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e-mode gan fet 文章進入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)

20W-50W單端FET純甲類功放的設(shè)計制作

音響發(fā)燒友在孜孜不倦的追求目標，就是自己的音響器材有更純真更自然的音質(zhì)表現(xiàn)，單端純甲類功放，音質(zhì)醇厚,偶次 ...
關(guān)鍵字：單端 FET 甲類功放

與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗器電路

電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級，但一個等級內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時，
關(guān)鍵字： VOO 檢驗電路 VP FET 結(jié)合使用萬用表

隔離式FET脈沖驅(qū)動器原理及設(shè)計

隔離式FET脈沖驅(qū)動器原理及設(shè)計三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級聯(lián)功率級一般都含有大量功率 ...
關(guān)鍵字：隔離式 FET 脈沖驅(qū)動器

使用結(jié)型FET的簡易電壓控制放大器電路及工作原理

電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
關(guān)鍵字： FET 結(jié)型電壓控制放大器電路

保護汽車冷卻風扇模塊免受熱失控引起的損壞

在嚴苛的汽車環(huán)境中，各種功率場效應(yīng)晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認為可承受極端的溫度變化和熱機械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負載及多次短路久而久之會讓該器件疲損，致使其進入開路、短路或阻性模式。
關(guān)鍵字： RTP器件 FET

通過優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率

　在計算和消費電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計人員開始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進?！　C/DC平均系統(tǒng)
關(guān)鍵字：改善能量效率開關(guān) FET 優(yōu)化變換器通過

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
關(guān)鍵字： GaN LED

采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

在當今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
關(guān)鍵字： GaN LED

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
關(guān)鍵字： LED GaN MOSFET

用射頻開關(guān)優(yōu)化智能手機信號

智能手機代表了射頻個人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
關(guān)鍵字：射頻開關(guān) 隔離度插損 FET pHEMT

Intersil集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡化電源設(shè)計

簡介　　一提到電源設(shè)計，大多數(shù)工程師都會感到撓頭，他們往往會問，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
關(guān)鍵字： intersil FET DC/DC

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
關(guān)鍵字： LED芯片硅襯底 GaN

硅襯底上GaN基LED的研制進展

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
關(guān)鍵字： MOCVD GaN LED芯片

一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計

摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設(shè)計，設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
關(guān)鍵字： GaN S波段寬帶放大器

GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計

摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計適當?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
關(guān)鍵字：設(shè)計探測器紅外量子 GaN

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