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	e-mode gan fet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          MOS-FET與電子管OTL功放的制作
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          MOS—FET末級(jí)無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
          
                                                            
            
                    	
          • MOS—FET末級(jí)無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
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          • 關(guān)鍵字：
                        功率放大器  MOS—FET                          
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          MOS—FET甲乙類功率放大器
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          TI 小貼士：圖例理FET知識(shí)
          
                                                            
            
                    	
          • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
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          • 關(guān)鍵字：
                        FET                          
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          手把手教你讀懂FET選取合適器件
          
                                                            
            
                    	
          • 現(xiàn)在；一臺(tái)臺(tái)電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當(dāng)個(gè)開關(guān)...
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          • 關(guān)鍵字：
                        FET                          
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          CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管
          
                                                            
            
                    	
          • 　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器.
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        CISSOID  P-FET                          
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          一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計(jì)  功率放大器  GaN  一種                          
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          如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖
          
                                                            
            
                    	
          • 　　圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
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          • 關(guān)鍵字：
                        進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何                          
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          Diagnose LEDs by monitoring the switch-mode du
          
                                                            
            
                    	
          • A change in the forward voltage (VF) for a string of series-connected, high-brightness LEDs (HB LEDs) can indicate deterioration or complete failure of one or more of the LEDs. Accordingly, this circu
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          • 關(guān)鍵字：
                        switch-mode  monitoring  Diagnose  cycle                            
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          基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  LED  襯底  功率型                            
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          MOS-FET開關(guān)電路
          
                                                            
            
                    	
          • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOS-FET  開關(guān)電路                            
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          J-FET開關(guān)電路工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • 1、簡(jiǎn)單開關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí)，VGS=0，J-FET導(dǎo)通，傳輸信號(hào)至VO；當(dāng)VC比V1足夠負(fù)，VD導(dǎo)通而J-FET截止，VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        J-FET  開關(guān)電路  工作原理                            
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          與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級(jí)，但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí)，
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          • 關(guān)鍵字：
                        VOO  檢驗(yàn)  VP  FET  結(jié)合  使用  萬用表                          
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          使用FET輸入型OP放大器的長(zhǎng)時(shí)間模擬定時(shí)電路
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能定時(shí)器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來組成定時(shí)器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        FET  輸入  OP放大器  模擬定時(shí)電路                            
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          可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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          • 關(guān)鍵字：
                        VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運(yùn)算電路                            
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          e-mode gan fet介紹
          
      			
          
		      	
          
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          熱門主題
          
      			
          
      			
          
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