e-mode gan fet 文章進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)

研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延（MOVPE）反應(yīng)腔中生長的。??????? 　　“對實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來說，在200mm硅晶圓上生長出
關(guān)鍵字：硅晶圓 GaN 200mm MEMC

如何測試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話

　　要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價(jià)值的工具，本文將介紹如何進(jìn)行此類測試。　　UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
關(guān)鍵字：移動(dòng)電話 UMA GAN SEGW WLAN

中國首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問世

　　由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國家863半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)項(xiàng)目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設(shè)備研制取得突破，我國首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的并能同時(shí)生長6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。　　　　該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備，目前國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
關(guān)鍵字：青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN

藍(lán)色激光的應(yīng)用

藍(lán)色激光所使用的半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)商業(yè)應(yīng)用研究始于1970年，GaN在高頻和高溫條件下能夠激發(fā)藍(lán)光的獨(dú)特...
關(guān)鍵字：藍(lán)色激光激光光束 GaN 1970年 Nichia 激光打印激光器外線單晶生長深紫

集成功率FET的鋰離子開關(guān)充電器

　　當(dāng)輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時(shí)，線性電池充電器的功耗相當(dāng)大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線性充電器的平均功耗超過5W。　　bq241xx系列開關(guān)充電器是對過熱問題的簡便解決方案。內(nèi)置功率FET能夠提供高達(dá)2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達(dá)18V，非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性，并且
關(guān)鍵字： FET 鋰離子開關(guān)充電器電源

一種基于大功率FET的數(shù)控直流電流源設(shè)計(jì)

系統(tǒng)采用ATME189S52為微控制器(MCE)核心，實(shí)現(xiàn)了可控的恒定直流電流源設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字：電流設(shè)計(jì) 直流數(shù)控大功率 FET 基于

Intersil集成式FET穩(wěn)壓器支持60V輸入電壓和100V尖峰

　 Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 開關(guān)穩(wěn)壓器系列，支持廣泛的工作輸入電壓，并且可以處理高達(dá) 100V 的瞬態(tài)尖峰。　　ISL8560 支持 9V 至 60V 的輸入電壓以及 1.21V 至 55V 的可編程輸出電壓；而 ISL8540 支持 9
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) Intersil FET 穩(wěn)壓器電源

飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動(dòng)器多芯片模塊

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動(dòng)器功率級解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應(yīng)用，比如小外形尺寸的臺(tái)式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應(yīng)用，F(xiàn)DMF6700為設(shè)計(jì)人員提供別具吸引力的解決方案。　　在個(gè)人電腦主板中，典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個(gè)相位可能包含：采用DPAK封裝的三個(gè)N溝道MOSFE
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 飛兆 DrMOS FET 模塊

移動(dòng)終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：射頻 GSM CMOS GaAs HBT FET SAW FEM VOC DCR DCT

如何使低功耗放大器在便攜式產(chǎn)品中提高性能

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： FET DAC ADI

功率P-FET控制器LTC4414

LTC4414是一種功率P-EFT控制器，主要用于控制電源的通、斷及自動(dòng)切換，也可用作高端功率開關(guān)。該器件主要特點(diǎn)：工作電壓范圍寬，為3.5～36V；電路簡單，外圍元器件少；靜態(tài)電流小，典型值為30μA；能驅(qū)動(dòng)大電流P溝道功率MOSFET；有電池反極性保護(hù)及外接P-MOSFET的柵極箝位保護(hù)；可采用微控制器進(jìn)行控制或采用手動(dòng)控制；節(jié)省空間的8引腳MSOP封裝；工作溫度范圍-40℃～+125℃。圖1 LTC4414的引腳排列引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示，各引腳
關(guān)鍵字： LTC4414 P-FET 電源技術(shù) 工業(yè)控制模擬技術(shù) 工業(yè)控制

Catalyst推出Quad-Mode(tm)電荷泵元件

Catalyst半導(dǎo)體隆重推出專利申請中的Quad-Mode(tm)電荷泵新產(chǎn)品家族的首款元件將LED驅(qū)動(dòng)器效能提升至全新境界 CAT3636 Quad-Mode(tm) LED驅(qū)動(dòng)器能在不增加成本、元件數(shù)和電路板空間的情況下，用簡便的電荷泵方式提供業(yè)界領(lǐng)先的效率 Catalyst半導(dǎo)體公司隆重推出采用自適應(yīng)分?jǐn)?shù)電荷泵方案的新一代LED驅(qū)動(dòng)器的首款芯片CAT3636。這款芯片的發(fā)布，將LED驅(qū)動(dòng)器的效率提升至全新境界。CAT3636是以Catalyst的創(chuàng)新Quad-Mode(tm)
關(guān)鍵字： Catalyst LED驅(qū)動(dòng) Quad-Mode(tm) 電荷泵模擬元件發(fā)光二極管 LED

FET新版本可用于Serial RapidIO端點(diǎn)

　　日前，F(xiàn)abric Embedded Tools Corporation 公司宣布其新推出的 RapidFET™ 2.1 版本，并可運(yùn)用于德州儀器 (TI) DSP 等具備主控功能的 Serial RapidIO 端點(diǎn)。　　　RapidFET 是一款網(wǎng)絡(luò)管理與診斷工具，經(jīng)實(shí)踐證明，它能夠與 TI
關(guān)鍵字： 2.1版本 FET RapidFET™ RapidIO Serial 單片機(jī) 工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 通訊網(wǎng)絡(luò) 無線消費(fèi)電子主控功能工業(yè)控制

擴(kuò)展射頻頻譜分析儀可用范圍的高阻抗 FET 探頭

頻譜分析儀的電流模式一般有自10Hz低頻起始的頻率響應(yīng)。當(dāng)與1Hz或帶寬更窄的 FET 軟件結(jié)合使用時(shí)，現(xiàn)代頻譜分析儀就具備了擴(kuò)展的低頻性能，使之成為設(shè)計(jì)與調(diào)試高性能模擬電路不可或缺的工具。
關(guān)鍵字： FET 射頻頻譜分析儀高阻抗

TRACE MODE中所采用的新技術(shù)可以縮短建立控制系統(tǒng)的時(shí)間，降低工程造價(jià)

控制系統(tǒng)的開發(fā)人員經(jīng)常會(huì)遇到一系列影響開發(fā)質(zhì)量的特殊問題。工程規(guī)模越大，其影響范圍也就越廣。其中，主要問題包括： ·隨著數(shù)據(jù)庫容量的擴(kuò)大，用于糾正工程師的每個(gè)錯(cuò)誤的時(shí)間將增多。比如，鍵盤輸入錯(cuò)誤、變量地址指示錯(cuò)誤、列表選擇錯(cuò)誤等。因此，在大型系統(tǒng)中，數(shù)據(jù)庫容量與其開發(fā)時(shí)間往往比例失調(diào)――即出現(xiàn)了“規(guī)模效益”問題； ·控制系統(tǒng)對實(shí)時(shí)系統(tǒng)的工作效率要求很高；·開發(fā)時(shí)間緊、任務(wù)重要求開發(fā)人員能夠針對一個(gè)工程進(jìn)行團(tuán)隊(duì)作業(yè)； ·要求能夠及時(shí)靈活的獲得所用產(chǎn)品的技術(shù)支持，所用軟件的開發(fā)人員能夠跟隨工程進(jìn)展。由于忽視
關(guān)鍵字： TRACE MODE