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TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應用
- GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會？此次GaN FET的突破性技術是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領
- 關鍵字： GaN FET SiC
第三代芯片徹底火了！45家公司實證涉足三代半導體
- 延續(xù)9月4日以來的火熱行情，9月17日，A股第三代半導體概念股持續(xù)強勁，雙良節(jié)能、易事特漲停，多只概念股個股漲超7%。證券時報·e公司記者梳理發(fā)現(xiàn)，截至9月17日，已通過深交所互動易或公告形式披露公司確有第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務，或已積累相關技術專利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半導體方面有實際業(yè)務，或已出貨相關產(chǎn)品，但多數(shù)為小批量出貨，銷售收入占上市公司比例較小。三代半導體概念持續(xù)火熱近段時間以來，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)概念股異軍突起，成為低迷震蕩行情下一道亮
- 關鍵字： 第三代芯片 三代半導體 GaN
面向新基建的GaN技術
- 新基建涵蓋了廣泛的領域，并對半導體電源設計提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰(zhàn)是如何幫助設計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應對這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場的各類應用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅動器和保護功能，可提供優(yōu)異的開關速度和低損耗。如今，我們的GaN應用于交流/直流電源和電機驅動器、電網(wǎng)基礎設施和汽車
- 關鍵字： OBC GaN 202009
研華邊緣計算網(wǎng)關EPC-R3220，快速助力空氣壓縮機應用
- 在物聯(lián)網(wǎng)時代，連接到互聯(lián)網(wǎng)的設備日益增多。Strategy Analytics最近的一份報告預測，截至2025年，將有386億部設備連接物聯(lián)網(wǎng)。物聯(lián)網(wǎng)浪潮的飛速發(fā)展導致大量數(shù)據(jù)產(chǎn)生，邊緣計算網(wǎng)關正快速成為設備管理、數(shù)據(jù)收集和傳輸?shù)年P鍵要素。為此，研華推出了基于TI Sitara AM3352 Cortex-A8處理器的?邊緣計算網(wǎng)關EPC-R3220。作為中國經(jīng)濟發(fā)展晴雨表的空氣壓縮機行業(yè)，將空氣壓縮機（Air Compressor）廣泛應用于冶金、電力、石油等工業(yè)中，用于高爐鼓風、高爐和鍋爐的
- 關鍵字： 研華 邊緣計算網(wǎng)關 EPC-R3220 空氣壓縮機應用
e絡盟發(fā)布新一期人工智能電子書，激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應用開發(fā)熱情
- 全球電子元器件與開發(fā)服務分銷商 e絡盟 新近發(fā)布名為《AIoT時代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛好者提供人工智能相關專業(yè)知識，助力他們更加順利地進行人工智能應用開發(fā)并開拓出更多新型市場應用。本冊電子書匯集了人工智能詳細路線圖和類別，闡釋了人工智能、機器學習（ML）和深度學習（DL）之間的關系，并詳細介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡相關技術。書中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開發(fā)的優(yōu)質平臺。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變人類的工作方式。目前，人工
- 關鍵字： TTS STT AIoT CNN RNN GAN
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準
- 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
- 關鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
GaN 器件的直接驅動配置
- 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關損耗、更佳
- 關鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
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