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          5G推動RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

          • 展望未來,采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù),LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
          • 關(guān)鍵字: 5G  GaN  

          世強(qiáng)聯(lián)手EPC,合力布局國內(nèi)GaN功率器件市場

          •   世強(qiáng)宣布與基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商EPC(宜普電源轉(zhuǎn)換公司)簽約合作,作為EPC中國區(qū)代理,銷售其全線產(chǎn)品?! ?jù)悉,EPC(宜普電源轉(zhuǎn)換公司)為首家推出替代功率Si MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管的公司,其目標(biāo)應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、無線充電,自動駕駛、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(dá)(LiDAR)及D類音頻放大器等,GaN器件在速度,損耗,效率等性能上比硅材料的功率器件優(yōu)越很多。  通過增強(qiáng)型氮化鎵技術(shù),不僅可以提高電源效率,還可以
          • 關(guān)鍵字: 世強(qiáng)  EPC  

          2021年全球MOCVD市場將突破11億美元

          •   什么是MOCVD?   MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。   MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長,是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。   根據(jù)Technavio統(tǒng)計,全球MOCVD市場的復(fù)合年平均增長率將在2021年之前增長到14%,市場規(guī)模將從201
          • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  

          張文賓加入宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)擔(dān)任大中華及東南亞區(qū)銷售副總裁

          •   宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布張文賓(Roy Chang)加人管理團(tuán)隊,擔(dān)任大中華及東南亞區(qū)銷售副總裁職位,支持亞太區(qū)業(yè)務(wù)高速增長。張先生在計算機(jī)及半導(dǎo)體行業(yè)擁有超過20年的研發(fā)、技術(shù)銷售和市場營銷的經(jīng)驗。他的主要職責(zé)是制定及執(zhí)行銷售策略以達(dá)到公司在大中華及東南亞區(qū)的銷售目標(biāo)。張先生的主要工作地點為臺灣臺北市?! 埾壬诩尤胍似展局盀門ransphorm公司的臺灣銷售副總裁。之前,他在Acer及德州儀器擔(dān)任研發(fā)、技術(shù)銷售、銷售及市場營銷等管理職位?! PC全球銷售及市場營銷高級副總裁
          • 關(guān)鍵字: EPC  宜普電源  

          EPC公司于PCIM Asia 2017與工程師進(jìn)行技術(shù)交流 -- 如何在高功率、高度共振式無線充電應(yīng)用中選擇于6.78 MHz工作的放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

          •   宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是硅基增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的領(lǐng)先供應(yīng)商,基于eGaN?FET與集成電路的低成本解決方案是在發(fā)射端采用單個功率放大器,而在接收端無論是采用什么標(biāo)準(zhǔn),也可以實現(xiàn)無線充電?! ∥覀冋\摯邀請工程師蒞臨中國上海,出席于2017年6月28日(星期三)上午11時在上海世博展覽館B2層2號會議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(電力轉(zhuǎn)換與智能運動研討會)。屆時EPC公司的應(yīng)用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高
          • 關(guān)鍵字: EPC  eGaN   

          趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng),紫外LED要做弄潮兒

          • 本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會影響力。
          • 關(guān)鍵字: 照明  紫外LED  GaN  第三代半導(dǎo)體  

          GaN組件和AMO技術(shù)實現(xiàn)更高效率與寬帶

          • 隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴(kuò)展,基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優(yōu)勢,首先,最明顯的好 處是降低運營成本;同時,更少的熱意味著更低的設(shè)備冷卻需求以及更高的可靠性。
          • 關(guān)鍵字: GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  

          第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件

          • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  第三代半導(dǎo)體材料  

          FET知識:采用結(jié)型FET實現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

          •   與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接,以構(gòu)成CR的連接方式。此時,為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系,就需要偏置電路來提供柵極電壓。  與晶體管放大電路的接地方式相同,結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式?! ∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路  n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反?! ET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
          • 關(guān)鍵字: FET  放大電路  

          MACOM:硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來的發(fā)展趨勢

          •   MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè),在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中,公司敢于采用大膽的技術(shù)手段,為客戶提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來卓越的價值,致力于構(gòu)筑更加美好的世界。   在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中,MACOM的技術(shù)提高了移動互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率,讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量,讓數(shù)百萬人在生活中每時每刻方便地交流溝通。   日前在上海舉辦的EDICON展會上,MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品,根據(jù)客戶的需求及痛點提供一站式解決方案。
          • 關(guān)鍵字: MACOM  GaN  

          汽車功率元器件市場前景廣闊

          •   汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。   雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          前瞻性技術(shù):加速GaN技術(shù)應(yīng)用

          •   相較于過去所使用的硅晶體管,氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下,以更高的切換頻率運作。 這代表在相同條件下,GaN能夠較以硅為基礎(chǔ)的解決方案實現(xiàn)更高的效率。   電源供應(yīng)設(shè)計   德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型,讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設(shè)計至電源解決方案中,進(jìn)而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。 基于數(shù)十年的電源測試專業(yè)經(jīng)驗,TI針對GaN進(jìn)行了數(shù)百萬小時的加速測試,并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計的生態(tài)系統(tǒng)。   GaN將在功率密集的應(yīng)用中大展身手,它能夠在保持或提
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  GaN  

          汽車功率元器件市場前景廣闊

          •   雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源相關(guān)芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節(jié)點,使用200毫米(和
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          電源設(shè)計控必須了解的2017三大趨勢

          •   2017電源市場需求和技術(shù)趨勢風(fēng)向如何?來e星球,與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!  需求往往是推動創(chuàng)新的源泉,無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求,潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā),也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國際博覽中心,深度探討2017年中國電源市場需求與走勢,
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          下一波功率轉(zhuǎn)換浪潮—專為實現(xiàn)太陽能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設(shè)計

          •   引言  太陽能不再是一項新興技術(shù),而是正在經(jīng)歷重大技術(shù)變革的技術(shù),日趨成熟。我們朝著電網(wǎng)平價(太陽能成本與傳統(tǒng)能源發(fā)電類型的成本相當(dāng)),并且改進(jìn)傳統(tǒng)能源發(fā)電類型構(gòu)成的目標(biāo)前進(jìn),因為將面板中的直流電轉(zhuǎn)換為可用交流電的過程變得更加高效且經(jīng)濟(jì)實惠?! 〉?,雖然太陽能面板在近幾年價格顯著降低,但下一波太陽能發(fā)展浪潮將由功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的新技術(shù)推動。先進(jìn)復(fù)雜的多級功率開關(guān)拓?fù)涞呐d起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料,加上更高的工作電壓(最高1600 VDC),實現(xiàn)更加快速的功率開關(guān),與傳統(tǒng)系
          • 關(guān)鍵字: 光伏逆變器  GaN  
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          epc gan fet介紹

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