，而且功耗更低。但
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  30納                          
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          下季DRAM和NAND Flash報價看跌
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美系內(nèi)存大廠美光(Micron)預(yù)測2011會計年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash報價將持續(xù)走跌，其中DRAM價格會下跌約25%，而NANDFlash價格會下跌約10%，美光表示，將致力于制程技術(shù)微縮，以期能持續(xù)降低生產(chǎn)成本，因應(yīng)需求不如預(yù)期的市況。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  DRAM                          
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          手機記憶芯片熱銷
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國計算機記憶芯片大廠美光日前公布會計年度第1季(迄12月2日)財報，由于供智能型手機使用的記憶芯片需求殷切，不但抵銷了個人計算機記憶芯片需求下滑的沖擊，更讓公司連續(xù)第5個季度出現(xiàn)獲利。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  DRAM                          
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          DRAM合約價再跌10%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2010年12月下旬DRAM的合約價格持續(xù)重挫，其中2GB容量DDR3模塊的價格下跌10%，平均售價跌破20美元，低價來到17美元價格，相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期，2GB容量DDR3模塊價格較當(dāng)時的價格已下跌超過50%，市場預(yù)期供過于求的情況至少還會再持續(xù)1季，因為2011年第1季的供給增加幅度相當(dāng)大，預(yù)計要到2011年4月之后，等個人計算機(PC)大廠準(zhǔn)備下半年旺季的備料，DRAM價格才有機會落底止跌。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        爾必達(dá)  DRAM                          
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          2010全球半導(dǎo)體市場增長遠(yuǎn)超預(yù)期
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)市場研究公司iSuppli表示，今年全球半導(dǎo)體市場將較上年同期低迷的水平實現(xiàn)有史以來最大規(guī)模的增長，這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長。iSuppli預(yù)計，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入或為3,040億美元，較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        半導(dǎo)體  DRAM                          
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          2011年DRAM位元成長率上看50%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴產(chǎn)計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(BitGrowth)將增加50%。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星電子  DRAM                          
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          2011年DRAM位元成長率上看50%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴產(chǎn)計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(Bit Growth)將增加50%。
　　三星電子201
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星電子  DRAM                          
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          dram介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 
 
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組		      	[ 查看詳細(xì) ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
  		  		
		
          
	
          
	
          

          

          
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